Состав газовой среды для пайки

Состав газовой среды для пайки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОСТАВ ГАЗОВОЙ СРЕДЫ ДЛЯ ПАЙКИ, содержащий азот, водород и инертный газ, отличающийс я тем, что, с целью повьппения надежности паянного соединения при пайке микросхем, он дополнительно содержит аденин, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Водород 9-10 Аденин2-3 Инертный газ 1-6 АзотОстальное

СОЮЗ COBETCHHX

СО,И ЛЮ

РЕСПУ6ЛИК

4(sl) В 23 К 35/38

ГОСУДФРСТНЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

1ТИЙ (21) 3674236/25-27 . (22) 20. 10.83 (46) 30.06.85. Бюл. И 24 (72) А.-И..Берзина (53) 621. 791 ° 3 (088. 8), (56) Патент США Ф 3970239, 228-220, 1976.

Патент США В 3665590, 29-494, 1972.

„„Я0„„3 164026 А (54)(57) СОСТАВ ТАЗОВОЙ СРЕДЫ ДЛЯ

ПАЙКИ, содержащий азот, водород и инертный газ, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повьппения надежности паянного соединения IlpY. пайке микросхем, он дополнительно содержит аденин, при следующем соотношении компонентов, мас.7.:

Водород 9-10

Аденин 2-3

Инертный газ 1-6

Азот Остальное

Ф 11

Изобретение относится к пайке металлов, в частности к составу газовой среды для пайки оловянносвинцовыми припоями никелированных корпусов микросхем, и может быть использовано в радиоэлектронной промьппленности.

Цель изобретения — повышение надежности паяного соединения при пайке микросхем путем введения в газовую среду, содержащую водород, азот и инертный газ, аденина, при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Компоненты

Водород 9-10

Инертный газ 1-6

Аденин 2-3

Азот Остальное

Было приготовлено три смеси сос-. тавов (табл, 1) и проведены их ис- 20 пытания,. В качестве объектов испытаний выбраны. облуженные оловянносвинцовыми припоями никелированные основания плоских корпусов и окисленные под действием термической нагрузки при 1 =,180 С, С= 3 ч.:

Смеси нагревали в диапаэоне температур 150 — 300cC и воздействовали ими на нагреваемые до 260 — 270o0 окисленные объекты, находящиеся 30 в специальной камере.

Физическими критериями эффектив- . ности работы восстановительных смесей явились отношение суммарной площади островков оксидной пленки к рабочей площади объекта (

64026 . 2 электронной микроскопии, оже-спектроскопии, масс-спектрометрии вторичных ионов.

Технологическими критериями эффек тивности работы восстановительных смесей явились процент выхода по герметичности (d" ), процент брака по токам утечки (и „), процент брака по микрокоррозионному поражению

10 (t4K) .

1 Г Г

84,5 84,5 84,5

9,5 9,,5

Водород 9,5

3,5

2,5

3,0

2,0

Выбор концентрации водорода в пределах 9-10% объясняется тем, что концентрации водорода свыше 107 приводят к развитию начального про цесса окклюзии никелевых покрытий, а концентрации водорода ниже 97 приводят к снижению общего эффекта восстановления оксидного слоя, к ухудшению паяемости. Выбор концентрации аденина в пределах 2-3% объясняется тем, что концентрация аденина свыше 3% приводит к осаждению углерода, возникновению повьппенных токов утечек, а уменьшенные концентрации углерода приводят к снижению общего эффекта восстановления оксидного слоя, к ухудшению паяемости.

Физические и технологические критерии приведены в табл. 2.

Таблица 2

Физические критерии

Составы

1,3 13/1 4/9 98,0

1 9/2 2/7 98,0

0,8 7/5 1/3 98,5

Блестит

То же

Визуальный i1,% C(ol dx рф контроль C.(,с) dy

Технологические критерии, 7

1164026

Составитель. В. Полякова

Редактор Н. Воловик Техред:Ж.Кастелевич

Корректор A- Обручар

Заказ 4133/11 Тираж 1086 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 .

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Данные составы смеси обеспечивают высокую термовосстановительную обработку окисленного облуженного оловянно-свинцовыми припоями ниНелированного корпуса, с обеспечением хорошей герметичности, отсутствием токов утечек и микрокоррозионных поражений монтажной площадки корпуса. б

Благодаря применению низкой концентрации водорода практически отсутствует окклюзия никелевого покрытия и паяных швов. Применение сильноосуS шенных газовых смесей создает условия предотвращения микрокоррозионных.. явлений, повышается надежность микросхем.