Способ измерения механического давления

Способ измерения механического давления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ путем воздействия усилием на магнитодиод и регистрации изменения электрического напряжения на магнитодиоде, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и воспроизводимости характеристик, усилие прикладывают , сосредотачивая его воздействие в базовой области магнитодиода. О

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (gy)4 G 01 L 11!00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ЗИБЛ, К А BTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3235645/24-10 (22) 12.01.81 (46) 07.08.85. Бюл. № 29 (72) И. А. Карапатницкий, Д. М. Мухамедшина и В. И. Стафеев (71) Институт физики высоких энергий

АН Казахской CCP (53) 531.787 (088.8) (56) Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов. — Л.:

1969, с. 147 — 151.

Изв. высш. учеб. заведений. Приборостроение. Том ХХ, № 12, ЛИТМО, 1977, с. 73 — 76.

ÄÄSUÄÄ 1171677 А (54) (57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ путем воздействия усилием на магнитодиод и регистрации изменения электрического напряжения на магнитодиоде, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и воспроизводимости характеристик, усилие прикладывают, сосредотачивая его воздействие в ба зовой области магнитодиода.

1171677

Р,0

7 У () @„Z

Составитель И. Невский

Редактор Л. Зайцева Техред И. Верес Корректор А. Тяско

Заказ 4853/35 Тираж 897 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! l 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к способам из мере ния неэлектрических величин с помощью полупроводниковых преобразователей, управляемых воздействием механических давлений, усилий.

Цель изобретения — повышение чувствительности и воспроизводимости характеристик.

На фиг. 1 схематически изображен магнитодиод; на фиг. 2 — зависимости изменения прямого падения напряжения на магнитодиоде типа КД-301А от величины приложенного механического давления.

На полупроводниковом элементе (магнитодиоде) 1 острием установлена игла 2.

Магнитодиод соединен с источником 3 тока и измерителем 4 напряжения. Контролируемая сила, действующая на базу магнитодиода, направлена вдоль оси иглы. На фиг. 1 показаны области магнитодиода с и и р-типом проводимости.

Изменение прямого падения напряжения на магнитодиоде в вольтах от величины приложенной к игле с радиусом 60 мкм силы отложено по оси ординат (фиг. 2), а по оси абсцисс — величина приложенной силы в ньютонах. При этом кривая 1 соответствует значению прямого тока через магнитодиод величиной в 1МА, а кривая 2 току. в 3 МА.

Как следует из графиков на фиг. 2 величина приращения прямого падения напряжения линейно зависит от величины приложенной силы. Средняя чувствительность элемента по напряжению составляет около

300 МВ/Н при токе ЗМА. Чувствительность увеличивается с ростом значения тока прямого смещения.

При воздействии сосредоточенной силой на р-п переход магнитодиода наблюдается

10 отрицательное приращение падения напряжения при постоянном токе, а при удалении точки приложения усилия от р-и перехода в направлении невыпрямляющего контакта, приращение монотонно уменьшается до ну15 левого значения, становится положительным, проходит через экстремум и вновь уменьшается вблизи невыпрямляющего контакта, т.е. чувствительность может быть улучшена выбором точки приложения усилия в области базы магнитодиода.

2р Верхняя граница диапазона давлений определяется механическим разрушением базового полупроводника магнитодиода.

Сосредотачивая усилия в области базы магнитодиода, т.е. воздействуя иглой, обес25 печивают повышение чувствительности, а также улучшают воспроизводимость характеристик, поскольку исключается влияние микронеоднородностей и неплоскосности поверхности боковых граней магнитодиода.