Способ фотографирования быстропротекающих процессов

Способ фотографирования быстропротекающих процессов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ФОТОГРА№РОВАНИЯ БЫСТРОПРОТЕКАКШЩ ПРОЦЕССОВ, заключающийся в том, что фотопленку зкспонируют , после чего прикладывают импульс напряжения с амплитудой меньше амплитуды появления полевой вуали, отличающийся тем, что, с целью повьшения чувствительности фотопленки, синхронно с экспонированием к фотопленке прикладывают импульсы напряжения, полярность которых противоположна упомянутому импульсу, при этом амплитуда и импульсов удовлетворяет неравенству (М U-72- o где tg - длительность импульса, с, tp - время релаксации поля в эмульсионном микрокристалле , CJ диэлектрическая проницаес: S мость микрокристалла гапогенида серебра, эмульсии и (Л подложки; /3 импульсы напряжения, подаваемые после засветкиJ dj и cJp- толщина эмульсионного слоя и подложки, CM,j а число N которых удовлетворяет неравенству UN.-jI- , где Т - продолжительность экспониро вания, с. О1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А (5!) 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ н ав а сн0МЬ СВИйаТВЪСТвУ экспонироГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3753784/24-10 (22) 16.03.84 (46) 07. 08.85. Вюл. Р 29 (72) Е.М.Гущин, А.Н.Лебедев и С.В.Сомов (71) Московский ордена Трудового

Красного Знамени инженерно-физический институт (53) 778.34(088.8)

{56) Жук ИеИе, Протасов ВеПе9

Уланов В.и. Фоторегистрация треков в стримерной камере. - Приборы и техника эксперимента, 1981, Р 2, с. 54-55. (54)(57) СПОСОБ ФОТОГРАФИРОВАНИЯ .

БЫСТРОПРОТЕКАЮЩИХ ПРОЦЕССОВ, заключающийся в том, что фотопленку экспонируют, после чего прикладывают импульс напряжения с амплитудой меньше амплитуды появления полевой вуали, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотопленки, синхронно с экспонированием к фотопленке прикладывают импульсы напряжения, полярность которых противоположна

„„SU„„1171245 упомянутому импульсу, при этом амплитуда 0 импульсов удовлетворяет неравенству где 4 — длительность импульса, с; Ср - время релаксации поля в эмульсионном микрокристалле, с; б,б, п- диэлектрическая проницаемость микрокристалла галогенида серебра, эмульсии и подложки, р - импульсы напряжения, подаваемые после засветки, d> и d и- толщина эмульсионного слоя и подложки, см,, а число /Ч которык удовлетворяет неравенству

2Ф

Т

2ФФ где Т - продолжительность вания, с.

1171745

Изобретение относится к научной фотографии и наиболее эффективно может быть использовано для фотографирования слабосветящихся или быстроперемещающихся объектов либо быстро- S протекающих процессов, например, в астрономии, аэрофотосъемке и т.п.

Цель изобретения - повышение

)чувствительности фотопленки.

На фиг. 1 приведена блок-схема 10 установки, используемой для реализации способа, на фиг. 2 - временная диаграмма (А и В - импульсы напряжения, Т вЂ” световой сигнал).

П р и М е р. Фотопленку 1 зажима- 1S ют между электродами 2 и 3, один из которых прозрачен (стекло с проводящим покрытием), соединенными с источниками 4 и 5 импульсного напряжения,. В качестве источников импульс-1О ного напряжения используют блоки питания лазера ЛГИ 21 дающие импульс колоколообразной формы длительностью по основанию 300 нс и амплитудой до 40 кВ . Экспонирование фотопленки осуществляют вспышкой лазера

6 длительностью Т = 8 нс. Лазер и источники импульса напряжения запускают генератором 7 через регулируемые линии 8-10 задержки, служащие дляподбора необходимых временных, задержек между импульсами А и В (импульс

А подается вместе с засветкой пленки, импульс  — после засветки).

Используемая фотопленка имеет следующие характеристики: чувствительность 2000 ед., Е„ = 12,51 g = 8,6;. „- 3,0; а„= 60 AM, а, = 25 A 1 кВ.

Выбранная амплитуда импульса А V

= t0 кВ. Амплитуда импульса В варьируется oT V 20 до Vs < пар

30 кВ.

Составитель В. Кондратьев

Редактор А.Шишкина Техред Ж.Кастелевич Корректор М.Пожо

Заказ 4859/39 Тираж 448 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4