Резонансный усилитель

Резонансный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

РЕЗОНАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержапщй первый транзистор, между коллектором которого и шиной источника питания включена нагрузка, первый конденсатор, один вывод которого подключен к коллектору первого транзистора, второй транзистор и , второй конденсатор, при этом база первого транзистора является входом резонансного усилителя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения линейности и стабильности добротности при перестройке резонанс ной частоты, в него введены два управляемых источника тока, каждый из которых включен между эмиттером соответствующего транзистора и общей шиной, другой вывод первого конденсатора и коллектор второго транзистора подключены к шине источника питания, коллектор первого и база второго транзисторов объединены, а второй конденсатор включен между I эмиттерами транзисторов, при этом нагрузка выполнена в виде цепи, соссл тоящей из последовательно соединенных прямосмещенных рп-переходов. со ч 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5!) 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

l10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3603915/24-09 (22) 09.06.83 (46) 07.08.85. Бнш . Р 29 (72) М.В. Гальперин (53) 621.375. 126 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 383200, кл. Н 03 F 1/44, 1968.

Авторское свидетельство СССР

O 338987, кл. H 03 F 1/44. 1970. (54)(57) РЕЗОНАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый транзистор, между коллектором которого и шиной источника питания включена нагрузка, первый конденсатор, один вывод которого подключен к коллектору первого транзистора, второй транзистор и . второй конденсатор, при этом база первого транзистора является входом

„„SU., 1171973 А резонансного усилителя, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью обеспечения линейности и стабильности добротности при перестройке резонанс ной частоты, в него введены два управляемых источника тока, каждый из которых включен между эмиттером соответствующего транзистора и общей шиной, другой вывод первого конденсатора и коллектор второго транзистора подключены к шине источника питания, коллектор первого и база второго транзисторов объединены, а второй конденсатор включен между эмиттерами транзисторов, при этом нагрузка выполнена в виде цепи, состоящей из последовательно соединенных прямосмещенных р- п-переходов.

1171973

Ug rx() 3r Cz

Пе„(р) 6г С„С р + г(ЗС,-С ) р+1

Пвых (Р) Зг(ЗС вЂ” dC) р

П е,, (р) 6г C (ÇC-А С) р + r Cp + 1

15 или, учитывая, что ЬС((С = С, получаем окончательно передаточную функцию 9rCv

20 R() р 18r Gг pã + гдСр +

Слагаемое глСр определяет добротность резонансного усилителя на час25 тоте резонанса р.

Коэффициент. усиления равен

Кр = 9С/йС.

r, = Y/г дифференциальное сопротивление эмитЗМ терного р-и -перехода транзистора 2 г — Y/i

U8x -Ueb(x Зг/рС

2r+1/рС2 L(3r+1/pC„) 55

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве перестраиваемого по частоте избирательного устройства или генератора синусоидальных сигналов.

Цель изобретения — обеспечение линейности и стаоильности добротности при перестройке резонансной частоты.

На фиг. 1 приведена электрическая принципиалЬная схема предложенного резонансного усилителя; на фиг. 2 — пример использова-, ния.предложенного резонансного усилителя в качестве генератора.

Усилитель содержит первый и второй транзисторы 1 и 2„ первый и второй конденсаторы 3 и 4, первый и второй управляемые источники 5 и 6 тока и нагрузку, выполненную в виде цепи, состоящей из последовательно соединенных прямосмещенных

p-n -переходов, например диодов 7-9.

Усилитель работает следующим образом.

Дифференциальные(динамические) сопротивления эмиттерного р-и перехода транзистора 1 и р-и --переходов диодов 7 - 9 где — температурный потенциал, равный примерно 25 мВ (при

t = 20 С);

i u i — величины токов источников

5 и 6 тока.

Положим, i iZ = i, тогда г = r = r = 9 /i °

Выходной сигнал Uab,„ связан с входным сигналом U „ уравнением где С1 и С вЂ” емкости конденсаторов

3 и 4 соответственно; р — комплексная переменная, Выражение в знаменателе первой дроби — полное сопротивление в цепи эмиттера;

Выражение в квадратных скобках— полное сопротивление в цепи коллектора транзистора 1.

После преобразований получаем

Выбираем С, и С так, чтобы

ЗС1-С = 4С (с С„, и обозначим C

С„,= (С + С) /3, тогда

Резонансная частота определяется выражением

1 0,0371 гГ ГГВ гС (: с учетом r = 9/i получаем, что резонансная частота прямо пропорциональна. току управляемых источников тока йр 0,0375 r/ C и прямо пропорциональна

Стабилизацию Кр по температуре нетрудно осуществйть, добиваясь одинаковых температурных коэффициентов для i и М (температурный коэффициент около 0,37./ С при 25 C). Синхронное управление управляемыми источниками токов i u i также легко ocyz ществить по известным схемам.

Если емкость конденсатора 4 С> выбрать несколько большей, чем емкость С,, то схема переходит в asтоколебательный режим на частоте и т.е. становится управляемым по частоте генератором синусоидальных колебаний (фиг. 2).

Вместо Ua„ в данном случае задается постоянное смещение Е (+Е.

Схема может использоваться и в других цепях (удвоения частоты, коррекции фазы и т,д.).

1171973

Составитель А. Меньшикова

Редактор О. Юрковецкая Техред Ч.Кузьма Корректор Л. Бескид

Заказ 4915/50 Тираж 872 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4