Способ фотографирования на галлоидно-серебряном фотоносителе

Способ фотографирования на галлоидно-серебряном фотоносителе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОНЭЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 G 03 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

С! — (ь (< А с ион

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ1ТИЙ (21 ) 3643516/28-12 (22) 11.08.83 (46) 15 ° 08.85. Бюп, !! 30 . (72 ) А.Я. Диден ко, Б. Д. Ле мешко

I и В.А,Островский (71) Московский инженерно — физический институт (53) 772 ° 93(088.8) (56) В.М.Уланова. "О повышении чувствительности рентгеновских фотоматериалов", ЖТФ, 1980, т, 50, с. 1044. (54 ) (57) 1. СПОСОБ ФОТОГРАФИРОВАНИЯ.

НА ГАЛОИДНО-СЕРЕБРЯНОМ ФОТОНОСИТЕЛЕ, включающий экспонирование носителя и воздействие на него усиливающего импульсного электрического поля для увеличения свободных носителей заряда в микрокристаллах носителя путем электронного размножения, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью повышения чувствительности, после экспонирования на носитель сначала воздействуют смещающим импульсным электрическим полем с амплитудой и длительностью, обеспечивающими перенос фотоэлектронов нз объема микрокристаллов к их границе без электронного размножения, а усиливающим электрическим полем на носитель воздействуют после воздействия смещающим полем, причем усиливаю„„SU, 1173380 щее поле имеет противоположную по— лярность.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а— ю щ.и и с я тем, что амплитуда напряженности смещающего импульса удовлетворяет соотношению (U) W

-7 — — C А C г-1 а длительность смещающего импульса — соотношению где А — амплитуда импульса, 3U — энергетический уровень мелких ловушек носителей заряда;

W — энергетический уровень глубоких ловушек; е — заряд электрона; эффективный размер микро— кристаллов; с — подвижность свободных носителей заряда;

Т вЂ” длительность смешающего импульса; ffaH — характеристическое время ионной поляризации микрокристалла, 3. Способ по пп, 1 и 2, о т л и ч а ю шийся тем, что временной сдвиг между двумя импульсами не больше времени релаксации носителей заряда с мелких уровней.

1173380

30

40

Составитель В

Техред М.Надь.

Корректор М. Самборская

Редактор Т.Митейко

Заказ 5051/47 Тираж 448 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал IIII1I "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к фотографии и может быть использовано в высокоскоростной киносъемке и аэрофотосъемке.

Целью изобретения является повышение чувствительности при записи оптической информации на современных сенсибилизированных фотоматериалах.

Сущность способа заключается в том, что под действием электрического поля происходит лавинное размножение электронов в кристаллах галогенида серебра, В неэкспонированном кристалле свободных электроHOB HPT, Действие света приводит к появлению электронов в зоне проводимос-6 ти, за время 10 -1О с фотоэлектроны захватываются мелкими ловушками и центрами чувствительности.

Фотоноситель подвергают воздействию высоковольтного усиливающего импульса, sa счет снижения потенциального барьера. Электроны освобождаются из ловушек и размножаются полем, Эффект размножения электронов эквивалентен увеличению экспозиции и приводит к повышению чув ствительности фотоматериала.

Коэффициент. размножения электронов тем больше, чем больше напряженность поля и слива пробега электрона в кристалле 1; k и Ы 1, где а определяется напряженностью поля.

Так как фотоэлектроны в момент рождения, а также после захвата ловушками распределены по объему и поверхности кристалла случайным образом, то средняя длина пробега в поле меньше размеров кристалла, Если прежде им подавать усиливающие электрическое поле (фотоноситель подвергают воздействию смещающего импульсного электрического поля противоположной полярности),то фотоэлектроны будут смещены смещающим полем на край кристалла.

Напряженность .смещакщего поля А

4U больше 1 — у, где Н вЂ” энергетическая

r1 глубина мелких ловушек захвата электронов,  — заряд электрона.

Такое поле освобождает электроны с мелких ловушек, С другой стороны напряженность смещающего импульсного электричес11 кого поля меньше - (Ч вЂ” глубина ц1 заполненных донорных уровней) порога освобождения донорных уровней центров вуали . ди2 Ы 2

1,-—; (А(ц1—

Длительность смещающего импульсного электрического поля см больше длительности E дрейфа элек- тронов через кристалл 1= .(d— д эффективный размер- кристапла, и— дрейфовая подвижность носителя, А — напряженность поля в кристалле).

Но меньше времени ионной поляризации t«rr кристаллов

d .1 A см ион (Т

Пример реализации способа фотографирования, Фотоноситель размещают между двумя электродами, экспонирование проводят через прозрачный электрод,: выполненный из стекла с покрытием SnO>, коэффициент пропускаиия

85-907.; электрическое сопротивление 100 см/см. Систему электродов с фотоносителем помещают в жидкий диэлектрик (этиловый спирт ) для предотвращения свечения в электрическом поле.

Затем фотоматериал экспонируют световой вспышкой. По окончании экспонирования фотоматериал подвергают воздействию смещающего импульсного электрического поля. 3атем на фотоноситель подают усиливающее электрическое поле противоположной .полярности . ,Аксенов