Кислый раствор для химического никелирования

Кислый раствор для химического никелирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

КИСЛЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО Щ КЕЛИРОВАНШ1, содержащий хло„рид ,|гикеля, гипофосфит натрия, ян , .,.. fupHo-кислый натрий и глицин, о тличающийся тем, что, с целью повьппения адгезии никелевого слоя к кремнию и снижения переходного электрического сопротивления на границе металл - полупроводник, он содержит дополнительно хлорид или сульфат марганца при следующем соотношении компонентов, г/л: Хлорид никеля 25-35 Гипофосфит натрия 10-20 Янтарно-кислый натрий . 20-30 Глицин12-15 Хлорид или сульфат марганца (в пересчете на марганец) 0,03-0,15

СОЮЗ COBETCNHX

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБЛИ К (51)4 С 23 С 18/36

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3538893/22-02 (22) 10.01.83 (46) 23.09.85. Бюл. и 35 (72) Я.М. Пинчук, В.Я. Зайцев, В.И. Рюмшин и Е.И. Минков (71)- Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина (53) 621.793.3.669.24(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

11р 775168, кл. С 23 С 3/02, 1971.

Авторское свидетельство СССР

Ф 429483, кл. Н 01 L 21/306, 1970. (54)(57) КИСЛЫЙ РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО БИКЕЛИРОВАНИЯ, содержащий хло«рид уикеля, гицофосфит натрия, ян— тарас-кислый натрий и глицин, о т„„Я0„„1180404 A личающийся тем, что, с целью повышения адгезии никелевого слоя к кремнию и снижения переходного электрического сопротивления на границе металл — полупроводник, он содержит дополнительно хлорид или сульфат марганца при следующем соотношении компонентов, г/л:

Хлорид никеля 25-35

Гипофосфит натрия 10-20

Янтарно-кислый натрии 20-30

Глицин 12-15

Хлорид или сульфат марганца (в пересчете на марганец) 0,03-0,15

1180404

Содержание компонентов раствора, г/л

Переходное электрическое соАдгезия между покрытием и кремнием, кг/см

Состав

Натрий янтарнокислый

Глицин

Марганец соляно кислый рН

Марганец сериокислый

Гипофосфат натрия

Хлорид никеля противление покрытия, Ом см2 ° 102

1 25 10 20

2 30 15 25

3 35 20 30

4 25 ° 10 20

5 30 15 25

12 0,03 4,82 137

13,5 0,01 — 4,90 124

0,83

0,76

0,90

О, t5 — 4,95 119

0,03 4,85 129

0,67

4,92 126

0,78

0,1

13,5

0,70

5,0

131

0,15

6 35 20 30

1,06

108

5 0

25

7 25 25

Составитель В. Скопинцев

Редактор Н. Гунько Техред Ж.Кастелевич Корректор M. Пожо

Заказ 5855/23

Тираж 899 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал IUIII "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к нанесе-, нию металлических покрытий, в частности никелевых, на диэлектрики химическим восстановлением из растворов и может быть использовано при осаждении контактных слоев никеля на полупроводниковые структуры.при изготовлении полупровоДниковых приборов.

Цель изобретения — повьппение адгезии никелевого слоя к кремнию и снижение переходного электрического сопротивления на границе металл— полупроводник.

Составы опробованных растворов, представленных в таблице, приготовляют последовательным растворением компонентов при перемешивании в подогретой до 50 — 55 С депонизованной воде, взятой в количестве 757.

Переходное сопротивление определяют двухзондавым манипулятором по компенсационной мостовой схеме. Прочность сцепления определяют на динамоот номинального объема. После раст ворения компонентов объем раствора доводят до заданного и необходимое значение рН устанавливают с помощью щелочи и янтарной кислоты.

Проводят никелирование кремниевых структур, в качестве которых выбирают силовые диоды В-7-320 с диаметром пластины 30 мм. Время никелирования составляет 4,5-5 0 мин.

Толщина никелевого покрытия, определенная с помощью высокочастотного индуктивного измерителя типа ВИТИ-ЗП, составляет при этом 2,0 — 2,6 мкм, а средняя скорость осаждения 0,46—

0,52 мкм/мин.

Составы использованных растворов и полученные характеристики покрытий приведены в таблице. метрической разрывной установке путем отрыва припаянных к покрытию медных проводов с фиксированной площадью спая.