Интегральный усилитель мощности

Интегральный усилитель мощности

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ MODIНОСТИ по авт.св. № 1149378, о т л и чающийся тем, что, с целью повьшения максимальной мощности, отдаваемой в нагрузку, базы первого и второго транзисторов объединены через два введенных дополнительных датчика температуры, расположенных от защищаемого элемента на разном расстоянии и вьшолненных на третьем и четвертом транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к выходу источника смещения, а эмиттеры - соответственно к базам первого и второго транзисторов . 00 ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (! 9) (11) (51)4 Н 03 F 1/52

1 ц

Ин(рормационный бход

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 1149378 (21) 3727486/24-09 (22) 12.01. 84 (46) 23.09.85. Бюл. №- 35 (72) Б.И.Гольдшер, П.А.Дик, А.И.Лашков, Ю.Б.Рогаткин и В.Я.Стенин (53) 621.375.024 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1149378, кл. Н 03 F i/52, 1981. (54) (57) ИНТЕГРАЛЬНЪ|Й УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ по авт.св. № 1149378, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения максимальной мощности, отдаваемой в нагрузку, базы первого и второго транзисторов объединены через два введенных дополнительных датчика температуры, расположенных от защищаемого элемента на разном расстоянии и выполненных на третьем и четвертом транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к выходу источника смещения, а эмиттеры — соответственно к базам первого и второго транзисторов.

1181115

Составитель Н.Дубровская

Техред А.Бабинец Корректор M.Äåì÷èê

Редактор M.Áëàíàð

Зака= 5948/59 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к автоматике и импульсной технике и может быть использовано в устройствах управления приборов с зарядовой связью.

Цель изобретения — повышение мак— симальной мощности, отдаваемой в нагрузку.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема интегрального усилителя мощности. 10

Интегральный усилитель мощности содержит тепловыделяющий элемент 1, пороговый элемент 2, два датчика 3 и 4 температуры, выполненные соответственно на первом 5 и втором 6 тран- 15 зисторах, нагрузочный резистор 7, токозадающий резистор 8, источник 9 смещения и два дополнительных датчика 10 и 11 температуры, выполненных соответственно на третьем 12 и чет- 20 вертом 13 транзисторах.

Интегральный усилитель мощности работает следующим образом.

В отсутствии градиента температуры по кристаллу микросхемы, все четыре 25 датчика на транзисторах 5, 6, 12 и

13 нагреваются практически одинаково и температура тепловыделяющего элемента 1, при которой срабатывает пороговый элемент 2, определяется щ изменяющимся под действием температуры коэффициентом передачи дифференциальным каскадом на транзисторах

5 и 6 синфазного сигнала, которым является выходное напряжение источника 9 смещения.

При возникновении перепада температур, т.е. при относительно быстром энерговыделении в тепловыделяющем элементе 1, все четыре датчи- 40 ка на транзисторах 5, 6, 12 и 13 оказываются при разных температурах, и температура тепловыделяющего элемента 1. при которой происходит срабатывание порогового элемента 2, определяется как температурнозависимым коэффициентом передачи дифференциального каскада на транзисторах

5 и 6, так и величиной дифферен- циального сигнала, которым является разность падений напряжений на эмиттерных йереходах транзисторов 5, 6, 12 и 13, обусловленная разными температурами этих транзисторов.

Кроме того, транзисторы 12 и 13 могут быть конструктивно выполнены в непосредственной близости от тепловыделяющего элемента 1, например, в той же электрически изолированной области полупроводника, поэтому разность температур транзисторов 12 и 13 при прочих равных условиях больше, чем транзисторов

5 и 6 в известном, что приводит к более четкому срабатыванию порогового элемента 2.

Использование четырех температурных датчиков, вмесTQ двух, позволяет с меньшей погрешностью аппроксимировать реальную зависимость тем— пературного распределения от скорости энерговыделения в тепловыделяющем элементе 1, т.е. учесть непостоянство градиента распределения температуры по кристаллу, что также повышает точность схемы защиты и приводит в итоге к увеличению максимальной средней мощности, отдаваемой в нагрузку интегральным усили- . телем мощности, на 15-207. и увеличению в несколько раз максимальной импульсной мощности, что объясняется более полным использованием мощностных характеристик тепловыделяющего элемента 1, которым, например, является транзистор выходного каскада интегрального усилителя мощ,ности.