Фотоэлектрический потенциометрический датчик

Иллюстрации

Фотоэлектрический потенциометрический датчик (патент 118550)
Фотоэлектрический потенциометрический датчик (патент 118550)
Показать все

Реферат

 

Класс 21е, 26

21д, 29зо

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. А. Иванцов

ФОТОЭД ЕКТР И Ч ЕСК И Й ПОТЕН ЦИ ОМЕТР И Ч ЕСК И Й ДАТ Ч И К

Заявлено 16 ноября 1957 г. за № 586419!26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Известные потенциометрические датчики с полупроводниковым фоточувствительным слоем создают постоянное сопротивление.

В предлагаемом датчике полупроводниковый фоточувствительный слой расположен между слоями сопротивления и проводника. Слои находятся в контакте между собой, что дает возможность изменять сопротивление потенциометра перемещением светового луча.

На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого устройства; на фиг, 2 — схема включения фотопотенциометра, как обычного потенциометра; на фиг. 3 — схема включения фотопотенциометра по мостовой схеме.

На изоляционной основе 1 нанесен слой 2 сопротивления, включенный между за кимами 8 и 4 (фиг. 1). На некотором расстоянии от слоя сопротивления нанесен слой 5 проводника, соединенный с зажимом б.

Промежуток между слоями 2 и 5 заполнен полупроводниковым фоточувствительным слоем 7, меняющим свое сопротивление под воздействием светового луча 8 от источника света, Световой луч 8 от источника света с помощью специального приспособления (не показанного на чертеже) может перемещаться вдоль фоточувствительного слоя, меняя при этом сопротивление между слоем 2 и 5. В результате напряжение на зажиме б по отношению к зажиму 4 (фиг. 2) будет изменяться по тому же закону, что и перемещение светового луча.

На фиг. 2 изображена схема обычного потенциометра, в котором взамен переменного сопротивления включено фотосопротивление (фоточувствительный слой).

На фиг. 3 приводится мостовая схема потенциометра, одним из плеч которого служит переменное фотосопротивление 7.

Предмет иаобретсн IB

1oT03,Ic .!(T1>IILrccI(IIII! 1?Отснцномет1?Нческ!(Й IBT III?(c 110 ) BI00B05(IIII(0Бы i фоточувстВите1ьным с:?оем, о ": л I 1 а ю ?ц и Й с я Tc ;. ".To, с цег?ь?О

IIB IClIPlill5i COIIp0TI4BJIQIIII5I 1-;отен!циометра Переме(цением CHBTÎBOI 0 lh а

7 полмпроводниковыЙ фОточувствительнь(Й слОЙ rrar;eccl! на НЗО !Лционну(0 плиту между контактирую цпмн с ни?(слоем сопротивления, включенным В цепь электрическОГО тока, и с.!Ocr проВодника. и;re1О1цн;! riB Одно .,r конце контактный зажим.

Фиг. 2

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Л. A. Ьлатова Гр. 95, 97

Поди. к печ. 21.111-59 r.

Тира>к 935 Цена 25 коп

Информационно-издательский отдел.

Объем 0.17 п. л. За-«. 1650

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.