Способ измерения градиента напряженности магнитного поля

Способ измерения градиента напряженности магнитного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГРАДИЕНТА НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ, заключающийся в том, что монокристаллическую магнитоодноосную прозрачную пластину освещают источником поляризованного света, воздействуют на нее дополнительно созданным постоянным магнитным полем с неоднородньм градиентом в плоскости пластины и фиксируют смеяцение магнитных доменов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, дополнительное постоянное магнитное поле формируют однородным в плоскости пластины и направленным противоположно градиентному измеряемому полю, изменяют напряженность постоянного однородного магнитного поля и величину градиента напряйсенности магнитного поля определяют как отношение изменения напряженности постоянного однородного магнитного поля к величине вызванного указанным изменением смещения границы между намагниченной (П до насыщения областью пластинЫ и областью с лабиринтной доменной структурой .

COOS СОВЕТСНИХ

COUWI

РЕСПУБЛИК (51) 4

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

flO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 07НРЫТМЙОПИСАНИЕ ИЭОБРЕ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3739350/21-24 (22) 10.05.84 (46) 23.10.85. Бюл. N 39 (72) С.К. Водеников, В.С. Леонтьев и N.Ä. Воробьев (53) 621.317 44(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

9 568915, кл. G 01 R 33/02, 1977.

Авторское свидетельство СССР

У 842652, кл. G 01 R 33/02, 1981. (54) (57) СПОСОБ ИЗ1ЖРЕНИЯ ГРАДИЕНТА

НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ, заключающийся в том, что монокристаллическую магнитоодноосную прозрачную пластину освещают источником поляризованного света, воздействуют на нее дополнительно созданным постоянным магнитным полем с неоднородным

„„SU„„187117 градиентом в плоскости пластины и фиксируют смещение магнитных доменов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, дополнительное постоянное магнитное поле формируют однородным в плоскости пластины и направленным противоположно градиентному измеряемому полю, изменяют напряженность постоянного однородного магнитного поля и величину градиента напряженности магнитного поля определяют как отношение изменения напряженности постоянного однородного магнитного поля к величине вызванного указанным изменением смещения границы между намагниченной до насыщения областью пластинМ и областью с лабиринтной доменной структурой.

1187117

Изобретение относится к магнитной измерительной технике и может быть использовано для измерения градиента напряженности магнитного поля в зазорах электромагнитных устройств и устройств с постоянными магнитами.

Цель изобретения - повышение точности измерения градиента напряженности магнитного поля.

Указанная цель достигается форми- 10 рованием дополнительного однородного постоянного магнитного поля, воздействующего на монокристаллическую магнитоодноосную пластину в направлении, противоположном направлению измеряе- 15 мого градиентного магнитного поля.

На фиг., приведена схема устройства, реализующего предлагаемый способ; на фиг. 2 — зависимости контролируемого градиентного Н, однород- 20 ного постоянного Нд и результирующего Н полей от расстояния в контролируемой зоне и вид картины на магнитоодноосной пластине в проходящем поляривованном свете, поясняющие 25 предлагаемый способ.

Устройство для реализации предложенного способа содержит оптически последовательно соединенные источник

1 поляризованного света, поляризатор З0

2, прозрачную монокристаллическую магнитоодноосную пластину 3, анализатор 4, блок 5 наблюдения, источник б постоянного однородного магнитного поля и источник 7 градиентного поля.

Способ измерения градиента маг" нитного поля осуществляется следующим образом.

Свет от источника 1, проходя через . поляризатор 2,магнитоодноосную плас- 40 тину 3, анализатор 4 и попадая на блок 5 наблюдения, создает контрастную картину участков магнитоодноосной пластины, намагниченных в проти-, воположных направлениях. При наложении постоянного однородного магнитного поля, создаваемого источником

6 на контролируемое градиентное магнитное поле Н, формируемое источником 7, результирующее поле Н ме- 0 няет знак в контролируемой зоне, проходя через нулевое значение в точках Х (Е), лежащих на линии АВ, которая, в случае наличия градиента по оси О, является криволинейной.

В окрестности линии АВ образуется полоса шириной L(Z), в которой результирующее поле меньше по абсолютной величине поля Нн насыщения магнитоодноосной пластины и которая обладает вследствие этого лабиринтарной доменной структурой и окружена с обеих сторон участками пластины, намагниченными до насыщения в противоположные стороны и наблюдаемыми в поляризованном свете как темное и светлое поля.

При изменении постоянного однородного магнитного поля на величину ь Н границы этой полосы переместятся на расстояние ЬХ (Z) ифХ (Z) соответственно и градиенты магнитного поля для фиксированного направления Е=Zä определятся для участков исследуемой зоны, соответствующих указанным перемещениям, как лНц Ь Ни и Ху (Zо) ЬХ2(ЕО) Изменением амплитуды постоянного однородного магнитного поля добиваются перемещения полосы с доменной структурой по всей контролируемой зоне с нужной дискретностью. При этом определять градиент можно по сме-.. щению одной из границ полосы, используя определение градиента по второй границе лишь на том краю зоны, где первая граница выходит из поля зрения.

Таким образом, реализация предлагаемого способа позволяет измерить градиенты магнитного поля на сколь угодно малых участках, так как величина перемещения полосы с доменной структурой может быть сколь угодно малой, а точность измерения постоянного оцнородного магнитного поля не превышает. десятых долей процента.

Кроме того, поскольку перемещение границы полосы осуществляется внешним полем, то отпадает необходимость в перемещении самой пластины, что существенно упрощает способ и повышает его точность.

1187117 нл (!

Составитель А. Гуськов

Техред М.Надь Корректор A-Тяско

Редактор С. Патрушева

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 6546/52 Тираж 747 Подписное

HHHHIK Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5