Датчик числа оборотов подкатушечного узла магнитофона

Датчик числа оборотов подкатушечного узла магнитофона

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ДАТЧИК ЧИСЛА ОБОРОТОВ ПОДКАТУШЕЧНОГО УЗЛА МАГНИТОФОНА , содержащий первую шину питания, связанную с первой клеммой светодиода и через первый делитель напряжения, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента и первого резистора, - с второй шиной питания, транзистор, база кЖорого связана со средней точкой першго делителя напряжения, а также выходЖю щину, причем светодиод оптически связЛ с фотоэлементом через вращающийся модЛятор , отличающийся тем, что, с целью иовыщения точности определения числа Жоротов путем повышения помехозащиЛнности , в него введен второй делитель иапряжения , состоящий из последоватеЛно соединенных второго и третьего резиш-оров , причем вторая клемма светодЛда соединена со средней точкой второго дЖи теля и через второй резистор - с колЖктором транзистора, эмиттер которого соЖинен с первым и третьим резисторами а о коллектор транзистора соединен с выхо.щой ® шиной.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я0„„1187210 (51)4 G 11 В 15/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ / у, Д

/ ого ю оонно ода ииа д ой

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3754365/24-10 (22) 12.06.84 (46) 23.10.85. Бюл. № 39 (72) Л. В. Спирикавичюс и 1О.-Л. С. Сруогюс (53) 681.84.073 (088.8) (56) Заявка Японии № 54-42777, кл. G 01 P 3/44, 1979.

Патент ФРГ № 2824697, кл. G 01 Р 3/36, 1979. (54) (57) ДАТЧИК ЧИСЛА ОБОРОТОВ

ПОДКАТУШЕЧНОГО УЗЛА МАГНИТОФОНА, содержащий первую шину питания, связанную с первой клеммой светодиода и через первый делитель напряжения, состоящий из последовательно соединенных фотоэлемента и первого резистора, — с второй шиной питания, транзистор, база к рого связана со средней точкой пер делителя напряжения, а также выход шину, причем светодиод оптически связ фотоэлементом через вращающийся мод тор, отличающийся тем, что, с целью вышения точности определения числа ротов путем повышения помехозащи ности, в него введен второй делитель пряжения, состоящий из последовате соединенных второго и третьего рези ров, причем вторая клемма светод соединена со средней точкой второго д теля и через второй резистор — с кол тором транзистора, эмиттер которого со нен с первым и третьим резисторам коллектор транзистора соединен с выхо шиной.

1187210

Составитель В. Сергеев

Редактор Л. Зайцева Техред И. Верес Корректор С. Черни

Заказ 6556/56 Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области приборостроения, в частности может использоваться в аппаратах магнитной записи и воспроизведения.

Целью изобретения является повышение точности определения числа оборотов путем повышения помехозащищенности, а также уменьшение энергопотребления и согласование выхода датчика с микросхемами стандартных логических уровней.

На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 — диаграммы выходного сигнала.

Датчик содержит модулятор 1 света, светодиод 2, фотоэлемент 3, первый резистор 4, второй резистор 5, третий резистор 6, транзистор 7, первую и вторую шины питания 8 и 9, выходную шину 10.

Датчик работает следующим образом.

Если в исходном состоянии модулятор света находится в таком положении, что на пути падающего от светодиода 2 света находится неотражающая поверхность, свет не отражается и не попадает на фотоэлемент 3. В результате транзистор 7 закрыт и ток через светодиод 2 определяется величиной резистора 6. При появлении отражающей поверхности модулятора 1 фотоэлемент 3 освещается. Его сопротивление умень1пается и транзистор 7 открывается. Резистор 5 оказывается подключенным параллельно резистору 6, в результате чего ток через светодиод 2 увеличивается. В результате этого увеличивается освещенность фотоэлементов

3 и транзистор 7 переходит в режим насыщения.

При прохождении неотражающей части модулятора 1 через светодиод 2 течет пониженный ток, следовательно, освещенность неотражающей части значительно меньше максимальной, которая имеет место и ри прохождении отражающей поверхности модулятора (импульсы на фиг. 2a).

Поэтому чувствительность, а следовательно, и помехозащищенность датчика к неравномерностям отражения неотражающей поверх1юсти значительно уменьшается, а среднее значение тока через светодиод и суммарный, потребляемый датчиком, имеет минимальное значение. Кроме того, датчик обеспечивает согласование выхода с микросхемами стандартных логических уровней, нап ример ТТЛ. В момент насыщения транзистора 7 выходное напряжение с шины 10 близко к нулю (фиг. 2б). Соответствующий уровень логической единицы обеспечивается выбором напряжения питания.