Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов

Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДПИКОВЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ загазованности воздуха, включающий диффузию в исходный материал чувствительного элемента нримеси, образующей р-Г|-переход, нанесение, омических контактов и локальное стравливание материала у границы p-fi-перехода , отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения чувствительных элементов заданной чувствительности и избирательности , проводят диффузию примеси одновременно не менее чем в два чувствительных элемента до максимальной концентрации с последующими циклами локального стравливания диффузионного слоя до получения концентрации примеси на поверхности каж дого чувствительного элемента, обесI печивающей заданную чувствительность и избирательность к окислителям и (Л восстановителям соответственно.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (51) 4 G 01 N 27/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3549451/24-25 (22) 07.02.83 (46) 15.11.85.Бюл. И - 42 (72) О.А.Галушка и С.Л.Орехов (53) 543.?74(088.8) (56) Киселев B.Ô. и Крылов О.В.

Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 19?9, с.103126.

Патент Японии 11- 30063,кл. 99(5)12, 1969. (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ загазованности воздуха, включающий диффузию в исходный материал чувствительного элемента примеси, обраэующей р -л-переход, нанесение омических контактов и локальное стравливание материала у границы р-Ь-перехода, отличающийся тем, что, с целью повьппения точности получения чувствительных элементов saданной чувствительности и избирательности, проводят диффузию примеси одновременно не менее чем в два чувствительных элемента до максимальной концентрации с последующими циклами локального стравливания диффузйонного слоя до получения копцентрации примеси на поверхности каждого чувствительного элемента, обеспечивающей заданную чувствительность и избирательность к окислителям и восстановителям соответственно.

119180б

1 Р l())»И ко(п,)кт (ТP

1(ог() <Г) 1!» Т Е (. ., <" <3 0()01(l (pi i

О

Изобретение относится к прикладной химии, связано с использованием полупроводниковьгх элементов для решения задач газового контроля и может быть применено в химической промьш|лен- 5 ности для контроля утечек жидких агрессивньгх и токсичных веществ окислительно-восстановительного типа при их производстве хранении и тран1 спортировке, а также при контроле ок-10 ружающей среды.

Целью изобретения является повьг" шение точности получения чувствительных элементов (ЧЭ ) заданной чувствительности и избирательности.

Способ изготовления попупроводниковых ЧЭ включает диффузию в »сходный материал ЧЭ примеси, образу(()(цей

p r)-переход, нанесение омических контактов и локальное страв<ти()а»(ге 0 материала у границы р -()-перехода.

Диффузии(о примеси про(зодят одног)pe IQIIE(o (c менее чем F3 два Ч) до максимальной концентрации с»осл- .ду(()щими ц|(клами локаль((огo стравливания диффуз IQHI(ol слоя до Г(опуче— ния ко.,pili.рации примеси »а поверх—

»Ости какдОГÎ (0 Обсc(IP

ПЯМ COOTLP 1 СТВ СИНО .

Пр(п(есь по глуби(|с д»ффуз»о((1(ого слоя !топупрово<)(3»ка p;ic»pe;le:ieit;!»0 из вест((оглу закону, ее Ko»lic»тр т(.,»я изменяется От максима;lь»ОЙ, 06?<словленной условиями д(и1)фу3»lf Ifë поверхност» по)ту(тро!30д!»1ка, до Ko!I!tv ((òâ ран(Я<и ОсI(oBI(o!1 и(?имес» )3 A<) b(. ме (О:lу

rtpoI30piIH«

ЧЭ к Îкислитепям и восстанов!ï елям.

Чтобы получить заданную ко((де (траци<о примес» на»о<верх»ос Г» ЧЭ, спе- 0 дует обеспечить стравпш)а(ше д(<ффуз|1онного слоя до глубины, где имеется требуемая концентрация пр|(меси.

Требуе (a)(глубина обеспеч|гз||ется временем и скоростью травле»;|я, которая очень чувств»тель»а к изменеВНИШИ Заказ 7151/41

Филиал ППП "Патент", г нию условий травления. Поэтому для выхода на требуемую глубину с соответствующей концентрацией примеси необходим контропьповерхностного сопротивления после стравпива»ия,чтобы вести дальнейшие коррек!!ии по времени и скорости следующего 1(икпа травления.

Таким образом, применение одного или нескольких циклов стравливания диффузио|и|огo слоя с последующим после стравливания контролем по|зерхкост((ого со|<рот»()пения слоя цо по.(уче(п(я требуемой концентрации примеси

JI1 поверхности обеспечи(3ает получение

ЧЭ загазова(шостис запа(шойчувствитепьностью иу)|учшен((ОЙ»збиратепькостью.

П р и и е р. I,ü»(?!if »зготов (е ы ) ()агазова(шости воздуха с испопьзова((ием з-крегн(ия с уде-(1»(ым col

lI0C

C()0 ГJ!HI(i

) Т<) ! I,)(((K;l« ;jto(0 113(К I

» КО» Г Р(?. !Я (l()ii(. . PХ! Io(Г! I() 1 О (: <) IIPOТ»|3

10!1 K О! »IC13 Г р а»1111 !!р». 1(С(< II

ll()cт(! Ч ), про»з!<од» Ill Ji()0<3 pKу lу)|)С ТI3 lf 1 (!Ь»ОСTI (< ) !I:IP(<1» ОК»С:IИТЕ:|Я (ri 30Ti(Ol1 11(:!О i!,l )» 1<ОСCTЛ»ов!1ГепЯ

5. 10 см"-;! i(o(loто((о 1)озрастапа с

Умень(IJQ»f(E . KOJ(licl(T()аЦ»» »Р»мес», 1Ij)» этом со(|ротш).|е(!1((-1Э у)лен(,(((ujtoc». Iу|)стьч(теп:,кость к iiapa. (аммиака Гlоявпяпась при KOIILiåí Tpàö»è

«<

10 см и т акже мс!(о окко возрастала с уг(е((ь(3(ением концентрации и;)имеси, пр» этом сопротив;(ение ЧЭ уве".H÷»üàëoсь.

Тираж 896 Повг)исное .Ужгород, j Проектная,