Способ определения полного заряда и его центра распределения в диэлектриках

Способ определения полного заряда и его центра распределения в диэлектриках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛНОГО ЗАРЯДА И ЕГО ЦЕНТРА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ, основанный на размещении образца между двумя металлическими электродами с плотным прилеганием к одному из них и измерении потенциала Ui его свободной поверху 2 1 ности, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности, перемещают образец до прилегания к противоположному электроду, измеряют потенциал U2 другой его поверхности, а полный заряд о и центр распределения определяют в соответствии с выражениями ; eeo(Ui + U2) . S 1 Ui , S U,+U2 электрическая постоянная вакуума; е и S - относительная диэлектрическая проницаемость и толщина образца соответственно; 7 - глубина проникновения заряда. (Л СО 00 4;: сд fpvf. 1

СОЮЗ СОВКтСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК,.SU„„1191845 A (д) 4 G 01 R 29/24 (21) 3744452/24-21, (22) 24.05.84 (46) 15.11.85. Бюл. № 42 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) Ю. И. Сазонов, А.П. Степанов, Е. Л. Батурин и Л. П. Калинова (53) 621.317.7 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 574684, кл. G 01 R 29/12, 1975.

Электроды. Под ред. Г. Сесслера, М.:

Мир, 1983, с. 64 — 66. (54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛНОГО ЗАРЯДА И ЕГО ЦЕНТРА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ, основанный на размещении образца между двумя металлическими электродами с плотным прилеганием к одному из них и измерении потенциала U< его свободной поверхности, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения точности, перемещают образец до прилегания к противоположному электроду, измеряют потенциал

Uq другой его поверхности, а полный заряд а и центр распределения ф- определяют в соответствии с выражениями л б=

S г Ц, 1-11+ U2 где со — электрическая постоянная вакуума; в и S — относительная диэлектрическая проницаемость и толщина образца соответственно; г — глубина проникновения заряда.

1191845

r а U I + 1- 2

Составитель Л. Морозов

Техред И. Верес Корректор А. Зимокосов

Тираж 747 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, K — 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор М. Келемеш

Заказ 7153 43

И зобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для использования при исследовании электрических параметров диэлектриков.

Целью изобретения является упрощение и повышеййе точности.;

Цазфйг„":-:1 И 2 представлены схемы расоложения исследуемогЬ образца при реалицции предложенн тг способа, где обоз14анен п образец. (диэлектрик) 1; металЛические электр ды 2 jr 3; кривая 4; характерйзуюгцая одно из возможных расЫре етенйй=заряда в диэлектрике; S — толщина диэлектрика; d — зазор между диэлектриком и электродом; р (х) — объемная плотность распределения заряда, х, у— координаты.

Для определения полного заряда и его центра распределения у образца 1, выполненного в виде диска диаметром 5 — 6 см, измеряют посредством микрометра или штангенциркуля толщину S, а затем по таблице определяют диэлектрическую проницаемость в. При измерении потенциалов поверхности диэлектрика образец 1 помещают между электродами 2 и 3 таким образом, что он плотно прилегает к электроду 2 и образует зазор d с электродом 3. В этом положении измеряют потенциал U> свободной поверхности образца 1, обращенной к электроду 3. Затем образец 1 смещают к электроду 3, при этом между электро10 дом 2 и второй стороной образца 1 также образуется зазор d. Измеряют потенциал

14 второй стороны. Далее производят расчет полного заряда о и его центра распределения по глубине r проникновения заряда в соответствии с выражениями