Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов

Иллюстрации

Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов (патент 119253)
Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов (патент 119253)
Показать все

Реферат

 

Л 119253

Класс 21е, 29

21а, 1102

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. И. Фистуль и Р. H. Рубинштейн

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ПРОВОДИМОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 4 июля 1958 г. за К 603414124 в Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Яннис|1 ов СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 8 за 1953 г.

Предлагается спс,"об определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы.

Известные способы подобного .рода не позволяют o,"óùåñòâëÿòü непосредственное измерение поверхностной проводимости полупроводников.

При этих способах величина ее косвенно определяет;"я по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фотопроводимости, либо по измерению контактных потенциалов.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.

На чертеже изображена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу.

Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7 . К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический ток 1 и с помощью эЛектродов 2 измеряется градиент потенциала вдоль образца.

В дальнейшем по известным значениям тока I, градиента потенй <р пиала „ и поперечного сечения S образца в месте замера градиента потенциала по соответствующим формулам определяется величина поверхностной и объемной проводимостей. № 119253

Предмет пзобретсппя

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редалтор Л. А. Блатова Гр. 95, 97

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 п. л. Зак. 4493

Поди. к печ. 27Х1-59 г.

Тираж 950 Цена 25 коп.

1 ипография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14, Способ определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы, о тл и ч а ю шийся тем, что измеряют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7", к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.