Установка для лазерной обработки

Установка для лазерной обработки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1.УСТАНОВКА ДЛЯ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ , содержащая лазер, фиксирующий объектив и полусферический отражающий экран с отверстием для прохода лазерного излучения, отличаю щаяс я тем, что, с целью повышения качества, она снабжена фотодетектором и дополнительным прозрачным полусферическим экраном: установленным внутри.отражающего экрана, причем центр прозрачного экрана равноудален от центров отражающего экрана и фотодетектора. 2.Установка по п.1 ,отличающаяс я тем, что в прозрачном экране выполнено отверстие для прохода лазерного излучения .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (sl)s В 23 К 26/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ „, : :

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3762558/27 (22) 03.07.84 (46) 30.12.92. Бюл. ¹ 48 (72) Ю,В, Лакиза. А.А. Малащенко и А.В.

Мезенов (56) Патент Японии N 56-27532, кл. В 23 К 26/00, 1981., Патент США ¹ 3757078, кл. В 23 К 27/00, 1975. (54)(57) 1.УСТАНОВКА ДЛЯ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ, содержащая лазер, фиксирующий объектив и полусферический. Изобретение относится к оборудованию для лазерной обработки, Целью изобретения является повышение качества обработки, На чертеже изображена схема установки.

Установка содержит лазер 1, фокусирующий объектив 2 и полусферический отражающий экран 3 с отверстием 4 для прохода лазерного излучения 5. Установка снабжена также фотодетектором б и дополнительным прозрачным полусферическим экраном 7, причем центр прозрачного экрана 7 равноудален от центра отражающего экрана 3.и фотодетектора 6. В прозрачном экране 7 может быть выполнено отверстие для прохода лазерного излучения 5.

Установка работает следующим образом.

Обрабатываемую деталь 8 устанавливают так, чтобы центр ее зоны обработки был совмещен с центром экрана 3. Фотодетектор 9 располагают на пути лазерного излу„„. Ж„„1193912 А1 отражающий экран с отверстием для прохода лазерного излучения, о т л и ч а ю щ а яс я тем. что, с целью повышения качества, . она снабжена фотодетектором и дополнительным прозрачным полусферическим экраном, установленным внутри отражающего экрана. причем центр прозрачного экрана равноудален от центров отражающего экрана и фотодетектора.

2Установка по п.1, о тл и ч а ю ща яс я тем. что в прозрачном экране выполнено отверстие для прохода лазерного излучения, чения 5, отраженного пластиной 10. Фотодетектор б располагают на пути излучения

5. отраженного обрабатываемой деталью 8 и экраном 7 так, что центр его входного зрачка был симметричен относительно центра экрана 7 центру экрана 3. Фотодетектор

11 располагают на пути лазерного излучения 5, отраженного деталью 8 в.апертуру о фокусирующего объектива 2 и отклоненного (Д пластиной 10. Q

Часть лазерного излучения 5 пластиной

10 отклоняется на фотодетектор 9, регистрирующий изменение мощности излучения лазера 1. Излучение 5, прошедшее пластину

10, фокусируется объективом 2 верее отвер-,рр стие 4 в экране 3 и прозрачный полусфери- а ческий экран 7 на поверхность обрабатываемой детали 8. Часть. излучения

5, отраженная деталью 8, прошедшая экран

7 и не попавшая в отверстие 4 экрана 3, возвращается на поверхность обрабатываемой детали 8. Часть излучения 5. отраженного деталью 8, направляется экраном 7 на

1193912 фотодетектор 6. Излучение. отраженное через отверстие 4 в апертуру фокусирующего объектива 2 частично отражается пластиной

1D на фотодетектор 11. Сигналы с фотодетекторов 6,9,11 поступают на блок 12 управления, где анализируются, На основе анализа этих сигналов блок 12 управляет лазером 1. Используя сигналы фотодетекторов, определяют мощность излучения, fTo глощенного Pnorn и отраженного нотр . материалом детали 8:

Р6

Ротр =— г

Рпогл = Р9 K9 + Р6 (1 - К)(1 - г).нд,a P9 Ê (1 - г)Р11 К11;

Ро, Ро. Р5 — Р11 К11 г

К = —; К11 — R„—

Р9 P11 r Po где Ро — мощность излучения лазера 1, направляемого на деталь 8 объективом 2:

Pa — мощность излучения, отраженного деталью 8 через отверстие 4 в апертуру фокусирующего объектива 2:

P9 — мощность излучения. падающего на фотодетектор 9;

Рб-.мощность излучения. падающего на фотодетектор 6;

Р11 — мощность излучения, падающего на фотодетектор 11:

5 Р6, Р11 — мощность излучения, падаю1 1 щего на фотодетекторы 6,11 соответственно прй экранировании отражающей поверхности экрана 3;

К - коэффициент отражения поверхно10 сти экрана 3; г — коэффициент отражения поверхности экрана 7.

Коэффициенты К9, К11 определяются при калибровке фотодетекторов 9,11 с использованием вместо исследуемой детали 8 фотоприемника 6 и эталонного зеркала соответственноо.

Установка позволяет определить мощность излучения, направляемого в зону об20 работки, а также поглощаемого и отражаемого материалов обрабатываемой детали 8 при возврате отраженного излуче ния врону обработки экраном 3. Измерение обеспечивает возможность управления т роцессом лазерной обработки. что позволяет повысить качество обработки.