Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке

Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку магнитным полем и поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля , воздействие магнитным полем на доменосодержащую пленку осуществляют путем ее намагничивания до насыщения и приложения в противоположном направлении импульсного магнитного поля, регистрируют локальное значение напряженности импульсного магнитного поля, при котором начинается процесс вращения намагниченности, и по разбросу этих значений в разных участках доменосодержащей пленки судят об однородности ионно-имплантированного слоя.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

yg4 б 11 С1114

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ц

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3756197/24-24 (22) 18.05.84 (46) 15.12.85. Бюл. № 46 (71) Институт общей физики АН СССР (72) Н. Н. Куделькин, П. И. Набокин и В. В. Рандошкин (53) 681.327.66 (088.8) (56). Авторское свидетельство СССР № 675451, кл. G ll С 11/14, 1977.

Арр1. Phys. Lett. 22, № 12, рр. 683 †6. (54) (57) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ В ДОМЕ НОСОДЕРЖАЩЕЙ

ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на,.SUÄÄ 1198569 A доменосодержащую пленку магнитным полем и поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, воздействие магнитным полем на доменосодержащую пленку осуществляют путем ее намагничивания до насыщения и приложения в, противоположном направлении импульсного магнитного поля, регистрируют локальное значение напряженности импульсного магнитного поля, при котором начинается процесс вращения намагниченности, и по разбросу этих значений в разных участках доменосодержащей пленки судят об однородности ионно-имплантированного слоя.

1198569

Составитель Ю. Розенталь

Техред И. Верес Корректор М. Максимишинец

Тираж 583 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор Н. Швыдкая

Заказ 7726/51

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле качества доменосодержащих материалов, применяющихся в запоминающих устройствах.

Целью изобретения является повышение точности контроля однородности ионноимплантированного слоя.

В основу изобретения положен экспериментально обнаруженный факт, что после ионной имплантации пороговое значение 10 напряженности перемагничивающего поля, при котором начинается вращение намагниченности, снижается более чем в 3 раза, в то время как поле коллапса ЦМД изменяется не более чем на 5Я. Это позволяет значительно повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД

Но, а напряженность импульсного поля Нк, при котором начинается процесс вращения намагниченности.

Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.

На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.

Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 — 200 нс после приложения импульсного магнитного поля.

В таблице приведены значения Но и Н. при поле смещения Н =12,5 кА/м для нескольких точек образца, имплантированных с разной дозой.

В качестве образца были использованы ионно-имплантированные пленки ферритграната с диаметром ЦМД 5 мкм.

Но, кА/м 10,5 10,7 10,8 10,9 10,6 10,7 10,6 10,5

Н», кА/м 65,6 48,0 32,8 25,0 26,4 32,8 48,0 65,0

Приведенные результаты показывают, что предложенный способ обеспечивает более высокую чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя вследствие более сильного изменения

Н . Кроме того, в предложенном способе контроля однородности ионно-имплантированного слоя нужно регистрировать не изолированные ЦМД, а области с обратной намагниченностью, имеющие на 1 — 2 порядка большие размеры, чем диаметр изолированного ЦМД, поэтому он применим к материалам с субмикронными ЦМД.