Устройство для преобразования изображения,преимущественно рентгеновского,в видеосигнал

Устройство для преобразования изображения,преимущественно рентгеновского,в видеосигнал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО РЕНТГЕНОВСКОГО, В ВИДЕОСИГНАЛ, содержащее оптическую сканирующую систему для формирования считывающего оптического луча, конденсатор, на одну обкладку которого нанесен полупроводниковый слой, а другая обкладка выполнена прозрачной дпя считывающего оптического луча, резистор для формирования фототока при сканировании , связанный с обкладками конденсатора , систему регистрации фототока , протекающего через резистор, и систему проецирования изображения на полупроводниковый слой, отличающееся тем, что, с целью повьшения качества видеосигнала, оно содержит источник высокого напряжения и коммутатор для попеременного подключения к обкладкам конденсатора тока высокого напряжения при экспонировании полупровод шкового слоя или резистора при сканировании считывающим лучом, при этом промежуток (П между полупроводниковым слоем и прозрачной обкладкой заполнен прозрачным диэлектриком.

СОЮЗ С0ВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (S1)4 G 03 G 17 00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР .ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABT0PCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ВСЕСОНВ .

13, „.,:„.„1В

iIf MH0TCH 4 (21) 3598243/28-12 (22) 24.05.83 (46} 30.12.85. Бюл. N 48

71) Научно-исследовательский институт интроскопии (72) З.И. Вайнберг, Е.А. Гусев и Б.М. Кантер (53) 772.93(088.8) (56) Гренишин С.Г. Электрографические процессы. М.: Наука, 1970, с. 252.. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, 11РЕИМУЩЕСТВЕННО

РЕНТГЕНОВСКОГО, В ВИДЕОСИГНАЛ, содержащее оптическую сканирующую систему для формирования считывающего оптического луча, конденсатор, на одну обкладку которого нанесен полупроводниковый слой, а другая обкладка выполнена прозрачной для считывающего оптического луча, резистор для формирования фототока при сканировании, связанный с обкладками конденсатора, систему регистрации фототока, протекающего через резистор, и систему проецирования изображения на полупроводниковый слой, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повыщения качества видеосигнала, оно содержит источник высокого .напряжения и коммутатор для попеременного подключения к обкладкам конденсатора тока высокого напряжения при экспонировании полупроводникового слоя или резистора при сканировании считывающим лучом, при этом промежуток между полупроводниковым слоем и прозрачной обкладкой заполнен прозрачным диэлектриком.

1201793

Изобретение относится к технической физике и может быть применено в рентгеновской технике при неразрушающем контроле и медицинской диагностике.

Цель изобретения — повышение качества видеосигнала. .На чертеже представлена структурная схема дефектоскопа, в котором испольэованб устройство для преобразования изображения, преимущественно рентгеновского, в видеосигнал.

Устройство состоит из конденсатора 1, на обкладку 2 которого .нане сен полупроводниковый слой 3, а,цругая обкладка 4 выполнена прозрачной для считываннцего оптического луча и электрически связана через параллельно соединенные источник высокого напряжения 5 и резистор 6, включаемый в цепь системы регистрации фототока 7, с коммутатором 8, подключенным к координатночувствительному датчику 9 оптической сканирующей системы 10 (с источником света Il и оптическим развертывающим устройством 12) и к обкладке 2 конденсатора 1, на полупроводниковом слое .3 которой формируется рентгеновское изображение системой 13 проецирования изображения.

На чертеже приведен также электронно-вычислительный комплекс 14 обработки и визуализации видеосигнала.

Рентгеновское изображение, сформированное системой 13 проецирования через обкладку 2 конденсатора 1. взаимодействует с полупроводниковым слоем 3. Под действием рентгеновского излучения полупроводниковый слой изменяет caato проводимость. адекватно распределению интенсивности рентгеновского излучения íà его входе.

В то 1ке время коммутатор 8 подключает напряжение от источника 5 к об20 полупроводниковом слое 3 в месте его

25 взаимодействия с лучом увеличивается

5

15 кладкам 2 и 4 конденсатора 1, в результате чего в конденсаторе 1 вдоль границы диэлектрика 15 и полупроводникового слоя 3 образуется потенциальный рельеф, распределение которого адекватно проводимости полупроводникового слоя З.и, следовательно, распределению интенсивности рентгеновского излучения в входной плоскоскости полупроводникового слоя 3.

Далее коммутатор 8 вместо источника 5 напряжения к обкладкам 2 и 4 конденсатора 1 подключает резистор 6.

Одновременно включается оптическая сканирующая система 10. Световой луч, сформированный источником света 11 и оптическим развертывающим устройством 12 сканирующей системы 10, сканирует через оптически прозрачные обкладку 4 и диэлектрик 15 конденсатора 1 поверхность полупроводникового слоя 3.

Под действием светового луча в проводимость, и, следовательно, увеличнвается ток разряда в цепи резистора 6, образуя на нем сигнал, поступающий через систему регистрации фототока 7 в электронно-вычислительный комплекс 14.

T аким о бр азом, .при ск аниров анин световым лучом поверхности полупроводникового слоя 3 на резисторе 6 образуется последовательность сигналов, соответствующих распределению интенсивности рентгеновского излучения в входной плоскости полупроводникового слоя 3 с пространственными координа. тами, зафиксированными с помощью координатночувствительного датчика

9 сканирующей системы 10 и регистрируемыми электронно-вычислительным комплексом 14.

1201793

1 3 3 15

Составитель В. Аксенов

Texpeq T.ÄóáHí÷àê

Корректор Е. Рошко

Редактор Л. Пчелинская

Подписное филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 8002/47 Тираж 447

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5