Способ изготовления интерференционного узкополосного фильтра

Способ изготовления интерференционного узкополосного фильтра

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) 25 А (51)4 G 02 В 5 28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /::: д/

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО УЗКОПОЛОСНОГО ФИЛЬТРА, включающий нанесение на прозрачную в видимой области спектра подложку путем электронно-лучевого испарения

1 /()

100

В0

ЮО Ч60 Яб ЯО 71,ФУ (21) 3748747/24-10 (22) 04.06.84 (46) 30.01.86. Бкл. Р 4 (72) Ю.В.Каменецкас, П.А.Каменецкене, Г,Б.Пятраускас и Г,Б.Скоробогатас (53) 535.345.67 (088.8) (56) Фурман Ш.А. Тонкослойные оптические покрытия.Л.: Машиностроение, 1977, с. 156 °

Крылова Т.Н ° Интерференционные покрытия ° Л.: Машиностроение, 1973, с. 150. диэле ктрическо го покрытия, состоящего из чередующихся слоев двуокиси титана и двуокиси кремния, выполнен" ного в виде двух зеркал с равным числом слоев четвертьволновой оптической толщины, разделенных слоем, оптическая толщина которого кратна половине рабочей длины волны, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения коэффициента пропускания, интерференционный узкополосный фильтр после нанесения диэлектрического покрытия облучают иона,м аргона или кремния дозой и. г

10 -10 ион/см с энергией, при которой проекционный пробег ионов превышает геометрическую толщину внешнего слоя диэлектрического покрытия .

Составителв П.Яковлев

Техред Т.Тулик Корректор М,Максимишинец

Редактор Л.Веселовская

Заказ 283/56 Тираж 502 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по дел ам из о б р ет ений и от крыт ий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул. Проектная, 4

1 1

Изобретение относится к интерференционным узкополосным фипьтрам, используемым для монохроматизации излучения, Целью изобретения является увеличение коэффйциента пропускания, На чертеже показана зависимость коэффициента пропускания Т ионами пропускания фильтра от длины волны Ai

Кривой 1 обозначена спектрапьная характеристика фильтра до облучения, а кривой 2 - спектральная характеристика после облучения. ионами А с энергией 100 кэВ и дозой 10 ион/см, 13 2

Пример, На очищенную химическим способом прозрачную в видимой части спектра подложку методом элек-. тронно-лучевого испарения наносится интерференционное покрытие. Покрытие состоит их двух зеркал с равным числом слоев четвертьволновой оптической толщины, разделенных слоем, . оптическая толщина которого кратна половине рабочей длины волны, Слои

2085?,5

2 выполнены из. двуокиси титана и двуо киси кремния. После нанесения покрытия фильтр подвергается бомбардировке ионами аргона или кремния

)2 14 2 доз ами 10 -10 ион/см, При этом минимальная энергия ионов подбирается таким образом, чтобы их проекционный пробег превышал геометрическую толщину внешнего слоя, 1п а максимальная энергия. выбирается так, чтобы проекционный пробег ионов не превышал толщину всего покрытия. В частности, при облучении покрытий ионами аргона энергия составляет 35-200 кэВ, а при облучении ионами кремния 0,5-1, 12 МэВ

Увеличение коэффициента пропускания достигается в результате изменения оптических параметров що слоев покрытия под воздействием облучения, в частности за счет изменения толщины переходных слоев между пленками двуокиси титана и двуокиси кремния,