Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин

Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин

Реферат

 

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10^-10с.

3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней. Изобретение относится к электронной технике, к способам очистки поверхностей подложек от загрязнений, в частности к очистке подложек микросхем, фотошаблонов, рентгеношаблонов путем воздействия на их поверхности лазерного излучения. Цель изобретения повышение эффективности очистки. П р и м е р. В соответствии с предлагаемым способом на очищенную пластину, на поверхности которой имеются инородные частицы, направляют под углом к поверхности лазерный пучок, который вводится в камеру через прозрачное окно. На инородных частицах со стороны, на которую попадает излучение, образуются струи пара. Пылинки под действием реактивных сил отдачи удаляются с подложки, подложка очищается. Часть пылинок самых малых размеров испаряется целиком, что также очищает подложку. Используется лазер с модулированной добротностью, с длительностью импульса от доли до единицы наносекунды. Значение длины волны лазера для обеспечения поглощения частицами излучения должно быть сравнимо с размерами инородных частиц или быть меньше. Характерные размеры частиц, от которых очищают подложки в микроэлектронике при финишной очистке (т.е. непосредственно перед напылением пленок) 1.10 мкм, поэтому необходим лазер с длиной волны 0,2.1,1 мкм. Подходящими являются лазеры на неодимовом стекле ( 1,06 мкм) или на натрий-алюминиевом гранате ( 1,064 мкм). Угол падения луча на подложку 0.15^о, сечение луча от 1,0 х 100 до 10,0 х 1000 мм при диаметре подложки 100 мм, мощность излучения в импульсе 10⁹-10¹² Вт при длительности импульса 10^-10.10^-8 с.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10^-10с. 3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000