Токопроводящая паста

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)л Н 01 В 1/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР »»

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3630006/07 (22) 29.07.83 (46) 07.09.92. Бюл. ¹ 33 (72) А.H,ÈBëþøêèí, Л.А.Куликова, А,Б.Покрывайло и В.Л,Устьянцев (53) 621.315(088.8) (56) Патент Англии N 1478102, кл. Н 01 В 1/00, 1977. (54)(57) ТОКОПРОВОДЯЩАЯ ПАСТА, содержащая мелкодисперсные порошки металла, например золота, легкоплавкого стекла на основе окиси свинца, органическое связующее, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества покрытия, она дополИзобретение относится к области электронной техники и может применяться в производстве газоразрядных панелей, представляющих собой подложку из стекла флоат-процесса с расположенными на ней электродами, покрытыми сверху диэлектрическим слоем из легкоплавкого стекла.

Целью изобретения является повышение качества токопроводящего покрытия, уменьшение обрыва в проводниковом покрытии во время термических операций, В табл.1 приведены марки стекол íà основе окиси свинца, которые использовали в качестве легкоплавкого стекла.

B.òàáë.2 приведены марки стекол на основе окиси свинца, которые использовали в качестве легкоплавких кристаллизующихся стекол, Размер частиц легкоплавкого и кристаллиэующегося стекол не должен превышать

30 мкм. Наличие в пасте крупных зерен (более 30 мкм) приводит к образованию не проводящих "мостиков" и, следовательно, к,, SU „1220497А1 нительно содержит мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристаллизующегося стекла на основе окиси свинца при следующем содержании компонентов, мас.ч.:

Мелкодисперсный порошок металла 65-80

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого стекла на основе окиси свинца 1-3

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристаллиэующегося стекла на основе окиси свинца 3 — 7

Органическое связующее 10-30 локальному увеличению сопротивления проводников. Это отрицательно влияет на их долговечность. Кроме того, ухудшается печатающее свойство пасты.

Наименьший размер частиц легкоплавкого кристаллизующегося стекла составляет

0,1 мкм. Уменьшение размера частиц приводит к абразовани а "рыхлой" структуры электродов из-за очень быстрого процесса кристаллизации легкоплавкого кристаллизующегося стекла и частичной кристаллизации легкоплавкого стекла.

В качестве органических связующих для порошков исходных материалов использовали следующие составы:

Состав N 1: ланолин 60

2%-ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле 40%

Состав N.. 2;

3-8%-ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле

1220497

20!

Состав N 3: полибутилметакрилат 3 — 7 Д терпинеол 50 — 80; ланолин 15 250

Пример 1, На подло>кку из стекла 5 флоат-процесса размером 120+133 мм наносят методом трафаретной печати 128 электродов шириной 0,15 ч 0,05 мм с помощью токопроводящей пасты, следующего состава, мас.ч,: 10

Мелкодисперсный порошок золота /6

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого стекла С82-3 размером 15 частиц от 5 до 20 мкм 1

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристаллизу)ощегося стекла СЦП-89 с размером частиц от 0,5 до 10 мкм 3,5

Органическое связу!ощ!ее (5 0-ный раствор этил целлюлозы в терп и неол е) 19 25

Затем проводят сушку пасты инфракрасным излучением при температуре l20 С в течение 10 мин и в>кига!от ее при температуре 590 С в течение 50 мин. После этого методом трафаретной печати наносят слой 30 легкоплавкого стекла на основе окиси свинца и определяют при темперагуре 570 С в течение 50 мин. Обрывов в проводниковам покрытии не обнаружено, П р и M е р 2. На подло>кку из стекла 35 флоат-процесса размером 220" 190 мм наносят методом трафаретной печати 256 электродов шириной 0,15:й 0,05 мм токопроводящей пастой, следу!ощега состава, мас.ч.: 40

Мелкодисперсный порошок золота 70

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого стекла С84 размером частиц 0,2 — 12 мкм 3

Мел кодисперсный порошок легкоплавкого кристалл изующе гася стекла СЦП-89 размером 50 частиц 0,5 — 10 мкм 6

Органическое связу!ощее (8;4-ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле) 21 55

Затем пасту сушат при температуре

120 С в течение 12 мин и вжигают при температуре 570 С в течение 30 мин. После этого формиру!от диэлектрические покры1,5

70 тия из легкоплавкого стекла на основе окиси свинца и проверяют целостность электродов, Обрывов в проводниковом покрытии не обнаружено.

Пример 3. На подложку стекла флоат-процесса наносят 128 электродов из токопроводящей пасты, следующего состава, мдс,ч.;

Мелкодисперсный порошок полуборида никеля 74,5

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого стекла С80-4 размером частиц 7 — 21 мкм

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристаллизующего стекла

СЦН-84 размером частиц 5 — 26 мкм 3,0

Органическое связующее (5 0 полибутилметакрилата, 75 терпинеола и

20% ланолина) 21,0

Затем пасту сушат и вжигают при температуре 550 С в течение 30 мин. После этого формируют диэлектрическое покрытие из легкоплавкого стекла на основе окиси свинца и проверяют целостность электродов. Обрывов в проводниковом покрытии не обнаружено, Пример4,,На подложку из стекла флоат-процесса наносят 128 электродов токопроводящ!ей пасты следующего состава, rviac,÷.:

Мелкодисперсный порошок полуборидв никеля

МелкодисперсHblA порошок легкоплавкого стекла С 90-2 размером частиц 3 — 18 мкм 2

Мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристаллизу!ощегося с:гекла СЦП-82 размером частиц 0,9 — 5 мкм 6

Органическое связующее (60;4 ланолина и

40% 2ß,-Hего раствора э ил целлюлозы в терп<инеоле) 22

Затем были проведены такие же как в примере 3 технологические операции. ОбpblBoB в проводниковом покрытии HG обнаружено, Результаты исследований приведены в табл.3.

1 20497

Таблица 1,2 ,г

Таблица 2 ала. мас.

СеОа » МлС Я .(.5102 t4azO

Зб ) Таблица 3

Вкоп ия

П р и M е ч а и и е: Золото — мелкодисперсный порошок золота; ЛПС вЂ” мелкодисперсный порошок легкоплавкого стекла, содержащего преимущественно окись свинца; СЦП-89 — мелкодисперсный порошок легкоплавкого кристализующегося стекла на основеокиси свинца

Таким образом, предлагаемый состав токопроводящей пасты позволяет повысить качество токопроводящего покрытия под слоем стеклофритты, T,е. уменьшить обрывы в проводниковом слое,