Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур

Реферат

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель выполнен с симметричным входом, который подключен к вторичной обмотке первого трансформатора, первый вывод первичной обмотки которого соединен со средней точкой вторичной обмотки трансформатора, а второй вывод его первичной обмотки соединен с первым выходом режекторного фильтра и через последовательно соединенные катушку индуктивности и первый конденсатор соединен с общей шиной устройства, которая соединена с вторым выходом режекторного фильтра, вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, выход генератора синусоидального напряжения соединен с первичной обмоткой второго трансформатора, первый и второй выводы вторичной обмотки которого соединены с общей шиной устройства соответственно через второй конденсатор и блок подключения измеряемой структуры.