Способ изготовления инверсионных фотопреобразователей

Способ изготовления инверсионных фотопреобразователей

Реферат

 

(19)RU(11)1222152(13)C(51)  МПК ⁶    _H01L31/18Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 27.03.1993 по 26.03.1994

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРСИОННЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является повышение эффективности фотопреобразователя за счет увеличения средней величины встроенного заряда. П р и м е р. На тыльную сторону подложки из кремния КСД-3 с удельным сопротивлением 1-2 Омсм и диффузионной длиной неосновных носителей заряда 100-150 мкм на установке вакуумного напыления наносится алюминиевый контакт. В диффузионной печи в потоке кислорода при температуре 550^оС в течение 10 мин выра-щивается туннельно-тонкий оксидный слой. Затем в вакуумной установке при давлении 10^-5 Торр через маску, соответствующую контактной гребенке с шагом 750 мкм при ширине контактной линии 150 мкм, напыляются поочередно титан, алюминий, никель. После этого рабочая камера откачивается до давления 5 10^-6 Торр, а потом заполняется парами аммиака до давления 2 10^-4 Торр. Производится напыление диэлектрической пленки толщиной 900-1000 при температуре подложки 30^оС. В результате слоевое сопротивление инверсионного фотопреобразователя составляет 3 0,2 кОм/ , а эффективность солнечного элемента увеличивается на 10%.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРСИОННЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключающийся в очистке кремниевой пластины, нанесении тыльного контакта при одновременном выращивании туннельно-тонкого диэлектрика, формировании контактной гребенки и нанесении диэлектрической пленки со встроенным зарядом, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности фотопреобразователя за счет увеличения средней величины встроенного заряда, диэлектрическую пленку создают путем термического напыления моноокиси кремния в атмосфере аммиака при давлении 1 10^-4 - 3 10^-4 Торр, при температуре подложки 0 - 170^oС.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 27.03.1994

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2002

Извещение опубликовано: 27.12.2002