Устройство на магнитостатических волнах

Устройство на магнитостатических волнах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может использоваться в качестве фильтра и линии задержки врадиртехнических и измерительных системах миллиметрового диапазона длин волн. Расширяется рабочий диапазон частот. Устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину . 1, в которой выполнена выборка 6 и на одной стороне - Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка (0) 3 и 4 щелевых линий, на которых расположена ферритовая пленка (ФП) 5, а также металлический экран, состоящий из двух взаимно перпендикулярных прямоугольных пластин (ПП) 7 и 8. СВЧ-сигнал, поступакядий в О 3, возбуждает в ФП 5 стоячие или бегущие магнитостатические волны, которые, в свою очередь, возбуждают СВЧ-сигнал в О 4, который является выходной линией передачи . Если в ФП 5 возбуждают стоячие (бегущие) магнитостатические волны , то устройство является фильтром , (линией задержки). 1 йл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU,, 1223317 (5!) 4 Н 01 Р 1/215, 9/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ц ::

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф -Ч ° (2 1) 3727397/24-09 (22) 09. 01. 84 (46) 07.04. 86. Бюл. !1 13 (7 1) Научно-исследовательский институт механики и физики Саратовского государственного университета (72) А.А. Мостовой, А.А. Игнатьев, А.И. Бахтин и В.С. Стальмахов (53) 621. 372. 852 ° 15 (0888. 8) (56) Патент Англии Ф 1489873, кл. Н 01 W, кл. Н 01 P 5/021, опублик. 26. 10.77.

Collins J.Í., Adam J.D., Owens J.M. ,Nic1owave device applications of

epitaxial ferrimagnetic films. Sodid

state Devices paper. 1972, р. 99 100. (54) УСТРОЙСТВО НА ИАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (57) Изобретение может использоваться в качестве фильтра и линии задержки в радиотехнических и измерительных системах миллиметрового диапазона длин волн. Расширяется рабочий диапа- зон частот. Устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину, 1, в которой выполнена выборка 6 и на одной стороне — Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка (О) 3 и 4 щелевых линий, на которых расположена ферритовая пленка (ФП) 5, а также металлический экран, состоящий из двух взаимно перпендикулярных прямоугольных пластин (ПП) 7 и 8 ° СВЧ-сигнал, поступающий в 0 3, возбуждает в

ФП 5 стоячие или бегущие магнитоста- I тические волны, которые, в свою очередь, возбуждают СВЧ-сигнал в 0 4, который является выходной линией передачи. Если в ФП 5 возбуждают стоя- . чие (бегущиЕ) магнитостатические волны, то устройство является фильтром (линией задержки). 1 ил.

Фо рм ул а и зо бр ет ен ия

Составитель В. Зубков

Техред Л.Олейник Корректор Г.Решетник

Редактор А. Шишкина

Заказ 1721/56 Тираж 597 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент". r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано в качестве фильтра и линии задержки в радиотехнических и измерительных системах миллиметрового диапазона длин волн.

Цель изобретения — расширение рабочего диапазона частот.

На чертеже изображено устройство на магнитостатических волнах.

Предлагаемое устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину 1, на одной стороне которой выполнено Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка 3 и 4 щелевых линий (отрезок 3 является входной, а отрезок

1 — выходной линиями передачи), ферритовую пленку 5, расположенную на отрезках 3 и:4 со стороны Н-образного металлического покрытия 2, и магнитную систему .(не показана; стрелками Н отмечены .направления создаваемого ею магнитного поля). В прямоугольной диэлектрической пластине

1 выполнена выборка 6, расположенная между плоскостями короткого замыкания отрезков 3 и 4 на равном расстоянии от них. В устройство на магнитостатических волнах введен металлический экран, состоящий из двух взаимно перпендикулярных прямоугольных плас/ тин 7 и 8 ° Прямоугольная пластина 7 расположена в выборке 6. Плоскость прямоугольной пластины 8 параллельна плоскости Н-образного металлического покрытия 2, причем расстояние между каждым краем прямоугольной пластины

8 и ближайшей плоскостью короткого замыкания отрезков 3 и 4 не менее где — длина волны в щелевой линии.

Устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.

23317 2

СВЧ-сигнал, поступающий в отре- зок 3, возбуждает в ферритовой пленке 5 стоячие или бегущие магнитостатические волны, который в свою очередь возбуждают СВЧ сигнал в отрезке 4, являющемся выходной линией передачи. Если в ферритовой пленке 5 возбуждаются стоячие магнитостатические волны, то устройство на магнитоl0 статических волнах является фильтром.

Если в ферритовой пленке 5 возбуждаются бегущие магнитостатические волны, то устройство является линией задержки.

Устройство на магнитостатических волнах, содержащее прямоугольную ди20 электрическую пластину, на одной стороне которой выполнено Н-образное металлическое покрытие, образующее два идентичных отрезка щелевых линий, ферритовую пленку, расположенную на

25 отрезках, щелевых линий со стороны

Н-образного металлического покрытия, и магнитную систему, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью расширения рабочего диапазона частот, в щ прямоугольной диэлектрической пластине выполнена выборка, расположенная между плоскостями короткого замыкания отрезков щелевых линий на равном расстоянии от них, и введен металлический экран из двух взаимно перпендикулярных прямоугольныхпластин,первая из которыхрасположена в выборке,а плоскость второй параллельна.. плоскости Н-образного металлического покры40 тия,причем расстояние между каждым краем второй прямоугольной пластины и ближайшей плоскостьюкороткого замыка. ния отрезков щелевых линий не менее Ь, гдето — длина волны в щелевой линии.