Способ изготовления тензорезистивной структуры

Способ изготовления тензорезистивной структуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике, к методам изготовления тензорезистивных структур. Изобретение позволяет упростить технологию изготовления тензорезистивной структуры датчиков контактного сопротивления за счет того, что поверхность селена на подложке смачивают раствором хлорного железа, например, в ацетоне, по отношению к которому слой селена является гидрофильным. Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тон- . кий однородный слой микрокристаплов хлорного железа. Полученную таким образом структуру помещают на поверх ность нагревательного элемента и термообрабатывают при 180-210°С. Контроль готовности тензорезистивной структуры производят непосред .ственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление между металлическими обкладками с помощью омметра при воздействии, образцовой нагрузки. Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры подложку выполняют из диэлектрического материала. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. i (Л С

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (И)

A@4 С 01 В 7/1б

4 А.

"()")»чя (1 4й» !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К.ABTGPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТИЙ (21) 3754690/25-28 (22) 13.06.84 (46) 15.04.86. Бюл. ¹ 14 (71) Харьковский ордена Трудового

Красного Знамени и ордена Дружбы народов государственный университет им. А.1!. Горького (72) В.Г. Брагин (53) 531.78!.2 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1105753; кле G 01 В 7/!8, 1982» (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОЙ СТРУКТУРЫ (57) Изобретение относится к измерительной технике, к методам изготовления тензорезистивных структур.

Изобретение позволяет упростить технологию изготовления тензорезистивной структуры датчиков контактного сопротивления за счет того, что поверхность селена на подложке смачивают раствором хлорного железа, например, в ацетоне, по отношению к которому слой селена является гидрофильным. Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тонкий однородный слой микрокристаллов хлорного железа. Полученную таким . образом структуру помещают на поверхность нагревательного элемента и термообрабатывают при 180-210 С.

Контроль готовности тензорезистивной структуры производят непосред,ственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление между металлическими обкладками с помощью омметра при воздействии образцовой нагрузки. Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры подложку выполняют из диэлектрического материала. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

1224564

Изобретение относится к измеригельной технике, а именно к тензометрическим датчикам, и может быть использовано при изготовлении тензометрических датчиков контактного сопротивления, Цель изобретения - упрощение технологии изготовления тензорезистивной структуры.

На фиг, представлена схема, поясняющая способ изготовления тенэореэистивной структуры; на фиг. 2схема датчика давления.

На фиг. 1 обозначены подложка 1, слой 2 селена гексагональной модификации, слой 3 раствора хлорного железа, а также нагревательный элемент 4.

На фиг. 2 схематически изображены подложка 1, готовая тензочувствительная структура 5 датчика давления, а также металлические обкладки 6 и омметр 7 (Р— измеряемая сила) °

Способ изготовления тенэорезистивной структуры осуществляют следующим образом.

На подложке 1 известным способом получают слой 2 селена гексагональной модификации. Поверхность слоя

2 сслена смачивают раствором хлорного железа (3), например, в ацетоне, по отношению к которому слой 2 селена является гидрофильным.

Ацетон испаряется, и на поверхности селена остается тонкий однородный слой микрокристаллов хлорного железа. Подложку 1 с нанесенным на нее слоем 2 селена гексагональ-. ной модификации и слоем микрокристаллов хлорного железа помещают на поверхность нагревательного элемента 4 и термообрабатывают при

180-210 С.

Контроль готовности тенэорезистивной структуры 5 производят непосредственно в процессе термообработки, замеряя сопротивление меж5 ду металлическими обкладками 6 с помощью омметра 7 при воздействии образцовой нагрузки P.

Для сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры 5 подложку выполняют из диэлектрического материала.

Использование предлагаемого способа изготовления тензорезистивной структуры позволяет значительно упростить технологию и снизить трудоемкость изготовления датчиков контактного сопротивления.

Формула изобретения

1. Способ изготовления тензореэистивной структуры тензометричес» кого датчика контактного сопротивления, включающий нанесение на подложку слоя селена гексагональной модификации и обработку слоя селена в растворе хлорного железа, о т л и30 ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления тензорезистивной структуры, обработку поверхности слоя селена проводят смачиванием раствором хлорного железа и производят термическую обработку при !80-210 С до готовности структуры.

2, Способ по п. 1, о т л и ч а ю »

40 шийся тем, что, с целью сохранения длительной работоспособности тензорезистивной структуры, подлож" ку выполняют из диэлектрического материала.

1224564

Составитель M. Медведев

Редактор А. Огар Техред t Н. Бонкало Корректор Jl. Пилипенко

Заказ 1913/36 Тираж 670 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-поли гр афи че ское нредприя тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4