Микрополосковая согласованная нагрузка
Патент 1224866
Авторы
Классы МПК
Микрополосковая согласованная нагрузка
Иллюстрации
Реферат
Изобретение м.б. использовано при построении интегральных микрополосковых устройств в технике СВЧ. Цель изобретения - повышение рабочей мощности. Устройство содержит диэлектрическую подложку 1 с заземляющим основанием 2 и проводником (П) 3, подключенным к резистивному слою (PC) 4, выполненному в форме полукольца (к его внутренней кромке 5), внешняя кромка 6 которого заземлена. На поверхности PC 4 вьтолнены участки (У) 7 в форме круга или правильного многоугольника, при этом центры У7 расположены на окружностях 8 с центром, совпадакмцим с центром полукольца. СВЧ мощность, поступающая на ПЗ,- рассеивается в PC 4. Наличие У7 обеспечивает локализацию рассеяния СВЧ мощности либо на них (когда удельное сопротивление У7 меньше удельного сопротивления PC 4), либо на участках РС4, окружающих У7, когда У7 выполнены в виде отверстий. Расположение плотности У7 по установленным закономерностям обеспечивает равномерное распределение поглощенной СВЧ мощности по поверхности РС4, в результате чего отсутствуют точки перегрева и возрастает рабочая мощность. Приведены установленные закономерности расположения плотности У7 и дан другой вариант конструкции микрополосковой согласованной нагрузки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. сл ю to 4: 00 О5 G)
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (5Н 4 Н 01 Р 1/26
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
М ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ВЫЬ. iкольца (к его внутренней кромке 5), внешняя кромка 6 которого заземлена.
На РС 4 выполнены участки (У) 7 в форме круга или правильного многоугольника, при этом центры
У7 расположены на окружностях 8 с центром, совпадающим с центром полукольца. СВЧ мощность, поступающая на ПЗ, рассеивается в РС 4. Наличие У7 обеспечивает локализацию рассеяния СВЧ мощности либо на них (когда удельное сопротивление У7 меньше удельного сопротивления PC 4), либо на участках РС4, окружающих У7, когда У7 выполнены в виде отверстий.
Расположение плотности У7 по устаФ новленным закономерностям обеспечи- 19 вает равномерное распределение погло- щенной СВЧ мощности по поверхности
РС4, в результате чего отсутствуют С" точки перегрева и возрастает рабочая мощность. Приведены установлен- Д ные закономерности расположения плотности У7 и дан другой вариант кон"трукции микрополосковой согласованной нагрузки. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. (Я ьР
4 д Q0
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (2i) 3669862/24-09 (22) 29. 11. 83 (46) 15.04.86. Бюл. № 14 (71) Казанский ордена Трудового Красного Знамени и ордена Дружбы народов авиационный институт им. А.Н.Туполева (72) И.К.Саттаров, M.Ô.Тюхтин и О.Ш.Даутов (53) 621.372,85(088.8) (56) Патент США ¹ 3678417, кл. 333-22, 1973.
Авторское свидетельство СССР № 664250, кл. Н 01 P 1/24, 1976. (54) ИИКРОПОЛОСКОВАЯ СОГЛАСОВАННАЯ
НАГРУЗКА (57) Изобретение м.б. использовано при построении интегральных микрополосковых устройств в технике СВЧ.
Цель изобретения — повышение рабочей мощности. Устройство содержит диэлектрическую подложку 1 с заземляющим основанием 2 и проводником (П) 3, подключенным к резистивному слою (РС) 4, выполненному в форме пслу„„SU„„1224866 А
1224866
20 где r г„
3. чаю
Изобретение относится к технике
СВЧ и может быть использовано при построении интегральных микрополосковых устройств.
Цель изобретения — повышение рабочей мощности.
На фиг. 1 показан вариант конструкции микрополосковой согласованной нагрузки; на фиг. 2 — то же, вариант.
Микрополосковая согласованная нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1 на одной стороне которой нанесено заземляющее основание 2, а на другой — проводник 3, подключенный к резистивному слою 4, выполненному в форме полукольца (к его внутренней кромке 5), внешняя кромка 6 которого заземлена. На поверхности резистивного слоя 4 выполнены участки 7 в форме круга или правильного многоугольника, имеющие удельное сопротивление, отличное от удельного сопротивления резистивного слоя, при этом центры участков 7 расположены на окружностях 8 с центром, совпадающим с центром полукольца, Если удельное сопротивление каждого из участков 7 меньше удельного сопротивления реэистивного слоя 4, расстояние f<(r) между центрами участков 7, расположенных на одной окружности 8, определяется из соотношения
„1в, гЯ
У (r) =- — -ьг 2 -12 У ! где r — радиус окружности 8;
r — радиус окружности внешней
E кромки 6 резистивного слоя 4;
s â€,площадь участка 7.
Если участки 7 вьптолнены в виде отверстий, расстояние (г) между центрами участков 7, расположенных на одной окружности 8, определяются из соотношения д я
Х (r)= — — — - гг и где r — радиус окружности внутрен7 ней кромки резистивного слоя.
Микрополосковая согласованная нагрузка работает следующим образом.
СВЧ-мощность, поступающая на проводник 3,;рассеивается в резистивном слое 4. Наличие учавтков 7 обеспечивает локализацию рассеяния СВЧ мощности либо на них (когда удельное сопротивление участков 7 меньше удельного сопротивления резистивного слоя 4), либо на участках резистив25
50 ного слоя 4, окружающих участки 7, когда участки 7 выполнены в виде отверстий. Расположение плотности участков 7 по закономерностям, приведенным выше, обеспечивает равномерное распределение поглощенной СВЧ-мощности по поверхности резистивного слоя 4, в результате чего отсутствуют области перегрева и возрастает рабочая мощность. С точки зрения технологичности целесообразна комбинация расположения на одном резистивном слое 4 участков 7, выполненных в виде отверстий и выполненных с уменьшенным удельным сопротивлением. При этом участки 7, выполненные в виде отверстий, располагаются вблизи кромки 6, а другие участки 7 — вблизи проводника 3. Это позволяет располагать участки 7 не слишком близко один к другому, сохраняя эффект увеличения рабочей мощности.
Фо рмул а и зо бр ет ен ия
1. Микрополосковая согласованная нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесено заземляющее основание, а на другой — резистивный слой, выполненньгй в форме полукольца, внешняя кромка которого заземлена, а к внутренней кромке подключен проводник, отличающаяся тем, что, с целью повышения рабочей мощности, на поверхности резистивного слоя выполнены участки в форме круга или правильного многоугольника, имеющие удельное сопротивление, от" личное от удельного сопротивления реэистивного сгноя, при этом центры участков расположены на окружностях с центром, совпадающим с центром полукольца.
2. Нагрузка по п. 1, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что удельное сопротивление каждого из участков меньше удельного сопротивления резистивного слоя, а расстояние между центрами участков, расположенных на одной окружности, определяется иэ соотношения
4s- r, (r)
1 г2-г
I — радиус окружности; — радиус окружности внешней кромки резистивного слоя; — площадь участка.
Нагрузка по и. 1, о т л и— щ а я с я тем, что участки
1224866
Составитель В.Апыбин
Редактор О.Колесникова Техред И.Попович Корректор М.Пожо
Заказ 1957/51 Тираж 597 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 выполнены в виде отверстий, при этом расстояния между центрами участков, расположенных на одной окружности, определяются из соотношения.Д» r2
Х (r)= — —— г з где r — радиус окружности внутренней г кромки резистивного слоя.