Щелевая линия

Щелевая линия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может использоваться в интегральных пассивных и активных элементах тракта СВЧ-техники. Уменьшаются вносимые потери. Щелевая линия содержит подложку 1, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой (ПС) 2, на котором размещены две полосы 3 и 4 из легированного полупроводника, с размещенными на них двумя металлическими проводниками (МП) 5 и 6. Условия распространения СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потерями осуществляются при толщине t каждой полосы 3 и 4, составляющей t(0,02-0,1)T, где Т - толщина подложки 1, и расстоянии S между ближайшими кромками полос 3 и 4, составляющем S(0,025-0,06), где Я - длина волны. Выбором расстояния A- K/k между каждой из ближайших кромок полос 3 и 4 и кромкой соответственно MII5 и 6 обеспечивается отсутствие эффекта про-1 никновения поля входного СВЧ-сигнала 2 в область, занятую МПЗ и 6, за счет чего уменьшаются вносимые потери. 1 ил. € (Л to 4 оо а

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (511 4 Н 01 P 3/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3780125/24-09 (22) 08.08.84 (46) 15.04.86. Бюл. ¹ 14 (7 1) Пензенский политехнический институт и Институт радиотехники и электроники АН СССР (72) В.И.Борисов, В.А.Коробкин, В.Е.Любченко и Г.С.Макеева (53) 621.372.821(088.8) (56) Meier P.L. Integrated Fin-Line

millimeter components. — IFEE Trans

on NTT, 1974, v. MTT-22, ¹ 12, р. 1209.

Борисов В.И., Брянцева Г.А., Галанин А.Л. и др. Усиление электромагнитных волн в волноводно-щелевой линии на и-GaAs. — Радиотехника и .электроника, 1981, т. 26, № 1, с. 173 (прототип). (54) ЩЕЛЕВАЯ ЛИНИЯ (57) Изобретение может использоваться в интегральных пассивных и активÄÄSUÄÄ 1224867 А ных элементах тракта СВЧ-техники.

Уменьшаются вносимые потери. Щелевая линия содержит подложку 1, на одной стороне которой нанесен полупроводни- ковый слой (ПС) 2, на котором размещены две полосы 3 и 4 из легированного полупроводника, с размещенными на них двумя металлическими проводниками (MII) 5 и 6. Условия распространения

СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потерями осуществляются при толщине каждой полосы 3 и 4, составляющей

t=(0,02-0,1)Т, где Т вЂ” толщина подложки 1, и расстоянии S между ближайшими кромками полос 3 и 4, составляющем S=(0,025-0,06)а, где Я - длина 3 волны. Выбором расстояния d=S/4 между у,у каждой из ближайших кромок полос 3 и 4 и кромкой соответственно МП5 и 6 обеспечивается отсутствие эффекта про- никновения поля входного СВЧ-сигнала в область, занятую МП5 и 6, за счет чего уменьшаются вносимые потери. 1 ил.

1224867 гральных пассивных и активных элементах тракта.

Цель изобретения — уменьшение вносимых потерь.

На чертеже показана конструкция щелевой линии.

Щелевая линия содержит подложку 1, на одной стороне которой нанесен полу- О проводниковый слой 2. На полупроводниковом слое 2 размещены две полосы 3 и 4, выполненные из легированного полупроводника. На полосах 3 и 4 размещены два металлических проводника 5 15 и 6. Проводимость б легированного проводника б Ъ 1 (Ом см), толщина г. каждой полосы 3 и 4 t=(0,020,1)Т, где Т вЂ” толщина подложки 1.

Расстояние S между ближайшими кромками полос 3 и 4 S=(0,025-0,06)Я, где $ — длина волны, а расстояние d между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника, соответственно 5 и 6, выбрано не менее четверти длины волны

30 две полосы, выполненные из легированного полупроводника, а два металли4О ческих проводника размещены на них, при этом проводимость G легированного полупроводника б 1 Ом см

-1 толщина каждой полосы составляет

0,02-0,1 толщины подложки и расстояние между ближайшими кройками полос составляет 0,025-0,06 длины волны, а расстояние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны. авитель В.Алыбин ед И.Попович Корректор N.Ïoæo

Заказ 1957/51 Тираж 597 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано в интеd М./4.

Щелевая линия работает следующим образом.

На металлические проводники 5 и 6 подается напряжение смешения от ис— точника постоянного напряжения (на чертеже не показан). Поскольку проводимость б полос 3 и 4 значительно выше, чем проводимость полупроводникового слоя 2, то подаваемое напряжение смещения оказывается приложенным практически к области полупроводникового слоя 2, заключенной между ближайшими кромками полос 3 и 4, расположенных на расстоянии S.

В этой области полупроводникового слоя 2 создается электрическое поле, превышающее порог отрицательной дифференциальной проводимости и направленное перпендикулярно ближайшим кромкам полос 3 и 4. Входной СВЧ.— сигнал возбуждает электромагнитную волну щелевого типа, распространяюСост

Редактор О.Колесникова Техр щуюся в направлении полос 3 и 4 и имеющую составляющую электрического поля в том же направлении, что и поле напряжения смещения, благодаря чему осуществляется взаимодействие входного СВЧ-сигнала и полупроводникового слоя 2. При оговоренных размерах толщины t полос 3 и 4 и расстоя— ния S между их ближайшими кромками осуществляются условия распространения СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потерями.

Благодаря выбору расстояния d между каждой из ближайших кромок полос 3 и 4 и кромкой металлического проводника, соответственно 5 и 6

d= h/4, обеспечивается отсутствие эффекта проникновения поля входного

СВЧ-сигнала в область, занятую металлическими проводниками 5 и 6, за счет чего и происходит уменьшение вносимых потерь. Как и в прототипе, для дальнейшего уменьшения вносимых потерь можно использовать металлические экраны. При определенных напряжениях смещения возможно усиление входного СВЧ-сигнала.

Формула и за брет ения

Щелевая линия, содержащая подложку, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, на полупроводниковом слое дополнительно размещены