Устройство для манипулирования поверхностными акустическими волнами

Устройство для манипулирования поверхностными акустическими волнами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к устройствам управления характеристиками распространения поверхностных акустических волн. Цель изобретения - расширение диапазона управления вносимым ослаблением волн. На поверхности звукопровода размещают структуру, со- . держащую отражанмдую решетку (металдические полоски, канавки), совмещенную со слоем фотополупроводника. Регулируемое освещение решетки позволяет изменять ее отражакмцие характеристики и тем самым перераспределять энергию поверхностных акустических волн. 3 з.п. ф-лы, 4 ил. (Л С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

13,.

Я4 i )>,i ). °

К ABTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетений и ОткРытий (21) 3395023/40-23 (22) 08.02.82 (46) 15.04.86. Бюп. Н 14 (72) О.П,Обрубов и С.А.Миронов (53) 534.232-8:534.8(088.8) (56) Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты: элементы и устройства на поверхностных акустических волнах. М, Сов.радио, 1980, с. 64, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МАНИПУЛИРОВАНИЯ

ПОВЕРХНОСТНЫМИ АКУСТИЧЕСКИМИ ВОЛНАМИ (57) Изобретение относится к устройствам управления характеристиками (19) (11) (51) 4 Н 03 Н 9/00, G 1О K 11/36 распространения поверхностных акустических волн. Цель изобретения — расширение диапазона управления вносимым ослаблением волн. На поверхности звукопровода размещают структуру, со. держащую отражающую решетку (метал-лические полоски, канавки), совмещенную со слоем фотополупроводника. Регулируемое освещение решетки позволяет изменять ее отражающие характеристики и тем самым перераспределять энергию поверхностных акустических волн. 3 s.ï. ф-лы, 4 ил.! 224973

Изобретение предназначено для использования в акустоэлектронных устройствах различного назначения.

Цель изобретения — расширение диапазона управления вносимым ослаблением поверхностной акустической волны.

На фиг.1 изображена схема устройства для манипулирования поверхностными акустическими волнами (ПАВ), на !О фиг.2-4 — схемы вариантов расположения структур устройства.

Устройство для манипулирования., ПАВ (фиг.1) содержит пластину-звукопровод например из ниобата лития, l5 размещенные на ее рабочей поверхности слой 2 фотополупроводника, например сульфида кадмия, и отражающую ðåшетку 3 в виде токопроводящих, например алюминиевых, полосок и источник N

4 света управляемой интенсивности, подключенный к блоку 5 питания.

Ввод и вывод сигнала осуществляется входным 6 и выходным 7 встречноштыревыми преобразователями ПАВ, Од-нако эти преобразователи не являются необходимыми составными частями устройства. Устройство может быть включено непосредственно в тракт обработки ПАВ, выполненный по интегральной 3О технологии, и являться его составной частью, В этом случае устройство служит для манипуляции с ПАВ, распространяющимися по поверхности пластинызвукопровода 1 и проходящими через структуру с фотополупроводником и отражающей решеткой, возбужденными иными произвольно выполненными источниками ПАВ.

Апертура отражающей решетки ори- !О ентирована в направлении, отличном от направления распространения ПАВ (в направлении, перпендикулярном направлению распространения ПАВ, как изображено на фиг.1, либо под углом к нему, отличном от нуля).

Пластина †звукопров может быть выполнена из материала, не обладающего пьезоэлектрическими свойствами, например из плавленого кварца. Однако в этом случае слой фотополупроводника выполяется из материала с обязательным наличием пьезоэлектрических свойств, например из сульфи— ца кадмия, $g

Слой фотополупроводника и отражающая решетка 3 на поверхности пластины-звукопровода 1 могут быть выполиены в любом из следующих вариантов и последовательности расположения. пластина-звукопровод 1, слой 2 фотополупроводника, отражающая решетка 3 в виде токопроводящих полосок (фиг.1 и 2); пластина-эвукопровод 1, отражающая решетка 3 в виде токопроводящих полосок, слой 2 фотополупроводника (фиг.3); пластина-звукопровод 1, отражающая решетка в виде системы канавок 8 на рабочей поверхности пластины-эвукопровода 1, слой 2 фотополупроводника (фиг.4), Устройство для манипулирования

ПАВ работает следующим образом.

Приходящая на устройство манипулирования ПАВ волна 9, например,от входного преобразователя 6 (фиг.1) претерпевает отражение от составляющей его структуры и поступает на выходной преобразователь 7 в виде волны

10 — задержанной и ослабленной. При отсутствии освещения фотополупроводник представляет собой изолятор, Период отражающей решетки 3 выполнен равным половине длины волны ПАВ на рабочей частоте устройства в структуре в отсутствие освещения или при минимальном освещении, отражающая решетка настроена в резонанс, имеет максимальный коэффициент отражения, в результате чего устройство для манипулирования IIAB характеризует=я максимальным вносимым ослаблением

ПАВ, С увеличением освещенности за счет увеличения проводимости слоя

2 фотополупроводника изменяется скорость распространения ПАВ в структуре, происходит расстройка от резонанса и уменьшение коэффициента отражения решетки 3 и как следствие этого — уменьшение вносимого ослабления.

Выполнение устройства для манипулирования ПАВ в виде структуры совмещенных отражающей решетки 3 и слой 2 фотополупроводника на поверхности пластины-звукопровода 1 позволяет значительно увеличить диапазон управления вносимым ослаблением ПАВ. Величина вносимого ослабления ПАВ определяется акустической добротностью отражающей решетки 3 с учетом диссипативных характеристик фотополупроводникового слоя 2, паасТН -звукопро" вода 1„

В предлагаемом устройстве управление затуханием ПАВ осуществляется за

1224973

1О

Формул а изобретения

Э Л

Фи . 2 ф Г 3

Составитель В ° Вьюрков

Техред Л.Олейник

Редактор Е.Копча

Корректор М.Демчик

:, ...

Заказ 1963/57

Тираж 816

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул, Проектная, 4 счет изменения скорости ПАВ, приводящего к изменению резонансной частоты отражающей решетки высокой добротности. Диссипативные свойства фотополу— проводника и всей структуры отражающей решетки в предлагаемом устройстве ограничивают диапазон управления вносимым затуханием ПАВ и являются нежелательными факторами.

1, Устройство для манипулирования поверхностными акустическими волнами, состоящее иэ пьезоэлектрической плас-15 тины-звукопровода с размещенными на ее рабочей поверхности отражающей решеткой и слоем фотополупроводника, и источника света регулируемой интенсивности, отличающее с я 20 тем, что, с целью расширения диапазона управления вносимым ослаблением поверхностной акустической волны, отражающая решетка размещена на рабочей поверхности пластины-звукопровода в области слоя фотополупроводника.

2. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что отражающая решетка выполнена в виде металлических полосок, размещенных на поверхности слоя фотополупроводника.

3. Устройство по п.I о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что отражающая решетка размещена непосредственно на рабочей поверхности пластины-эвукопровода под слоем фотополупроводника.

4. Устройство по п.1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что отражающая решетка выполнена в виде системы канавок на рабочей поверхности пластины-звукопровода под слоем фотополупроводника,