Способ изготовления фотоупругого тензодатчика

Способ изготовления фотоупругого тензодатчика

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

- (59 4 С 01 В 11/16

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ . КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2i ) 3736413/25-28 (22) 29.04.84 (46) 23.04.86. Бю . У 15 (7.1) Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени институт электросварки им. Е.О.Патона (72) А.Я.Недосека, И.В.Пархоменко, М.В.Кузнецов, Т.М.Швец, З.M.Ìåëüíèченко, С.Н.Аношкина и Л.А.Мурженко (53) 531.781.2(088.8) (56) Материалы VIII Всесоюзной конференции по методу фотоупругости.

Т. II. 1979, с. 140, Труды VII Всесоюзной конференции по поляризационно-оптическому методу исследования напряжений. Т. III.

1971, с. 183.

„„SU„„1226046 А (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОУПРУГОГО ТЕНЗОДАТЧИКА (57) Изобретение относится к исследованию деформаций и напряжений в конструкциях методом оптически чувствительных покрытий. Изобретение позволяет улучшить технические характеристики тензодатчика. Для этого одну сторону отлитой из оптически чувствительного материала пластины перед промыванием матируют. Обезжиривание пластины осуществляют в ультразвуковой ванне при комнатной температуре.

Сушат пластину в потоке обеспыленного воздуха, а отражающий слой наносят на другую сторону пластины в 3 вакууме методом катодного распыления в системе с плоским магнетроном при М Р

35-45 С. С::

1226046

Составитель Б.Евстратов

Техред Н.Бонкало

Корректор М. Самборская

Редактор Е.Папп

Тираж 670

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 2110/28

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к исследо.ванию деформаций и напряжений в кон- струкциях методом оптически чувствительных покрытий.

Цель изобретения — улучшение технических характеристик тензодатчика.

Способ осуществляется следующим образом.

Отливают пластину толщиной 1,52 мм из оптически чувствительного материала (эпоксидной смолы, поли-. уретанового каучука и т.д.), одну сторону пластины матируют, например, с помощью нулевой наждачной бумаги или тонкой пескоструйной обработки, промывают пластину в проточной холодной воде, обезжиривание осуществляют моющим раствором в ультразвуковой ванне при комнатной температу-. ре, сушат пластину в потоке обеспыленного воздуха при температуре не менее 40 С.

Отражающий слой наносят на другую сторону пластины в вакууме методом катодного распыления в системе плоским магнетроном при 35-40 С. Для этого пластину устанавливают в ячейки подложкодержателя установки для магнетронного распыления так, что гладкая сторона пластины обращена к катоду магнетронного распылительного устройства. Вакуумируют внутренний объем распылительного устройства до давления 10 Па. С помощью натекателя газа устанавливают рабочее давление аргона, равное (4-5)х х 10 Па, включают электропитание руспылительного устройства и напыляют отражающий слой. Режим напыления выбирают таким, чтобы в течение времени, необходимого для напыления отражающего слоя толщиной. 0,150,2 мкм, пластина .не нагревалась бы выше 40 С, так как при таком режиме не возникают остаточные напряжения.

Изобретение позволяет значитель10 но улучшить адгезионные свойства отражающего покрытия, благодаря чему расширился рабочий диапазон измеряемых деформаций, и уменьшить благодаря матированию верхней поверхности фотоупругого тензодатчика величину отражаемого светового потока, что уменьшает погрешность измерений.

Формула и з обретения

Способ изготовления фотоупругого тензодатчика, заключающийся в том, что отливают пластину иэ оптически чувствительного материала, промыва25 ют ее, обезжиривают, сушат и наносят на ее поверхность отражающий слой, отличающийся тем, что, с целью улучшения технических характеристик тензодатчика, перед промыванием одну сторону пластины матируют, обезжиривание осуществляют в ультразвуковой ванне при комнатной температуре, сушат пластину в потоке обеспыленного воздуха, а отражающий слой наносят на другую сторону пластины в вакууме методом катодного распыления в системе с плоским магнетроном при 35-40 С.