Поглотитель магнитостатических волн

Поглотитель магнитостатических волн

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронике СВЧ и обеспечивает повышение эффективности поглощения. Между полюсами постояннаго магнита (ПМ) 2 расположен ферритовый элемент, выполненный в виде пластины 1. Зазор между полюсами ПМ 2 ступенчатый.. Магнитостатическа волна, распространяясь в пластине -1, меняет свою длину в зависимости от напряженности постоянного магнитного поля, величина которой определяется величиной зазора между полюсами ПМ 2. Уменьшение длины волны приводит к поглощению волны. При распространении магнитостатической волны в пластине 1 из узкой области зазора между полюсами ПМ 2 в широкую поглощаются прямые объемная и поверхностволны. Обратная поверхностная волна поглощается, при распространении из широкой области зазора в узкую . 1 ил. (Г с 1C to a: ел ел

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<5g 4 ?? 01 p 1>

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1Ц

/ у, ЙЯg ) ну

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2i) 3776586/24-09 (22) 27.07.84 (46) 23.04.86. Вюл. Ф 15 (71) Научно-исследовательский .институт-механики и физики при Саратовском .государственном университете (72) А.А. Игнатьев, А.Н. Лепесткин и В.С. Стальмахов (53) 621.372.855.4 (088.8) (56) Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках. — M. Наука, 1973, с. 417.

TEEE Tr. tlagn. VNAG-1О, р. 783-786. (54) ПОГЛОТИТЕЛЬ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИК

ВОЛН (57) Изобретение относится к электронике СВЧ и обеспечивает повышение эффективности поглощения . Между по.„„SU„„1226559 А люсамн постоянного магнита (ПМ) 2 расположен ферритовый элемент, выполненный в виде пластины 1. Зазор между полюсами ПМ 2 ступенчатый..

Магнитостатическая. волна,. распро- страняясь в пластине 1, меняет свою длину в зависимости от напряженности постоянного магнитного поля, величина которой определяется величиной зазора между полюсами ПМ 2.

Уменьшение длины волны приводит к поглощению волны. При распространении магнитостатическей волны в пластине 1 из узкой области зазора между полюсами ПМ 2 в широкую поглощаются прямые объемная и поверхностная волны. Обратная поверхностная волна поглощается.при распространении из широкой области зазора в узкую. 1 ил.

Ф,ормула изобретения

Поглотитель магнитостатических волн, содержащий. ферритовый элемент, выполненный в виде пластины, заключенной между полюсами постоянного магнита, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения эффективности поглощения, полюса постоянного магнита выполнены со ступенчатым зазором между ними, а пластина расположена одной частью в широком зазоре, а другой — в узлом.

Составитель В. Щеглов

Редактор А. Шандор Техред Л.Олейник Корректор В. Синицкая

Заказ 2143/54 Тираж 597 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная,4

1 1

Изобретение относится к твердотельной электронике СВЧ и может использоваться в СВЧ устройствах на магнитостатических волнах (MCB) для поглощения мощности сигнала.

Целью изобретения является повышение эффективности поглощения .

На чертеже представлен поглотитель МСВ.

Поглотитель МСВ содержит ферритовый элемент, выполненный в виде пластины 1, заключенной между полюсами постоянного магнита 2, которые выполнены со ступенчатым зазором между ними, а пластина 1 расположена частью 3 в широком зазоре, а частью 4 - в узком зазоре постоянного магнита 2.

Поглотитель NCB работает следующим образом.

Магнитостатическая волна, распространяясь в пластине 1, меняет свою длину в зависимости от напряженности постоянного магнитного поля, создаваемого полюсами постоянного магнита 2, которая определяется величиной- зазора. между этими полюсами, причем при уменьшении длины волны ее затухание возрастает, что

226559 2 приводит к поглощению волны. Так, прямая объемная HCB поглощается при распространении в пластине 1 из области узкого зазора в область широ.5 кого зазора между полюсами постоянного магнита 2, прямая поверхностная МСВ также поглощается при рас- . пространении из области узкого зазора в область широкого зазора между полюсами постоянного магнита 2, обратная поверхностная волна поглощается при распространении из области широкого зазора в область узкого зазора между полюсами постоянного магнита 2.