Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь-. зовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП). Целью изобретения является повышение надежности изготойления запоминающих матриц на ЦМП. В соответствии с предложенным способом при изготовлении запоминающих матриц на ЦМП натягивают технологические струны в качестве основы на ткацком станке. Затем путем поднятия ремизок разводят технологические струны, образуя зев, Линия расположения мест поднятия технологических струн располагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струн на заданньй шаг. Поднятие ремизок осуществляют на одинаковую высоту . Путем пропускания челнока с проводом в зев располагают проводник числовой обмотки по линии, параллельной линии расположения мест поднятия технологических струн. В зев помещают ограничительную прокладку. Путем перемещения ремизок разводят техно- . логические струны в противоположное от их нейтрального положения состояние. При этом технологические струны .переводят в обратный зев.Технологические струны опираются на ограничительную прокладку, оставляя проводник в свободном состоянии.При извлечении ограничительной прокладки в сторону свободного конца провода технологические струш 1 сходят с кромки прокладки и, надавливая на провод, осуществляют его формовку. Аналогично осуществляется формовка последующих витков матриц. 3 ил. (О (Л ю 4 й к

СООЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„Я0„„3 24472 3 (594 6 11 С ll 14

f В (Уцд !нее

13,",,„13

ВКБЛКОТЕЫА

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3822698/24-24 (22) 07 . 12, 84 (46) !5.07,86. Бюл. М- 26 (72) В.N. Кузьменко, Н.В, Косинов и М.Г. Лисица (53) 681.327.66(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 474842, кл. G ll С 5/02, 1973.

Авторское свидетельство СССР

Ф 566267, кл, G ll С ll/14, 1975. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНА10ЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ . (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП), Целью изобретения является повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.

В соответствии с предложенным способом при изготовлении запоминающих матриц на ЦМП натягивают технологические струны в качестве основы на ткацком станке. Затем путем поднятия ремизок разводят технологические струны, образуя зев, Линия расположения мест поднятия технологических струн располагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струн на заданный шаг. Поднятие ремизок осуществляют на одинаковую высоту. Путем пропускания челнока с проводом в зев располагают проводник числовой обмотки по линии, параллельной линии расположения мест поднятия технологических струн. В зев помещают ограничительную прокладку. Путем перемещения ремиэок разводят технологические струны в противоположное от их нейтрального положения состояние. При этом технологические струны переводят в обратный зев.Технологические струны опираются на ограннчительную прокладку,. оставляя проводник в свободном состоянии.При извлечении ограничительной прокладки в сторону свободного конца провода технологические струны сходят с кромки прокладки и, надавливая на провод, осуществляют его формовку.

Аналогично осуществляется формовка последующих витков матриц. 3 ил..

1244721

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЩЧП).

Цель изобретения — повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦИП.

На фиг. 1 показана технологическая схема изготовления запоминающих матриц; на фиг, 2 — вид А на фиг, 1, момент поднятия технологических струн на одинаковую высоту и прокладки про.водника в зеве; на фиг. 3. — то же, момент образования обратного зева и, формовки проводника.

Изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим образом, Технологические струны 1 натягивают в качестве основы на ткацком станке. Затем путем поднятия ремиэок

2 разводят технологические струны 1, образуя зев 3. Линия 4 расположения мест поднятия технологических струн располагается под углом к технологическим струнам за-счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струн на заданный шаг. Поднятие ремиэок 2 осуществляют на одинаковую высоту.

Путем пропускания челнока 5 с проводом 6 в эев 3 располагают проводник числовой обмотки 7 по линии, параллельной линии 4 расположения мест . поднятия технологических струн l. В эев помещают ограничительную прокладку 8. Путем перемещения ремиэок 2 разводят технологические струны 1 в противоположное от их нейтрального положения состояние. При этом технологические струны переводят в обратный зев 9. Технологические струны опираются на ограничительную прокладку 8, оставляя проводник в свободном состоянии. При извлечении ограничительной прокладки 8 в сторону сво- бодного конца провода 6 технологические струны сходят с кромки прокладки

8 и, надавливая на провод 6, осуществляют его формовку, Аналогично осуществляется формовка последующих витков матриц.

Таким образом,, разведение техноло- гических струн с возрастающим на по-!

15

50 стоянный шаг расстоянием от опушки сплетенного полотна до места поднятия каждой последующей технологической струны в направлении свободного конца проложенного в зеве проводника при одинаковой высоте поДнятия каждой технологической струны и одинаковом расстоянии от мест укладки на технологические струны проложенного в зеве проводника до мест поднятия соответствующих технологических струн приводит к тому что условия формования . витков провода оказываются одинаковыми, это позволяет осуществлять равномерную формовку проложенного в зев проводника по всей его длине,это обеспечивает стабильные геометрические размеры матриц, постоянный шаг технологических струн, исключает отклонение технологических струн от их нейтрального . положения и локальные напряжения в матрице, формулаизобретения

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических. магнитных пленках, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева путем их разведения, прокладывании в образовавшийся зев проводника числовой обмотки вместе с ограничительной прокладкой под углом к технологическим струнам, последовательном формировании витков числовых обмоток струнами путем образования обратного зева и извлечения ограничительной прокладки, перемещении сформованных витков к числовым обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц, разведение технологических струн осуществляют с возрастающим на постоянный шаг расстоянием от опушки сплетенного полотна до места поднятия каждой последующей технологической

czpyinll в направлении свободного конца, проложенного в зеве проводника, и при одинаковой высоте поднятия каждой технологической струны и одинаковом расстоянии от мест укладки на технологические струны проложенного в зеве проводнйка до мест поднятия соответствующих технологических струн.

1244721 мх z г

Составитель Ю, Розенталь

Техред И.Попович Корректор Е. Сирохмаи

Редактор И. Касарда

Заказ 3924/55 Тираж 543

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4