Самовозбуждающийся транзисторный инвертор

Самовозбуждающийся транзисторный инвертор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках питания. Цель изобретения - повышение КПД и улучшение формы выходного напряжения. В случае открытого транзистора (Т) 1 и закрытого Т 2, может быть, что несимметрия схемы приведет к тому, что напряжение на обмотке 6 в предыдущий полупериод больше, чем в настоящий . При этом возрастет разность напряжений на конденсаторе (К) 18 и резисторе В и станет больше своего номинального уро.вня. При этом напряжение между базой и эмиттером Т 14 достигнет значения его отпирания раньше. Это приведет к уменьшению длительности импульса. Таким образом в обоих плечах устройства происходит сравнение амплитуд положительного и отрицательного импульсов и выравнивание за счет регулирования их длительностей. Введение вре- 1 язадающих К 10 и К 11, резисторов (Р) 12., 13, Т 14 и Т 15, диодов о (Л J. to liti li 00

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН цП 4 Н 02 M 7/538

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3494225/24-07 (22) 28.09.82 (46) 15.07.86. Бюл. Ф 26 (71) Рязанский радиотехнический институт (72) А.П. Мишачев и А.В. Романов (53) 621.314.57 (088.8) (56) Ромаш Э.М. Источники вторичного электропитания радиоэлектрон, ной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1981, с. 147, рис. 8-9 "г".

Авторское свидетельство СССР Ф 634438, кл. Н 02 М ?/537, 1977. (54) САМОВОЗБУЩЦАЮЩИЙСЯ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках питания. Цель изобретения — повышение КПД и улучшение формы выходного напряжения.

„„80„„1244773 А1

В случае открытого транзистора (Т) 1 и закрытого Т 2, может быть, что несимметрия схемы приведет к тому, что напряжение на обмотке 6 в предыдупдй полупериод больше, чем в настоящий. При этом возрастет раз= ность напряжений на конденсаторе (К)

18 и резисторе 8 и станет больше своего номинального уровня. При этом напряжение между базой и эмитте— ром Т 14 достигнет значения его отпирания раньше. Это приведет к уменьшению длительности импульса. Таким образом в обоих плечах устройства происходит сравнение амплитуд положительного и отрицательного импульсов и выравнивание за счет регулирования их длительностей. Введение вреЕ мязадающих К 10 и К 11, резисторов (P) 12, 13, Т 14 и Т 15, диодов

12447 73

16, 17, К 18, К 19 создают цепь, задающую время перезаряца К 10 (К 11),, постоянная времени которой определяется величинами емкости указанных . конденсаторов и сопротивлением Р 12

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в системах вторичного электропитания.

Целью изобретения является поны.) шение КПД и улучшение формы выходного напряжения.

На чертеже представлена принципиальная схема самонозбуждающегося транзисторного инвертора, выполнен- 1ð с ного в полумостовом варианте.

Устройство содержит силовые транзисторы 1,2, трансформатор 3, конденсаторы 4,5 емкостного делителя, обмотки 6,7 положительной обратной связи, базовые резисторы 8,9, введенные дополнительные нремязадающие конденсаторы 10,11, дополнительные резисторы 12, 13, дополнительные транзисторы 14, 15, диоды 16, 17.и о конденсаторы 18, 19.

Силовые транзисторы 1,2 связаны с трансформатором 3. Конденсаторы

4,5 емкостного делителя включены 25 последовательно и соединены с выводами питающего напряжения. Средняя точка конденсаторов 4„5 подключена к первичной обмотке трансформатора

3. Цепь, состоящая из последователь- а но соединенных обмотки 6 (7) и резистора 8 (9), включена между базой и эмиттером транзистора 1 (2)„ Дополнительный конденсатор 10 (11) и резистор 12 (13) соединены между собой последовательно и параллельно обмотке б (7). Коллектор транзистора

14 (15) подключен к базе транзистора 1 (2), эмиттер через конденсатор 18 (19) — к эмиттеру и через 40 диод 16 (17), включенный в обратном направлении коллекторного перехода транзистора 14 (15) — к базе транзистора 1 (2), база — к общей точке (P 13) и выбирается такой, чтобы опрокицывание схемы происходило раньше, чем наступало насыщение ныходного трансформатора. Это обеспечивает повышение КПД устройства. 1 ил. резистора 12 (13) и конденсатора 10 (11) .

Устройство работает следующим образом.Как и любой двухтактный автогенератор с трансформаторной обратной снязью, схема имеет два состояния кназиустойчивого равновесия, когда один из силовых транзисторов, например 1, открыт, а другой 2 заперт.

Конденсаторы 10, 11, стоящие в базовой цепи закрытого силового транзистора 2, заряжаются напряжением на обмотке 7 соответственно через базовый резистор 9 и диод 17 через дополнительный резистор 13.

БЛагодаря действию сигнала положительной обратной связи схема находится н таком состоянии некоторое нремя. Напряжение между базой и эмиттером транзистора 14 определяется следующим выражением:

U q (U„8,цз) + U„о e,U + цо где Ц вЂ” напряжение на конденсаторе 18, U,1 — напряжение на резисторе 8, U. — напряжение на конденсаторе 10 °

Конденсатор 18 "запомнил" напряжение на обмотке 6 в предыдущий полупериод работы схемы. Напряжение на резисторе 8 (цр) равно напряжению на обмотке б минус падение напряжения йа эмиттерном переходе насыщенного транзистора 1. Конденсатор 10„ заряженный до напряжения на обмотке б (на верхней обкладке минус)., ерезаряжается через резистор 12. При этом каксе — то время напряжение ц отрицательно (запирающей полярности).

По мере перезаряда конденсатор 10

Щ в какой-то момент меняет поляр1244773

Формула изобретения

Составитель А. Селезнев

Техред М.Ходанич Корректор Г. Решетник

Редактор Н. Швыдкая

Заказ 3926/57 Тираж 631 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,4 ность и достигает напряжения отпирания транзистора 14. При отпирании транзистора 14 коллекторный ток его резко возрастает, вызывая соответствующее уменьшение тока базы силового 5 транзистора 1, что в конечном счете приводит к выходу последнего из состояния насыщения в режим усиления, когда напряжение на нем возрастает, а ток коллектора становится пропорционален току его базы. С выходом транзистора 1 из насыщенного состояния,наступает регенеративный процесс, в результате которого транзистор

2 открывается, а транзистор 1 попа- 15 дает в область отсечки. Схема переходит во второе состояние равновесия.

Допустим, в исходном состоянии схемы, когда транзистор 1 открыт, а транзистор 2 заперт, несимметрия 2О схемы привела к тому, что напряжение на обмотке 6 в предыдущий полупериод больше, чем в настоящий. Тогда возрастает разность напряжений 6 Б на конденсаторе 18 и резисторе 8 и становится больше своего номинального уровня (dU ном ) . При этом напряжение между базой и эмиттером транзистора, 14 достигает значения напряжения его отпирания раньше, чем при д U= Бйнцм.

Это приводит к уменьшению длительности импульса. Если, же и U <4 U ном, то длительность импульса увеличивается, а амплитуда уменьшается. Таким образом, в обоих плечах преобразователя происходит сравнение амплитуд положительного и отрицательного импульсов и выравнивание за счет регулирования их длительностей.

Цепь перезаряда конденсатора 10 (11) является цепью, задающей время нахождения схемы в состоянии квазиустойчивого равновесия. Постоянная времени этой цепи в основном определяется величинами емкости конденса-; тора 10 (11) и сопротивления резистора 12 (13) и выбирается такой,чтобы опрокидывание схемы происходило раньше, чем наступало насыщение выходного трансформатора 3.

Самовозбуждающийся транзисторный инвертор, содержащий силовые транзисторы, трансформатор,с обмотками положительной обратной связи, подключенными через базовые резисторы к управляющим переходам силовых транзисторов, каждый из которых шунтирован цепочкой из последовательно включенных дополнительного транзистора и. конденсатора, причем конденсатор непосредственно подключен к эмиттеру силового транзистора, дополнительный транзистор между выводами эмиттера и коллектора шунтирован в обратном направлении диодом, а база дополнительного транзистора подключена через дополнительный резистор к первому выводу обмотки положительной обратной связи, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и улучшения формы выходного напряжения, в него введены дополнительные конденсаторы, каждый из которых включен между базой соответствующего дополнительного транзистора и вторым выводом обмотки положительной обратной связи, базовые резисторы включены между эмиттером соответствующего силового транзистора и вторым выводом обмотки положительной обратной связи, а дополнительные транзисторы имеют одинаковый тип проводимости с силовыми транзисторами, причем коллекторы дополнительных транзисторов подключены к базам соответствующих силовых транзисторов.