Формирователь импульсов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к вычислительной и импульсной технике, может использоваться при создании полупроводниковых устройств на транзисторах с изолированным затвором, например, в схемах постоянных запоминающих устройств . Целью изобретения является повьшение быстродействия устройства . и уменьшение потребляемой мощности. Устройство вьтолнено на I1 полевых транзисторах (ПТ) и. 3 конденсаторах. К особенностям его работы относится повышение потенциала на истоке ПТ 14 до уровня, превышающего потенциал шины 9 источника питания. Это обеспечивает крутой фронт потенциала заряда нагрузочной емкости, подключенной к выходу формирователя. Конденсатор 15 обратной связи повьшает потенциал стока ПТ 14, закрьшая его и предотвращая разряд через него конденсатора 16. Использование ПТ 7, В и 18 уменьшает время срабать шания формирователя и снижает его потребляемую мощность на предельных частотах за счет сокращения времени протекания тока от источника питания через ПТ 6 и I8. 1 ил. а (Л If.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН (19) (1I) (5l) 4 Н 03 К 5/01
4
1
Ф:
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСНОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ и
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
llO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3728354/24-21 (22) 19.04.84 (46) 15.07.86, Бюл. № 26 (72) А.О.Романов, С.А.Очерет и В.Г.Хайновский (53) 621.374.38(088.8) (56) Патент С1ЦА №- 3564290, кл. H 03 К 5/01 1976.
Патент С1ЦА ¹ 3769528, кл. Н 03 К 5/Ol 1978. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к вычислительной и импульсной технике, может использоваться при создании полупроводниковых устройств на транзисторах с изолированным затвором, например, в схемах постоянных запоминающих устройств. Целью изобретения является .повышение быстродействия устройства .
I и уменьшение потребляемой мощности.
Устройство выполнено на Il полевых транзисторах (ПТ) и. 3 конденсаторах.
К особенностям его работы относится повышение потенциала на истоке ПТ 14 до уровня, превышающего потенциал шины 9 источника питания. Это обеспечивает крутой фронт потенциала заряда нагрузочной емкости, подключенной к выходу формирователя. Конденсатор
15 обратной связи повышает потенциал стока ПТ 14, закрывая его и предотвращая разряд через него конденсатора 16. Использование ПТ 7, 8 и 18 уменьшает время срабатывания формирователя и снижает его потребляемую мощность на предельных частотах за счет сокращения времени протекания тока от источника питания через ПТ 6 и 18. 1 ил.
1244787
Изобретение относится к вычислительной и импульсной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых устройств на транзисторах с изолированным затвором, например, в схемах постоянных запоминающих устройств.
Цель изобретения — повьппение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности.
FIa чертеже представлена электрическая принципиальная схема формирователя импульсов.
Формирователь импульсов содержит четыре пары транзисторов, выполнен- 15 ные на первом и втором, третьем и четвертом, пятом и шестом, седьмом и восьмом транзисторах 1 и 2, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8, стоки первого, третьего, пятого и седьмого транзисторов
1,3,5,7 соединены с истоком соответственно второго четвертого, шестого и восьмого транзисторов соответст— вующей пары транзистора, стоки которых соединены с шиной 9 источника питания, общая шина 10 которого подключена к истокам первого, третьего и пятого транзисторов 1,3,5, затворы которых соединены с входной шиной 11 формирователя импульсов, сток первого транзистора подключен к затвору четвертого транзистора 4 и к первой обкладке первого конденсатора 12, вторая обкладка которого подключена к затвору второго транзистора 2 и к истоку девятого транзистора 13, сток и затвор которого подключены к шине 9 источника питания, которая подключена к затвору десятого транзистора 14, сток кото- 40 рого подключен к стоку третьего транзистора 3 и первой обкладке второго конденсатора 15, исток десятого транзистора 14 подключен к первой обкладке третьего конденсатора д5
l6 и затвору шестого транзистора 6, исток которого является выходной шиной 17 формирователя импульсов и подключен к вторым обкладкам второго и третьего конденсаторов 15 и 16 и к стоку одиннадцатого транзистора
18, исток которого соединен с. общей шиной 10 источника питания, а затвор к стоку седьмого транзистора 7.
Исток седьмого транзистора 7 соецинен с общей шиной 10 источника питания, а затвор подключен к истоку десятого транзистора 14, затвор восьмого транзистора 8 подключен к затвору первого транзистора 1.
Формирователь импульсов работает следующим образом.
В начальный момент времени входной сигнал с входной шины 11 имеет высокий уровень потенциала. При этом открываются транзисторы 1,3,5, 8 разряжается конденсатор 12 и конденсаторы 15 и 16 через открытый транзистор 14 (на затворе его высокий потенциал с шины 9 источника пи. тания) высокий потенциал с шины 9 источника питания через открытый транзистор 8 поступает на затвор транзистора 18 и открывает егб, обеспечивая на выходе формирователя импульсов низкий потенциал.
При понижении потенциала на входной шине 11 транзисторы 1,3,5,8 закрываются, конденсатор 12 заряжается до потенциала источника питания, напряжение на его первой обкладке открывает транзистор 4, через который заряжаются второй и третий конденсаторы !5 и 16, открывая транзистор 6, но потенциал на выходе 17 формирователя импульсов не меняется, так как на затворе транзистора 18 задерживается высокий уровень через транзистор 8. При достижении напряжения на истоке транзистора 14 и затворе транзистора 7 значения порога открывания транзистора 7 он открывается, закрывая транзистор 18. При этом эа счет емкости 16 обратной связи происходит также повышение потенциала на истоке транзистора 14 до значений, больших уровня потенциала шины
9 источника питания, что обеспечивает крутой фронт заряда нагрузочной емкости, подключенной к выходу формирователя импульсов ° Конденсатор 15 обратной связи повьппает потенциал стока транзистора 14, закрывая его и предотвращая разряд через него конденсатора 16 °
Таким образом, использование транэисторсв 7 и 8,18 позволяет обеспечить уменьшение времени срабатывания формирователя импульсов по сравнению с прототипом и уменьшить потребляемую мошность на предельных частотах за счет сокращения времени протекания тока от источника питания через транзисторы 6 и 18.
1244787
Формула изобретения
Составитель В.Чижиков
Техред Н.Бонкало
Корректор Л.Патай
Редактор М.Товтин
Заказ 3927/58
Тираж 816
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Формирователь импульсов, содержащий четыре пары транзисторов, состоящих иэ первого и второго, третьего и четвертого, пятого и шестого, седьмого и восьмого транзисторов, стоки первого, третьего, пятого и седьмого транзисторов соединены с истоками соответственно второго, четвертого, 1О шестого и восьмого транзисторов, стоки которых соединены с шиной источника питания, общая шина которого подключена к истокам первого, третьего и пятого транзисторов, затворы соединены с входной шиной формирователя импульсов, сток первого транзистора подключен к затвору четвертого транзистора и к первой обкладке первого конденсатора, вторая обкладка которо- гц го подключена к затвору второго транзистора и к истоку девятого транзистора, сток и затвор которого подключены к шине источника питания, которая подключена к затвору десятого транзистора, сток которого подключен к стоку третьего транзистора и к первой обкладке второго конденсатора, исток десятого транзистора подключен к первой обкладке третьего конденсатора и затвору шестого транзистора, исток которого является выходной шиной формирователя импульсов и подключен к вторым обкладкам второго и третьего конденсаторов и к стоку одиннадцатого транзистора, исток которого соединен с общей шиной источника питания, а затвор — к стоку седьмого транзистора, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью -повышения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности, исток седьмого транзистора соединен с общей шиной источника питания, а затвор подключен к истоку десятого транзистора, затвор восьмого транзистора подключен к затвору первого транзистора.