Устройство для лазерной обработки

Устройство для лазерной обработки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 (И) ((1 В 23 К 26/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ц (46) 30.12.92 Бюл. 11 48

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3769614/27 (22) 06.07.84 (72) С. В. Аносов, Р. В. Лакиэа, A. A. Малащенко и A. В. Мезенов (56) Шаталов IA. П. и др. Азотный ОКГ в технологии изготовления ультразвуковых линий задержки для анализаторов спектра. Техника средств связи. Серия Радиоизмерительная техника, вып. 2, с. 97.

Авторское свидетельство СССР

У 1189010, кл. В 23 К 28/00, 1982. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛАЗЕРНОЙ

ОБРАБОТКИ, содержащее лазер, фокусирующий объектив с защитным экраном из прозрачного материала и эллиптический отражатель, один из фокусов которого совмещен с фокусом фокусирующего объектива, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повьппения качества, защитный экран фокусирующего объектива выполнен в виде полусферы с центром, совмещенным с фокусом объектива, и герметично закреплен на объективе.

1244857

Составитель В. Мельников

Техред В.Кадар Корректор В.Бутяга

Редактор Н. Гаврилина

Заказ 571 Тираж

ВИИИПИ Государственного комитета СССР по .делам изобретений и открытий

Il3035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Подписное

Произллдственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к оборудованию для лазерной обработки;

На,чертеже изображена схема устройства.

Устройство содержит лазер I, фокусирующнй объектив 2 с защитным экраном 3 из прозрачного материала, и эллиптический отражатель 4, один из фокусов которого совмещен с фокусом .15 фокусирующего объектива 2. Защнтный экран 3 фокусирующего объектива 2 выполнен в виде полусферы с центром, совмещенным с фокусом 5 объектива 2, и герметично закреплен на объективе 2.

Устройство работает следующим образом.

Работу устройства рассматривают на примере обработки звукопроводов устройств на поверхностных акустических волнах с целью создания в них микроразрушений. Излучение лазера I (ЛТИПЧ-6) с длительностью импульсов

l0 ис, длиной волны излучения

1,06 мкм и максимальной импульсной мощностью 0,5 МВт фокусируют микрообъективом 2 (ахромат 40х0,65). s .пятно нагрева диаметром 5 мкм, чем обеспечивают достижение максимальной плотности мощности s пятне (с учетом потерь излучения в фокусирующей оптике) " 10 Вт/см1, что превышает пороговое значение оптического пробоя воздуха прн атмосферном давлении. Разрежение внутри защит ного экрана 3 исключает возможность оптического пробоя и образование плазмы вблизи микрообъектива 2 . Излучение, расходящееся из зоны фокуса эллиптическим отражателем 4, перефокусируется в зону фокуса эллиптического отражателя 4, где установлена обрабатываемая деталь 6. Деталь,6 представляет собой эвукопровод из пьезоэлектрического «ристалла ниобата лития, внутри которого получаI5 ют микрораэрушения структуры. Перемещая деталь 6 относительно F поауй чают микроразрушения a заданной области объема звукопровода. Диаметр пятна излучения d в области F coc10 тавляет 2,0 диаметра пятна излучения

d, в области Р,. Для d 10 мкм, что обеспечивает получение максимального .значения плотности мощности з зоне обработки до 10 Вт/см, достаточного для обработки прозрачных материалов..

Таким образом, устройство nossîëÿет производить обработку материалов при большем значении плотности мощности сфокусированного излучения, 30 большем угле сходимости излучения и

° меньших размерах пятна излучения в е зоне обработки, что повышает качест,. во обработки.