Стекло
Иллюстрации
Реферат
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (И) А1 (51) 4 С 03 С 3/145
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
5,0-35,0
15 0-30,0
5,0-15,0
1,0-55,0
1,0-55,0
0,1-15,0
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетений и ОтнРьппФ (21) 3864192/29-33 (22) 27.02.85 (46) 30;07.86. Бюл. № 28 (71) Московский институт электронной твхники (72) В.З.Петрова, P.Ô.Øóòîâà, Т.М.Морозова, P.Е.Андронова, H.Ä.Колдашов, l0.Ï.Òðèçíà, Л.И.Панов, С.Н.Булацкая и В.Д.Лемза (53) 666.112.93(088.8) (56) Патент США №- 4044173, кл. 427/101, 1977.
Авторское свидетельство СССР № 920014, кл. С 03 С 3/14, 1982. (54) (57) СТЕКЛО, включающее МоО
В О, Al О и ZnO, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью уменьшения коэффициента нагрузки и шумов резисторов на его основе за счет повьппения кристаллизационной способности стекла в процессе вжигания, стекло дополнительно содеркит CdO и In 0> при следующем соотношении компонентов, мас.Ж: мю, В20з
Al O
ZnO
Сао
2 3 1 247360
Таблица 1
Содержание компонентов, мас.XL
Стекло
В>0> А1 Оз CdO ZnO In> О> p
20,0
1 350
2 9,0
3 5,0
4 25,0
15,0
30 0
25,0
Изобретение относится к составам стекол .с высоким содержанием Мо03, кристаллизующимся при термаобработке, которые используются в производ- стве изделий радиотехнической и электронной промышленности в качестве функционального стекловидного материала, в пастах для толстопленочных резисторов, не содержащих драгоценные металлы. Проводящая фаза в таких резисторах представляет собой соединения молибдена, вводимые в состав пасты, либо формируемые при взаимодействии стекла с агентом-восстановителем (например, бором) в процессе вжигания резистора.
Цель изобретения - уменьшение коэффицента нагрузки и шумов резисторов на его основе за счет повышения криеталлизационной способности стекла в процессе вжигания.
В качестве сырья использовались химические реактивы марки х.ч., ч. и ч.д.а. В О> вводился через борную кислоту (Н ВО ), остальные ингредиенты вводились через оксиды соответствующих элементов.
В табл. 1 приведены конкретные составы предлагаемых стекол.
Каждая смесь (шихта) сплавлялась отдельно в корундизовых тиглях емкостью 100 мл в силитовых печах при 1450- 10 С. Расплав выдерживается при максимальной температуре 30 мин.
Свойства полученных стекол приведены в табл; 2.
На основе полученных стекол и стекла-прототипа были сформированы
5 толстопленочные резисторы. С этой целью стекла измельчались в халцедоновых барабанах до удельной поверхности не менее 6000 см /r смешивали с порошком аморфного бора (ТУ 6-08-347-77) в соотношении стекла к бору по массе 99:1. К сухому составляющему добавляли органическое связующее (67.-ный раствор этилцеллюлозы в терпинеоле, ТУ 18-16-33 1-79) до требуемой вязкости, пасту перемешивали в агатовой ступке .до однородности состава. Из полученных паст методом шелкографии на керамических подложках с Ag разводкой получали резистивные элементы, которые вжигались: для стекол предлагаемого о состава при 800 С, для прототипа— о при 640 С, Полученные резисторы были подвергнуты испытаниям с» целью определения их ТКС, коэффициентов нагрузки, шумов и влагоустойчивости .
Результаты испытаний приведены в табл. 3.
Из табл. 3 следует, что стекла
ЗО предлагаемого состава при сохранении высокой влагоустойчивости и низких
ТКС обеспечивают меньшие значения коэффициентов нагрузки (Кд (1,3 ) и шумов (Е с 3,0 мкВ/В) резисторов в сравнении с прототипом (К„ = 5,47 и Е = 3,5 мкВ/В).
15,0 1,0 28,9 О, 1
5 0 55 0 1,0 15 0
5 0 1 0 55 0 4,0
10,0 20,0 15,0 5,0
1247360
Таблица 2
Стекло
3,36
549
750
3,94
540
760
3,66
547
780
3,50
546
755
Таблица 3
ТКС 10 К
Стекло
25-155 С (-60)- 25 С
+(8O-12О) + (11-1 70) 0,45 +О, 67 +1,0
1 800
20 10 +(130-200) +(210-260) 2,0 +0,85 +0,2
2 800
70 "0 -(180 250) -(230 350) 3эО +0 63 +Оъ1
+-(75-150) 0,7 +1,30 +0,5
15 10 т(40-85) 2 10 -(55-110) -(67-150) 3,5 +5,40 +0,5
Составитель Г. Буровцева
Редактор Н. Киштулинец Техред Э.Чижмар Корректор A. Тяско
Заказ 4074/23
Тираж 457
Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 3 800
4 800
Прототип 640
ТКЛР.10 К (50-400 С) Плотность, r /.ñìý
Температура кристаллизации (по ДТА), OC
Ев Кн мкВ/В Ж