Шихта для получения керамического материала

Шихта для получения керамического материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

. СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

{gg,4 С 04 B 35/10

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1 3rr,юсь ъ@EЯ

)3, ВКвЛИОМЫа

0,2-2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3851137/29-33 (22) 25.12.84 (46) 30.07.86. Бюп. 11 28 (71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно †технологическ институт электрокерамики (72) М.В.Глазачева, Е.Я.Медведовский, Ф.Я.Харитонов, А.E.Âîëîõîâ и Г.Ф.Добрынин (53) 666.763.5(088.8) (56) Балкевич В.Л. Техническая керамика. M. Стройиздат, 1984, с. 163.

Авторское свидетельство СССР

N - 1076419, кл. С 04 В 35/10, 1982. (54) (57) ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА, включающая глинозем, глину, углекислый барий и каль„„SU„„1247370 А 1 цийборсодержащий компонент, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью снижения тангенса угла .диэлектрических-потерь и температурного коэффициента линейного расширения в интервале температур 20-100 С, она в качестве кальцийборсодержащего компонента содержит датолитовый концентрат и дополнительно оксид из группы:

CoO, NiO, ZnO, CdO, Sr0 при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Глинозем 58-66

Глина 23,8-28

Углекислый барий 2-4

Датолитовый концентрат 6-10

Оксид из группы:

CoOÄ NiO, Zn0, CdO, Sr0

12473

Изобретение относится к производству изделий с повышенными диэлектрическими и механическими свойствами„ которые используют в условиях резких перепадов температур, например армированных изоляторов в электровакуумных приборах.

Цель изобретения - снижение тангенса угла диэлектрических потерь и температурного коэффициента линейного 10 расширения в интервале температур

20-100 С.

Приготовление материала осуществляют по обычной керамической технологии . Помол - и смешение компо не нт ов 15 проводят мокрым способом в шаровой мельнице, размер частиц после помола 1-3 мкм, Затеи шликер подвергают фильтр-прессованию, массу проминают и вакуумируют. 20

Изделия можно оформлять всеми известными способами (протяжкой, прессованием, горячим литьем) . После оформ1

70 2 ления изделия сушат и обжигают при

1370-1450 С.

Датолитовый концентрат, получаемый обогащением датолитовых руд, представляет собой борокальциевый силикат Са,, В (БiО ) (ОН) . Использование датолитового концентрата способствует улучшению свойств керамического материала за счет снижения потерь

В О в обжиге, а также за счет иного протекания процессов растворенияосаждения и перекристаллизации при его обжиге и спекании по сравнению с известными материалами, поскольку при обжиге предлагаемого материала значительное количество жидкой фазы появляется при плавлении датолита (или продуктов его частичного разложения, например, бората и тетрабората кальция), в которой растворяются другие компоненты.

Составы шихт приведены в табл. 1, свойства материала — в табл ° 2.

1247370

1

СЧ 1 л о

I

I м л

) Сч

1 I I

СЧ л о

3Г л

1 - I

СЛ л

О О

К> СЧ

СО 1 1

1 1

Щ л

Ю, б

К) Сч

СЧ

I 1

00 л О Сс) О СЧ

СЧ л о

1 1 л л и О СЧ и

Ю о

I I о

Е 1

Ф 1

Ж I о л

Х 1

01 1 О

+(0 1,Г, СЧ 1

I 1 а а л л

СЧ СГ\ О СЧ

СЧ л о

00 л

С ) I 1

1 I а л л сч О

Cl СЧ вЂ”

C( о о а л л л

СЧ МЪ О СЧ

1 1 л c4 ) 1 1

СЧ

Ю о

СО л

С 1

1 сч I

00 00

lh CV

1

1 ь

1 I (ч»

00 00

Л СИ

1 сч

1 1

СО 00 а СЧ ббб С6 о р, g 34 о о а.о

М о

М о о

l4 л oå с.б

3 л ббб

С1

I

1

СЧ

1! о !

) Л

1 1

1 1 !

00!

СО л сч .о О СЧ Г) л

0 а Pl c

СЧ л О О СЧ

СО л

Ф . СЧ Oi О сЧ

I 1 1 1

1 I 1 1

1 I 1

1

1 I б й

Ц и 1

И I

Ю 1

1247370 б

Таблица2

Состав

Показатель

L (t ((L

5 4 4

4 4

5 3

ТКЛР " 10

1/1 С

20-100 С

4,4 4,4 4,4 4,5 4,7 4,6

4,3 4,3

Продолжение табл.2

Показатель

ТКЛР < 10

1/1 С

20-100 С

Составитель. P. Малькова

Редактор Н.Киштулинец Техред И.Попович Корректор М.Самборская а

Заказ 4075/24 Тираж 640 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Тангенс. угла диэлектрических потерь

tg8x10 при

f=1 МГц и с=20 С

Тангенс угла диэлектричес-;ких потерь tg5õ10"ïðè

f=1 МГц и t=20 С

9 10 1 1 12 13 14 15

46 46 45 45 46 46 46