Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия

Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

C0UHAËÈÑÒÈ×ЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (1) 4 С 03 С 3/145

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

И АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3766562/29-33 (22) 06.07.84. (46) 07,08,86. Бюл. 1Ф 29 (71) Научно-исследовательский институт Производственного объединения

"Таллинский электротехнический завод им. N. И. Калинина" (72) В. Д. Халилев, Л. Д. Мазо и Е. H. Авраменко (53) 666.112.92(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 658097, кл, С 03 С 3/14, 1977.

Авторское свидетельство СССР

N- 681009, кл. С 03 С 3/14, 1978. (54) (57) стккло для зАщиты полупРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ АРСЕНИ ДА ГАЛЛИЯ, включающее В 03, Епо, Cd0, PbF> z A1F3 отличающ е е с я тем, что, с целью повышения удельного поверхностного сопротивления и смачиваемости, оно дополнительно содержит BiF, при следующем соотношении компонентов, мас.7:

В 203 24,3-33,1

Zn0 14,3-22,3

Cd0 25,7-32,1

PbF 6,1-12,2

A1F> 4,1- 6,3

BiF 5,0-14,5

Компоненты стекла

Содержание компонентов, мас.Е, в составе

l L

22,3 14,3

32,! 25,7

24,3 33,1

20,3

ZnO

CdO

30,1

27,8

ВО

A1F

PbF

BiF

4,1

4,1

6,3

12,2

5,5

5 0

Таблица 2

Состав стекла

Свойства с

1 2

336

338

340

Температура оплавления, С

408

410

410

КЛТР 10, 1/ С

79,2

78,0

77,2

Изобретение относится к полупроводниковой технике, к составам стекол для защиты силовых полупроводниковых приборов, в частности, на арсениде галлия.

Цель изобретения — повышение удель ного поверхностного сопротивления и смачиваемости.

Составы стекол приведены в табл. 1.

Для приготовления шихты используют следующие реактивы: ZnO, CdO, Н RO

А1УЗ, РЬГ2 и В1РЗ Варку стекол проводят в корундовых тиглях нри 1000о

1050 С в течение 20-25 мин. Готовое стекло вырабатывают на металлическую плиту, затем его растирают и из полученного порошка приготавливают суспензию на тетраэтоксисилане, которую заливают в V-образные канавки на мезаструктурах арсенида галлия. Затем проводят оплавление в течение 20—

30 мин при 580-570 С и инерциальное охлаждение. После оплавления стекло ровным тонким слоем покрывает поверхность V-образных канавок.

Оптимапьиое количество вводимого в состав стекла фторида висмута нахоТемпература деформации

ОС

8971 2 дится в пределах 14,5-5,0 мас ° 7, так как при вве eHHH BiF в количестве, меньшем 5,0 мас.Е, не наблюдается хорошего растекания стекла по поверхности GaAs, а введение BiF в количестве„ большем 14,5 мас.7, приводит к кристаллизации защитной пленки стекла и ухудшению его диэлектрических характеристик.

10 Свойства стекол приведены в табл, 2.

В табл, 3 представлены значения обратных напряжений арсенидгаллиевых

15 диодных мезаструктур до и после защиты предлагаемым составом стекла. Из табл. 3 видно, что значения напряжения после защиты не уменьшают своей величины. го (Таким образом, предлагаемое стекло обладает высоким удельным поверхностным сопротивлением и смачиваемостью, что делает возможным применение еro в качестве тонкослойной диэлектрической защиты диодных арсенидгаллиевых мезаструктур.

Таблица

1248971

Продолжение таблицы

Состав стекла

Г Т

Свойства стекла

2 3

Удельное объемное сопротивление р, Ом см

20 С

5,21 . 10 5,65 ° 10 5,1 ° 10

2,3 ° 10 1,1 10" 2,2 10

300 С

Удельное поверхностное сопротивление f, Ом см

20 ОС

3,0 1О 5,1 10 3,5 10

5 1 10 2 О !О 7 О 10

200 С

Краевой угол смачивания, град

12,5

8,5 е

Таблица 3

Обратные напряжения арсенидгаллиевых диодных мезаструктур

Состав Образец стекла пластины

До защиты

1.2

2.1

2.2

3.1

3.2

Составитель Г, Каменских

Редактор Н. Яцола Техред Г.Гербер Корректор А. Зимокосов

Тираж 457 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-. 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4192/22

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

30-50

60-75

50-70

50-80

70-90

60-80

40-55

60-80

50-80

50-85

75-100

60-80