Устройство для защиты полупроводниковых триодов

Устройство для защиты полупроводниковых триодов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 21а, 18» № 124970

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. Д. Урин и А. П. Супоницкий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЪ|

ПОЛУПРОВОДН ИКОВЪ|Х ТРИОДОВ

Заявлено 25 мая 1959 г. за Хо 628904/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Ж 24 за 1959 г.

Предмет изобретения

Устройство для защиты полупроводниковых триодов, включенных по схеме с общим эмиттером, с применением полупроводниковых диодов. о тл и ч а ю щ е е: я тем, что, с целью ограничения максимального тока в цели эмиттер — газа, последовательно включены источник управляюДля предохранения полупроводниковых триодов от перегрузок при больших уровнях сигнала применяют схемы с использованием полупроводниковых диодов.

Предлагаемая схема (см. чертеж) позволяет при сравнении двух напряжений, превышающих в 100 и более раз допустимое напряжение на базе, защитить триод в случае исчезновения одного из двух сравниваемых напряжений. От известных предлагаемая схема отличается способом включения полупроводниковых диодов В, и В, и наличием балластного сопротивления R„ .

Диод Ва обеспечивает защиту триода, когда опорное напряжение U< намного прево ходит управляющее напряжение Uz. В этом случае одновременно заперты диод В, и триод. Для того, чтобы напряжение на переходе эмиттер — база не превысило опасной величины, обратное сопротивление диода должно быть значительно больше обратного сопротивления эмиттерного перехода. Диод В, защищает триод при значительном превышении напряжения Uq над напряжением Г,. Прп этох: диод В, заперт,. а ток в цепи базы ограничивается балластным сопротивлением 9,, величина которого выбирает=я достаточно большой. В режиме, когда оба диода Bi и В, отперты, ток базы практически определяется разностью напряжений U> и Ug и не зависит от R„, если Bh .полнено условие R„»R„

¹ 124970

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Н. С. Кутафина Гр. 87

Подп. к печ. 21.Х11-59 г.

Тираж 480 Цена 25 коп.

i!4). ôîðмационно-издательский отдел.

Обьем О.!7 и. л. Зак. 10718

Типография Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва Петровка, 14. цего напряжения, диод и балластное сопротивление, на которое через второй диод подключен источник опорного напряжения, с которым сравнивается управляющее, полярность которого и диодов соответствует направлению тока в балластном сопротивлении от базы к эмиттеру.