Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении двухслойных запоминающи .х матриц на блоках. Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовления запоминающей матрицы. Для этого перед прошивкой биаксов размещают биаксы в прямоугольных отверстиях, образованных установкой крышек с П-образными фиксирующими элементами, на двух противоположных сторонах изоляционных обойм прямоугольной формы с отверстиями в боковых стенках, соосных отверстиям биаксов, фиксируют биаксы в обоймах поджимом П-образпых фиксирующих элементов, прошивают биаксы, а после прощивки удаляют с обойм крьиики с П-образными фиксирующими элементами . 4 ил. to сд

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<5ц 4 G 11 С 5/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3748431/24-24 (22) 05.06.84 (46) 15.08.86. Бюл. ¹ 30 (72) А. П. Олейник, А. А. Яблонский, В. П. Сверлов и В. Н. Толочек (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 987677, кл. G 11 С 5/12, 1981.

Авторское свидетельство СССР № 540295, кл. G 11 С 5/02, 1974. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ НА БИАКСАХ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении двухслойных заÄÄSUÄÄ 1251171 А1 поминающих матриц на блоках. Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовления запоминающей матрицы. Для этого перед прошивкой биаксов размещают биаксы в прямоугольных отверстиях, образованных установкой крышек с П-образными фиксирующими элементами, на двух противоположных сторонах изоляционных обойм прямоугольной формы с отверстиями в боковых стенках, соосных отверстиям биаксов, фиксируют биаксы в обоймах поджимом П-образных фиксирующих элементов, прошивают биаксы, а после прошивки удаляют с обойм крышки с П-образными фиксирующими элементами. 4 ил.

1251171

10

Формула изобретения

Изобретение Огноситсн к вычислительной

1Е?.H IKC II MO?KCÒ ОЫТЬ HCH01ÜÇOÂßHO IIPH ИЗI Оговленпи двухслойных запоминающих матриц на биаксах.

).!ег!ь изобретения — — снижение трудоемколи изготовления запоминающей матрицы.

Иа фнг. показаны изоляционная обойма с размен!енными на верхней грани биаксами н размещение на нижней грани биаксоН, предварительно сориентированных отверсl пями считывания вдоль сквозных пазов изоляционных обойм; на фиг. 2 — изоляционIlIIE обоймы и их расположение после прОи!ивки биаксов проводами cHèòûâàíèÿ; на фиг. 3 — изоляционные обоймы после свивки концов каждого провода записи верхнего слоя запоминаю!цей матрицы; на фиг. 4 - запоминающая матрица на биак 3x и готовом виде.

Изготовление запоминающей матрицы

Hа инают с установки Hа изоляциîHíûå обоймы 1 крышек 2. На крышке 2 предварительIlo закрепляют выполненныи из упругого материала П-образный (швеллерообразный) фиксирующий элемент 3, одна половина которого закреплена неподвижно, а другая

Огогг!ута в средней части швеллерообразного элемента 3 и приподнята над крышкой 2. При нажатии эта половина элемента 3 прижимается к крышке 2, II после снятия усилия нажатия занимает прежнее положение. В боковых стенках изоляционных обойм 1 имеются отверстия 4, а на противоположных гранях изоляционных обойм ! выполнены параллельно их боковым стенкам сквозные прямоугольные пазы 5. При установке «а изоляционные обоймы 1 крышек 2 образуются прямоугольные пазы 6, открытые со стороны приподнятой над крышкой 2 половины швеллерообразного упругого фиксирующего элемента 3 и полузакрытые с противоположной стороны полкой жестко закрепленной другой половины того же швеллерообразного элемента 3. Сориентированные в вибролотке 7 биаксы 8

Отверстиями 9 считывания надеваются на возвратно-поступательный шток )0 и направляются в прямоугольные пазы 6 до Нх полного заполнения биаксами 8, образующими строки 11 считывания из соосно расположенных отверстий 9 считывания и строки

12 записи из соосно располож "HHb!x отверстий 13 записи (фиг. 1).

Размещение в изоляционных обоймах 1 биаксы 8 поджимают для обеспечения их неподвижности полкой подвижной половины швеллерообразного элемента 3 и прошивают проводами 14 записи с пропусканием их через отверстия 4 в торцах изоляционных обойм 1 (фиг. 2). После этого биаксы прошивают проводами 15 считывания в одном направлении, а затем в обратном направлении с получением перекрещиваний и!ин 15 считывания между изоляционными обоймами 1 (фиг. 3).

Г1роц!итые проводами 14 записи и проводами 15 считывания изоляционные обоймы

1 с крышками 2 и швеллерообразными элементами 3 располагают в одной плоскости, снимают с верхних граней изоляционных обойм кры!нки 2 со швеллерообразными элементами 3, укладыват провода 14 записи поверх прошитых ими биаксов 8 и свивают концы 16 каждого из этих проводов (фиг. 4).

Затем все изоляционные обоймы 1 переворачивают на 180, снимают остальные крышки 2 со швеллерообразными элементами 3, укладывают провода 14 записи поверх прошитых ими биаксов 8 и свивают концы

16 каждого из остальных проводов 14 записи.

Способ изготовления запоминающей матрицы на биаксах, включающий прошивк> биаксов проводами считывания, укладку проводов записи поверх прошитых ими биаксов, свивку концов каждого провода записи, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления запоминающей матрицы, перед прошивкой биаксов проводами считывания размещают биаксы в прямоугольных отверстиях образованных установкой крышек с П-образными фиксирующими элементами, на двух противоположных сторонах изоляционных обойм прямоугольной формы с отверстиями в боковых стенках, соосных отверстиям биаксов, фиксируют биаксы в обоймах поджимом П-образных фиксирующих элементов, прошивают биаксы проводами записи, а после прошивки биаксоВ проводами считывания удаляют с обойм крышки с Гl-образными фиксирующими элементами.

l 2;) l l i l

1251171

Редактор А. Огар

Заказ 44 I8! 50

Состави гслн .д, Дерюгин

Тсхред И. Бсрсс Корректор М. Максимишинеп ираж 54:1 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР и» делам изобретений и открытий

113035, Москва, jK- 35. Рау.нская !a6., и 4, 5 с1>или а.> ППП «II атснт :, г. Ужг»рг>д, ул П рос к> ная, 4.