Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Материал для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Реферат

 

(57) ТЕКСТ РЕФЕРАТА ОТСУТСТВУЕТ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве керамических полупроводниковых материалов для изготовления терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ПТКС) позисторов. Целью изобретения является расширение диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330^оС. Использование изобретения позволяет получить материал с сегнетоэлектрическими свойствами при низких значениях удельного сопротивления в области положительного температурного коэффициента сопротивления в интервале 295-330^оС. П р и м е р. При получении материала для изготовления терморезисторов с положительным коэффициентом сопротивления смешивают оксид висмута (III), оксид ванадия (V) и оксид титана (IV) при соотношении 85,0:12,76:2,24 (мас. ). Затем проводят синтез при 600-900^оС в течение 2-10 ч в результате чего образуется соединение состава Bi_21/6V_5/6Ti_1/6O_52/3. Синтезированную шихту измельчают до дисперсности 5-7 мкм на шаровых мельницах из агата с шарами из того же материала. Контроль дисперсности проводят на оптическом микроскопе. На прессе 602 КЗФ прессуют образцы в виде таблеток диаметром 15 мм и толщиной 3 мм. Проводят отжиг таблеток при 820^оС в течение 1,5 ч. Полученные образцы шлифуют до толщины 1 мм и формируют на них электроды. Измеряют температурную область ПТКС и величины ПТКС в этой области (см. таблицу). В интервале 295-330^оС образцы имеют ПТКС + 3,8% град и удельное сопротивление 3,2 10² 1,26 10³ Ом м. При 20^оС удельное сопротивление образцов 10⁸ Ом м.

Формула изобретения

МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий синтезированную смесь оксидов висмута (III) и ванадия (V), отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона удельных сопротивлений в низкоомной области в интервале температур 295-330^oС, он дополнительно содержит оксид титана (IV) и отвечает общей химической формуле синтезированного ванадата-титаната висмута Bi_21/6 V_5/6 Ti_1/6 O_52/3.

РИСУНКИ

Рисунок 1