Способ записи скрытого электростатического изображения на униполярных фотопроводниковых слоях носителей с диэлектрическим покрытием

Способ записи скрытого электростатического изображения на униполярных фотопроводниковых слоях носителей с диэлектрическим покрытием

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к записи скрытого электростатического изображения на униполярных фотопроводниковых слоях носителей с диэлектри ческим покрытием и позволяет повысить качество скрытого изображения за счет увеличения потенциального контраста. Электрофотографический носитель (ЭН) с селеновым слоем тол- , тиной 40 мкм и с ижектирующим дырки подслоем кристаллического селена покрыт диэлектрической пленкой толщиной 15 мкм. На этот ЭН осаждают положнтельньй заряд коронирующим зарядным устройством. ЭН.экспонируют при освещенности 15 лк, производят дозаряжение поверхности ЭН тем же электризатором. Полярность напряжения на злектризаторе изменяют на противоположную и осуществляют равномерную разрядку ЭН. На электризатор подают напряжение порядка 4 - 4,5 кВ, и неэкспонированные участки ЭН разряжаются до нуля. «Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЩ(АЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) (5)) 4 G 03 G 13/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3830670/28-12 (22) 25. 12. 84 (46) 30.08,86. Бюл. Я 32 (72) С.А.Кононенко, В.А Макарычев и И.-Д.Б.Сидаравичюс (53) 772.93(088.8) (56) Патент Японии 49-27048,,кл. G 03 С 13/00, 1974. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА УНИПОЛЯРНЫХ ФОТОПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЯХ НО-

СИТЕЛЕЙ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ (57} Изобретение относится к записи скрытого электростатического изображения на униполярных фотопроводниковых слоях носителей с диэлектрн» ческим покрытием и позволяет повысить качество скрытого изображения

sa счет увеличения потенциального контраста. Электрофотографический носитель (ЭH) с селеновым слоем тол-. щиной 40 мкм и с ижектирующим дырки подслоем кристаллического селена покрыт диэлектрической пленкой толщиной l5 мкм. На этот ЭН осаждают положительный заряд коронирующим saрядным устройством. ЭН .экспонируют при освещенности 15 лк, производят дозаряжение поверхности ЭН тем же электризатором. Полярность напряжения на электризаторе изменяют на противоположную н осуществляют равномерную разрядку ЭН. На электриза- ° тор подают напряжение порядка 4

4,5 кВ, и неэкспонированные участки

ЭН разряжаются до нуля.

1254418

15

25

Составитель В.Аксенов

Редактор Л.Пчелинская Техред М.Ходанич КорректорА.Обручар

Заказ 4716/49 Тираж 436 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР цо делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãîðoä, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к копировальной технике.

Цель изобретения — повышение качества скрытого изображения путем .увеличения потенциального кон раста.

П р и и е р. Для записи скрытого электростатического изображения используют электрофотографический носитель (ЭН), в котором селеновый слой толщиной 40 мкм с инжектирующим дырки подслоем кристаллического селена покрыт диэлектрической плен- кой толщиной 15 мкм. На указанный

ЭН осаждают положительный заряд коронирующим зарядным устройством, на которое подают напряжение 6 кВ, движущееся со скоростью 8 см/с. относительно заряжаемого ЭН. Далее ЭН экспонируют при освещенности 15 лк в течение 1 с негативным тестом, затем

° производят дозаряжение поверхности

ЭН тем же электризатором. Затем полярность напряжения на электризаторе

I изменяют на противоположную и осу ществляют равномерную разрядку ЭН.

Неэкспонированные участки ЭН разряжаются до нуля, когда на электризатор подают напряжение порядка 4-4,5 кВ.

Проявление сформированного изображе- ния методом магнитной кисти отрицаI тельно заряженными частицами обеспечивает бесфоновое проявление как в темноте, так и на свету штрихового позитива с оптической плотностью знаков более 1,5 с пределом читаемости до 80 элементов (по ГОСТУ 13. 106-79).

Формула изобретения

Способ записи скрытого электростатического изображения на униполярных фотопроводниковых слоях носителей с диэлектрическим покрытием, заключающийся в формировании на диэлектрическом покрытии зарядного контраста путем осаждения на него заряда и экспонирования носителя и последующем выявлении контраста по потенциалу, отличающийся тем, что, с целью повышения качества скрытого изображения путем увеличения потенциального контраста, при формировании зарядного контраста осаждают заряд полярности, совпадающей с полярностью заряда фотопроводникового слоя, носителя, а выявление контраста по потенциалу осуществляют равномерной разрядкой носителя зарядом противоположной полярности до полной нейтрализации поверхностного заряда на неэкспонированных участках.