Переключательный прибор

Переключательный прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области электронных приборов на основе полупроводниковых структур.. Цель изобретения - повьшение функциональньк возможностей за счет вьшолнения функции запоминания, которая достигается размещением .полупроводниковой структуры (перехода) в камере с давлением 5 - 15 кбар и температерой 2-130 К. Полупроводниковый переход может быть выполнен в виде туннельного перехода, или диода Шоттки, или гетероперехода . Полупроводниковый прибор содержит охлажденную емкость, содержащую среду под высоким давлением, в которую помещена полупроводниковая подложка , легированния до вырождения, в которой сформирован полупроводниковый переход, электрические контакты, проводники, которые проведены через уплотнение. Давление создается нагружением поршня с последующей фиксацией гайкой. Реализация функции запоминания достигается размещением полупроводникового перехода в камере с высоким давлением при пониженной температуре. 3 з.п. ф-лы, 1 ил. (Л N9 СЛ СО

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (5U 4 И 01 1 29/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ь ф

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ мещением полупроводниковой структуры (перехода) в камере с давлением 5

15 кбар и температерой 2-130 К. Полупроводниковый переход может быть выполнен в виде туннельного перехода, или диода Шоттки, или гетероперехода. Полупроводниковый прибор содержит охлажденную емкость, содержащую среду под высоким давлением, в которую помещена полупроводниковая подложка, легированния до вырождения, в которой сформирован полупроводниковый переход, электрические контакты, проводники, которые проведены через уплотнение. Давление создается нагружением поршня с последующей фиксацией гайкой, Реализация функции запоминания достигается размещением полупроводникового перехода в камере с высоким давлением при пониженной температуре. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3509867/24-24 (22) 04. 11. 82 (46) 15.09 ° 86. Бюл. N - 34 (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт физики высоких давлений

AH СССР (72) А.Н.Вороновский, Е.М.Дижур и Е.С. Ицкевич (53) 681.327.6(088.8) (56) Патент Франции Ф 2099487, кл. Н 01 Ь 9/00, 1971.

Патент США Р 3668480, кл. 357-64, 1972. (54) ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР (57) Изобретение относится к области электронных приборов на основе полупроводниковых структур. Цель изобретения — повышение функциональных возможностей за счет выполнения функции запоминания, .которая достигается раз„„SU„„12577 1 А1

1257731

Изобретение относится к электронным приборам на основе полупроводниковой структуры и может. быть использовано в качестве диодного энергозависимого накопителя информации в полупроводниковых запоминающих устройствах.

Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей переключательного прибора за счет выполнения функции запоминания.

На чертеже схематически изображен переключательный прибор, разрез.

Прибор состоит из охлажденной емкости 1, содержащей среду с высоким давлением 2 и помещенной в эту среду системы, состоящей из полупроводниковой подложки заданного типа проводимости 3, легированной до вырождения, полупроводникового перехода 4, содержащего область сильного электрического поля, электрические контакты

5, посредством которых осуществляется электрическая связь с означенным полупроводниковым переходом, и про— водники 6, соединенные с означенными контактами, выходящие наружу через уплотнение 7, Давление создается нагружением поршня с последующей фиксацией гайкой 8. а

Пример. Серийно изготовленный туннельный диод из GaAs-АИ201Г помещают в камеру высокого давления, содержащую среду, передающую давление (607 трансформаторного масла и 40Х пентана). При давлениях до 15 кбайт он ведет себя как обычный туннельный диод с изменяемой давлением крутизНоН вольт-амперной характеристики.f При охлаждении до температуры 4,2 К становится прибором с двузначной вольт-амперной характеристикой, причем отношение проводимостей в состояниях высокого и низкого импедансов достигает 5 ° Переключение из состояния с низким импедансом в состояние с высоким импедансом происходит при подаче напряжения смещения в интервале (О, 1-0,9 В), а переключение из состояния с высоким импедансом в состояние с низким импедансом — при подаче на диод смещения 0,9 В. При смещениях ниже 0,1 В импеданс диода сохраняет ранее досТигнутое значение.

Таким образом, использование предлагаемого переключательного прибора позволяет исключить необходимость введения в полупроводниковый материал специальных примесей, образующих глубокие центры и обладающих сложным профилем распределения. Система становится термодинамически равновесной, устраняется деградация прибора, обусловленная диффузией этих примесей, размещение полупроводникового тела в камере высокого давления позволяет путем регулирования давления среды обеспечить надлежащий выбор рабочих характеристик, добиться, в частности, появления многозначных характеристик у серийно изготавливаемых туннельных диодов, а также обеспечить работоспособность прибора с многозначной вольт-амперной характеристикой вблизи абсолютного нуля температур. формула изобретения

1. Переключательный прибор, содержащий полупроводниковую подложку, в которой выполнена область, образующая полупроводниковый переход, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей переключательного прибора за счет выполнения функции запоминания, он размещен в камере с давлением 5- 15 кбар и температурой 2-130 К.

2. Прибор по и. 1, о т л и ч а ю— шийся тем, что полупроводниковый переход выполнен в виде туннельного перехода.

3. Прибор по п. 1, о т л и ч а ю— щ н и с я тем, что полупроводниковый переход выполнен в виде диода Шоттки.

4. Прибор по п. 1, о т л и ч а ю— шийся тем, что полупроводниковый переход выполнен в виде гетероперехода.

1257731

Составитель В.Теленков

Техред Л.Олейник Корректор,А.Обручар

Редактор Ю.Середа

Заказ 5033/52 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4