Устройство для управления силовым транзистором

Устройство для управления силовым транзистором

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и NfoHeT использоваться для управления,силовым транзистором, работающим в режиме переключения. Цель изобретения - повьшение КПД - достигается за счет снижения потерь мощности на резисторе 10 в цепи базы силовоЕо транзистора 1. Кроме того, устройство содержат вспомогательный транзистор 2, трансформаторы 3 и 4, формирователи 5 и 6 прямоугольных напряжений , сдвинутых по фазе на угол регулирования, диоды 7 и 8, резисторы 9 и 10. Для достижения поставленной цепи трансформатор 3 снабжен вторичной обмоткой, первый вывод которой подключен к резистору 10, а второй - к базе, транзистора 1 и эмиттеру транзистора 2. 2 ил. Ф Ю Од СО Фаг.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСИИХ

РЕСПУБЛИН с у 4 Н 03 К 17/60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbITVM (21) 3807957/24-21 (22) 06 ° 11.84 (46) 30.09.86. Вил. ¹ 36 (71) Научно-исследовательский институт автоматики и электромеханики при

Томском институте автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (72) А.Ф.Уваров и А.IO.Башкиров (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 616695, кл. Н 02 M 1/08, 1978.

Авторское свидетельство СССР № 1162032, кл. Н 02 М 1/08, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться

„.Я0„„3263 303 А 3 для управления, силовым транзистором, работающим в режиме переключения.

Цель изобретения — повышение КПД— достигается за счет снижения потерь мощности на резисторе 10 в цепи базы силовово транзистора 1, Кроме того, устройство содержкт вспомогательный транзистор 2, трансформаторы 3 и 4, формирователи 5 и 6 прямоугольных напряжений, сдвинутых по фазе на угол регулирования, диоды 7 и 8, резисторы

9 и 10. Для достижения поставленной цели трансформатор 3 снабжен вторичной обмоткой, первый вывод которой подключен к резистору 10, а втчэрой— к базе транзистора 1 и эмиттеру транзистора 2. 2 ил.

1261103

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для управления силовым транзистором, работающим в режиме переключения.

Цель изобретения — повьппение КПД 5 путем снижения потерь мощности на резисторе в цепи базы силового транзистора.

На фиг.1 представлена схема устройства для управления силовым тран- 10 эистором, на фиг.2 — диаграммы напряжений на вторичных обмотках трансформаторов.

Устройство для управления силовым транзистором содержит силовой 1 и вспомогательный 2 транзисторы, первый

3 и второй 4 трансформаторы, первый 5 и второй 6 источники прямоугольных напряжений, сдвинутых по фазе на угол регулирования, первый 7 и второй 8 диоды, первый 9 и второй 10 резисторы.

Первичные обмотки первого 3 и второго

4 трачсформаторов подключены соответственно к выходам первого 5 и второго

6 источников прямоугольных импульсов, первый вывод первой вторичной обмотки первого трансформатора 3 соединен с оазой силового транзистора 1 и через первый диод 7 с первым выводом вторичной обмотки второго трансформатора1 30

4 и первым выводом первого резистора

l, 9, второй вывод которого подключен к крллектору вспомогательного транзистора 2, база которого соединена с первым выводом второго резистора 10.

Второй вывод вторичной обмотки второго трансформатора 4 соединен с эмиттером силового транзистора 1 и через второй диод 8 с вторым выводом первой вторичной обмотки первого трансформа- 40 тора 3. первый трансформатор 3 снабжен второй вторичной обмоткой, первый вывод которой подключен к второму выводу второго резистора 10, а второй вывод — к базе силового транзистора 1 45 и эмиттеру вспомогательного транзистора 2.

Устройство для управления силовым транзистором работает следующим образом. 50

На первом этапе работы, для которого полярность напряжения на вторичных обмотках трансформаторов 3 и 4 показана на фиг.1, транзистор 2 и диод 7 находятся в открытом состоянии. 55

Диод 8 закрыт, и ток по вторичной обмотке первого трансформатора 3 не протекает. Напряжение вторичной обмотки второго трансформатора 4 отрицательной полярности через диод 7 прикладывается к база-эмиттерному переходу силового транзистора 1.

На втором этапе работы устройства меняется полярность напряжения на вторичной обмотке второго трансформатора 4. Диод 7 переходит в закрытое состояние. Ток вторичной обмотки второго трансформатора 4 замыкается по цепи: первый вывод вторичной обмотки трансформатора 4, резистор 9, переход коллектор-эмиттер транзистора 2, переход база-эмиттер транзистора 1, второй вывод вторичной обмотки трансформатора 4. Диод 8 остается закрытым, и вторичная обмотка первого трансформатора 3 не влияет на работу транзистора 1. На база-эмиттерный переход силового транзистора 1 воздействует напряжение положительной полярности, определяемое напряжением на вторичной обмотке второго трансформатора 4.

Во время третьего этапа работы устройства меняется полярность напряжения на вторичной обмотке первого трансформатора 3. Транзистор 2 переходит в закрытое состояние, диод 7 остается закрытым, диод 8 открывается. Ток вторичной обмотки первого трансформатора 3 замыкается по цепи: второй вывод вторичной обмотки первого трансформатора 3, диод 8, закрывающийся переход база-эмиттер силового транзистора 1, первый вывод вторичной, обмотки первого трансформатора 3.

Ток вторичной обмотки второго трансформатора 4 отсутствует. К базаэмиттерному переходу силового транзистора 1 прикладывается напряжение отрицательной полярности, определяемое напряжением на вторичной обмотке первого трансформатора 3. .!

На четвертом этапе работы устройства меняется полярность напряжения на вторичной обмотке второго трансформатора 4. Диод 7 переходит в открытое состояние, диод 8 открыт, транзистор 2 закрыт. К база-эмиттерному переходу силового транзистора 1 прикладывается напряжение отрицательной полярности, определяемое напряжением на вторичных обмотках первого 3 и второго 4 трансформаторов, включенных параллельно. Далее процессы повторяются, 1261

Сос гавитель Д.Иванов

Техред .Л. Олейник Корректор М. Шароши

Редактор С.Лисина

Тираж 816

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Заказ 5244/57

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

КПД предлагаемого устройства для управления силовым транзистором выше чем у известных вследствие уменьшения потерь мощности на резисторе 10 в цепи базы силового транзистора.

Формула изобретения

Устройство для управления силовым 10 транзистором, содержащее силовой и вспомогательный транзисторы, первый и второй трансформаторы,.первый и второй источнйки прямоугольных напряжений, сдвинутых по фазе на угол !5 регулирования, первый и второй диоды, первый и второй резисторы, причем первичные обмотки первого и второго трансформаторов подключены соответственно к выходам первого и второго 2о ,источников прямоугольных импульсов, первый вывод первой вторичной обмот103 4 ки первого трансформатора соединен с базой силового транзистора и через первый диод — с первым выводом вто. ричной обмотки второго трансформатора и первым выводом первого резистора, второй вывод которого подключен к коллектору вспомогательного транзистора, база которого соединена с первым выводом второго резистора, второй вывод вторичной обмотки второго трансформатора соединен с эмиттером силового транзистора и череs второй диод — с вторым выводом первой вторичной обмотки первого трансформато ра, о т л и ч а ю щ е е с я тем,. что, с целью повышения КПД, первый трансформатор снабжен второй вторичной обмоткой, первый вывод которой подключен к второму выводу второго резистора, а второй вывод — к базе силового транзистора и эмиттеру вспомогательного транзистора.