Способ повышения равномерности освещенности

Способ повышения равномерности освещенности

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области оптического приборостроения, осветительной техники. Целью изобретения является повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах. После выбора необходимых значений индукции частоты В и w на разрядньп канал лампы воздействуют переменным магнитным полем; Значения В и со выбирают, исходяиз соотноше ний К( у-у,) , где у - коэффициент равномерности освещенности объекта при наложении магнитного поля; у - коэффициент равномерности освещенности объекта без наложения магнитного поля; К постоянный коэффициент, определяемый типом лампы; ot - постоянная, определяемая типом лампы; о - постоянная iвpeмeни системы; |3 - постоянная, оп (Л ределяемая типом лампы.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABT0PCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ. (21) 3796645/24-07 (22) 04.10.84 (46) 23.10.86. Бюл. У 39. (71) Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко .(72) В.И.Аршавский, В.А.Лапшин и С.В.Шарманов (53) 621 ° 3.032(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

В 838823, кл. Н 01 J 61/86, 1979.

Авторское свидетельство СССР

В 920896, кл. Н 01 J 61/00, 1980. (54) СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ РАВНОМЕРНОСТИ

ОСВЕЩЕННОСТИ (57) Изобретение относится к области оптического приборостроения, осветительной техники. Целью изобретения

Ä;SUÄÄ 1 5884 А1

Ш4 Н 01 1 1/50 61 00 является повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах. После выбора необходимых значений индукции частоты

В и О на разрядный канал лампы воздействуют переменным магнитным полем.

Значения Ь и Ю выбирают, исходя из соотношений К(- у„) Вi си у P где — коэффициент равномерности освещенности объекта при наложении магнитного поля; — коэффициент равномерности освещенности объекта без наложения магнитного поля; К постоянный коэффициент, определяемый типом лампы; oc — постоянная, определяемая типом лампы; о — постоянная. времени системы; P — постоянная, определяемая типом лампы.

5884

cy.

Ь (5) 40

55

4 126

Изобретение относится к оптическому приборостроению, осветительной технике и может быть использовано в фотометрических приборах, в осветительной и проекционной технике для повышения равномерности освещенности объекта.

Цель изобретения — повышение равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах.

Способ повышения равномерности освещенности в проекционных и регистрирующих системах осуществляется следующим образом.

После включения проекционной или регистрирующей системы измеряется коэффициент равномерности освещенности освещаемого объекта, который определяется по формуле

I5

1При этом значения Е ;„ и Е „ выбие% раются из совокупности измерений уров- ней освещенности в различных точках по; всей поверхности освещаемого объекта.

Если полученное значение у не удовц о летворяет условиям данной конкретной задачи освещения, то по формулам

К(f — g,)

Это реализуется в том случае, если силовые линии магнитного поля будут направлены поперек разряда, но вдоль направления распространения света от лампы к освещаемому объекту, на пример вдоль оптической оси системы.

При определении величины В по формуле (2), если для данного типа лампы не известно значение К, которое, как экспериментально установлено, для разных типов ламп составляет

0,005-0,03 Тл, его можно определить экспериментально следующим образом.

В отсутствии магнитного поля (Ь, = О) определяется как это указано по формуле (1) значение . Затем на разрядный канал лампы воэдействуют поперечным переменным магнитным полем с произвольной, но известной величиной В и определяют значение

Значение К в этом случае определяется как отношение в — в в

К, (4)

1 Ь т.е. значение К определяется как величина, обратная изменению равномерности освещенности при изменении индукции магнитного поля на 1 Тл.

При достаточно больших значениях налагаемого поля В (разных для разного типа ламп) амплитуда колебаний разрядного факела лампы оказывается настолько большой, что происходит срыв дугового разряда и погасание лампы. Поэтому для каждого типа ламп существует некоторый верхний предел допустимого значения индукции налагаемого магнитного поля . Экспериментально установлено, что для разных типов ламп значение Ы составляет 0,05-0,2 Тл. Выбор частоты налагаемого поля д по формуле (3) определяется следующими причинами. Для обеспечения повышения равномерности освещенности необходимо, чтобы эа время освещения объекта, характеризующегося постоянной времени системы регистрации светового сигнала с, разрядный факел лампы совершил кратное целое число колебаний, т.e °

При этом для каждого типа ламп существует предельно допустимые максимальные значения частоты изменения магнитного поля P, выше которых начинают проявляться эффекты инерционности в движении разрядного факела. В этом случае факел лампы не успевает колебаться с задаваемой полем частотой, в результате наблюдается резкое снижение равномерности освещенности, Экспериментально установлено, что для разного типа ламп значение Р составляет 5-10 кГц, После выбора необходимых значений 5 и (o на разрядный канал лампы воздействуют поперечным переменным магнитным полем с выбранными характери- стиками В и сд . Светящийся разрядный факел лампы начинает совершать колебательные движения, воспринима1265884

4 стрирующих системах, создаваемой излучением от дуговых газоразрядных ламп, включающий воздействие на разрядный канал лампы внешним магнитным

5 полем, отличающийся тем, что,с целью повышения равномерности освещенности, используют поперечное переменное магнитное поле, при этом индукцию магнитного поля В выбирают из условия емые регистрирующей системой как расширение светящейся области разряд ного факела с одновременной трансформацией тела свечения лампы из конусообразного в близкую к кругу. В результате повышается равномерность распределения интенсивности светового излучения по потоку света, поступающего от лампы на освещаемый объект, и тем самым улучшается равномерность освещенности освещаемого объекта.

Использование в предлагаемом способе воздействия на разрядный канал лампы внешним поперечным переменным магнитным полем позволяет повысить

I((f- )6 Q

Формула изобретения

Составитель А.Вердеревская

Техред S.Käääð Корректор Л,Патай

Редактор В,Данко

Заказ 5674/52 Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035,Москва, Ж-35,Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие,г.ужгород,ул.Проектная,4

Способ повышения равномерности освещенности в проекционных и регигде — коэффициент равномерности

15 освещенности объекта при наложении магнитного поля; — коэффициент равномерности освещенности объекта без наложения магнитного поля; — постоянный коэффициент, определяемый типом лампы; — постоянная, определяемая типом лампы, а частоту магнитного поля у выбирают иэ условия

1 — < c p у где — постоянная времени системы;

P, — постоянная, определяемая типом лампы.