Оперативное запоминающее устройство

Оперативное запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

К>)асс 42m, 14

Л" 1)()()()II

СССР

ОПИСАН! (Е ИЗОБРЕТЕ(-(ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (:i

I .-, . 14!3!

Л. И. Гутенмахер

t — --.—

ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНА(ОЩEE УСТРОЙСТВО

3asIn>aeIio 5 Iiio)il )954 r. aa Ла 4(>6748/26 а i(I!2 HcTepcTBO ITpH6opo»TpoeiiII:i

"релств авто)(:ITIIa;II.II;I СССР

Опуол(!Ковано в «Бюллетсн» !!аоп)>»те!(ий» X. 5 аа )960 ",.

Изг>сстиыс м я ГH iiTh blc зя и Ом и Н2 !Ошие > cTpOifcTI3;! СОС . 0H T (13 б)0. I bи(ОГО 11! СЛЯ М а ГН НТИ ЫХ СЕР.(ЕЧ:1 I f(02, i!PHЧС)! и РОЦССС 321! 1 с И И ii . i>i !>.:

i(HH закл!Очяется В пере. >!ЯГН((чиВ !н:1и этих сс()дс (НИКОВ двумя т )к l 1(! и :

Вс, illч и нс при мери!) равных(и полов,! н НОм > зн ачени !О пО. 1 iio(o ток i, бующегося для перемагни(изяния

Недостатко)1 этои сl(стем ы Н;31 яетcF.. (рохождеч(1!с Toic .Гз 3!! и !! . и и сч;(тыван;(я не только Iepp3 cc,);(счник;((элсмсн-,ы), f«>i,);)» шыс заданным адресом, ио и через д))угис элементы, кот!ярые долж:(ы

ЭТОМ СОХРЯ НЯТЬ СВОЕ )!Я ГНИ ТНОЕ COCTOF i i !le П;)!(1! НОГОК!)Я Tио)! ВОЗДСI I Т .. I; i ия них половинных токов.

С I(P."ью увел 1 !ени51 быстродеистВ1!Я il ВОЗМОжноl! !>МкосTII !

СЧИТЫВ2НИЯ ДВОИЧНЫХ ЗНЫКОВ П, )ОИ:(ВОДИТСЯ НЕПОСРЕДСТВЕ((НЫМ: СОСМ:li нич(313ынием м ЯГнитных сердеч н и КОВ Одн и, (током, проходя lци м по Од((0! адресной шине, обшей для всех сердечников для 03Hopi) числа зипом!1наK)шеего K>ст>ройстВЯ. ПОсHoльк1 ток считыв i!I;(Я;3 3T;)й сiicтс11:-(е 1сйстВ lPT н2 Д;:)угие э 1ементы 311 пом lf H2 юШеГО ), Tp0l lcò 3 2, к ) 0 x! е 31>! б, i (I >!

HbI), то величину этОГО гокЯ мОжнО ъ станавл((вать Знач:.!те;lbiio бо. Iьшей

МИНИМЯ-IbHOI О ТОКЯ, ДОСТЯТОЧНОГО ДЛЯ IPPP)(2. НИ И(ВЯИИЯ, ЧТО:103В01Я T форсировать процесс считыван:(я и этим увеличивать сигналы

Процесс 32писи ДВОичных знякоз в НОВОЙ системе cf)cToIIT из:(с;,)»магничивания сердечников с помошь!о тока, направлен н)го по такои )к»

Оби(сй 2>1pec((oi(шине, I! ВспомОГяте1ьных токоз, Оп))еде1як)ших 32".,(сь единицы Ifë:i нуля, няп;.)авленных по дополнительным шинам.

На фиГ. 1 приведена пр1!нц! IпиЯльнаЯ схема Запомин с(ройства.

Здесь: Л, ), Z — координаты;

1 — элементы Запоминын lя I сердечники, >(ягнитные, и!)нт> I)ы);

) — адресная ячейка по коорд:ii(2те Z;

3 — кассеты из ячеек 2 по сеченшо Х, Z; (— ключи двухкоординатной адрес!(ой с;!стемы 5.

¹ 12666() П;! ф!!Г. 2 от.l«ëьно пр«Дота(Зле! а для примера адресная с;!ст«ча ) с диодами. Здесь: Х Y — координатные ш!(иы: () — Общий источник ) Ока;

7 — ла.(пы управления; ) — диоды; Z — адресные;(!Нны запо)!Нна!Ои(«гс устро! !ств(!.

Токи .1, !я cHHòü!Hiiíèÿ двои IHblx 3!!Иков, заГ!1 ciiliHblx п т«ч i((I)((II HI(чи(3ания элем«iiT;)il 1, ool)3.3ëoTcÿ и 32pccH0lI системе д. В соотвстст(3ие с Бозбуждснием тех или иных коорДинатпых шин Х II 1 (I. (рс НОЙ системы, ток с !Нтыван! Я п()ОЙДст по ОДНОЙ ад()есное ши!(е Z, и б) Дет БОЗДеи ство!Зать ср !зу на все элеченты 1, находящие:я в данной ячейке запоминающего устройства.

С штывающие шины Л пропущены через элечснты 1 запоминающего устройства поразрядно. Число этих шин равно числу параллельно считьп:аемых дьоичных знаков.

Запомина(ощее устройство при этой системе представляет собой трехкГ)ординатнук> сетку из шии, 10 которым проходят токи считывания.

Вместо ОольшОГО ч(ic, 1а Отд»тьных cE!)Дечн;(ков, распОложениых и Одной из плоскостеи этой трехкоординатн01(сетки, мОжнО примен)lть пластины из ферромагнитного материала. Эти пластины можно располагать по различ!!ы сечениям Z)(, ZY или Х, Y (фHã. 3).

Для записи двоичных знаков можно применить следу!Ощие варианты.

Применен:Ie диодов для записи (фиг. 4).

Обозначения: 9 — д:(оды; 10 — обмотки элементов запоминания 1;

11 — cuT!I)oTI((lления; 12 — обмотки ключей 4 адресной системы; U„, — напряжение системы поразрядной записи дво!Гчных знаков, l,,— ток записи в адресной шине Z .

Импульс l, является общич для всех элементов одной ячейки, а импульсы U,„„äåéc ãâ÷oò каждый на свою шину Х, Импульс I, используется для перемагничивания магнитного материала и записи единиц на всех элементах одной выбранной ячейки. Для записи нуля, а следовательно, для предотвращения записи единицы током 1, на данную шину Х необходимо напряжением Г,,„запереть цепь д;(ода выбранного элемента.

Применение магнитных ключей в ячейках запомни".Hèÿ показано на фиг. 5. Здесь: 1,г — магнитный ключ запис ;", 14 oo)ioTI(a между a Ieментом запоминания 1 и ключом И Zg — вспомогательная адресная шина для записи; Х вЂ” шина управления ключаьчи 13; Х вЂ” сштыва!ощая шина.

В адресной системе формируются два импульса тока (,) и l следующие один за другим. Первый импульс 1,; действует непосредственно на элемент запоминания 1 и перемагничивает его, считывая при этом информацию. Сигналы считывания снимаются шиной Х. Вслед за считывающим импульсом действует их!Пульс f. и одновременно с ним (или с некоторым опережением) импульсы I по шине Л.

Эти импульсы действуют на магнитные ключи 13.

Энергия, необходимая для перемагничивания элементов запоминания 1, может пройти через ключи 18, если отсутствует ток смещения I„. который управляет записью. При наличии этого тока смещения материал насыщается и коэффициент передачи резко снижается.

В этой системе запись, как и считывание, непосредственно производит я в элементы выбраннои ячейк i.

Приме!и" н!(е вспомогате1bHb(x координатных ш;!и д.!я запис;1 показан;> на фиг. 6.

В этом случае ".мпервитки зап (си создаются с помощью большого числа координатиь!х шин, проходящих через запоминающие элементы l под различными углами.

f.;сли и".по,(ьзоaaть только ш(!ны, ня..!рaa.

КЯЖДЫй ЭЛЕМЕНТ МОЖЕТ ПЕРЕМЯГНI!ЧИВЯТЬ и ЧЕТЫРЬМЯ ТОКЯМИ, ПР(13!<:1!1!О рявнь(;

На фиГ. 7 показана схема для двуx ОснОВ((ых и шести ВспомОГЯтело ных координатных шин. В этом случае по каждой шине I<1>li Ha(7(:c;!

ДОСТЯТОЧНО ПОДВЕСТИ IIO /((ПОЛНОГО ÒOH<1, НЕООХОДИМОГО ДЧЯ П<ЕРЕМ<7ГНЕIЧИБЯНИЯ.

Возоуждение этих вспомогательных (L

Предмет изобретения

1. Оперативное aallol<(IIÍß!Ощес ycTpoifcT i< которо.;! и считыВяние сиГE(a;(013 произВОднтся и pe3(al E((iчивянием Отде.7ь ых элементОВ В Виде сердечне!ков и.7и мя(нитных ко((турОВ, Образуемых В пля стинах из ферромагнитного материала с прямоугольной петлей гнстерезиса и расположенных В узлах координатной системы из питающ;!х шин, о т л и,ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения помех и увеличения

Возможного объема запоминающего устройства, через элементы запоминания каждой адресной ячейки пропущена одна общая шина (fill!((a 2), питаемая током, одновременно перемягничиваюшнм эт;(элементы, а поразрядное считывание сигналов производится шиной (Ilo Х и ) ), пропущенной через элементы одного и того же разряда всех ячеек зяпом(.на ю щего устр ойств а.

2. 07ер7т((вно запоминающее lcтройст(30 по il. 1, 0 т,7 H ч Я lo Lf е с я тем, что для записи сигналов на магнитных элементах (кон-.уря : или сердечниках) пос.7едовательно с их обмотками Включены диоды, присоединенные к обшей для элементов одного и того же двоичного разряда шине, по которой при записи нуля подается напряжение, равное или больше напряжения на дополнительной адресной шине (22), что сохраняет магнитное состояние данного элемента.

3. Оперативное запоминающее устройство по и. l, о т л и ч а ю щ е <с я тем, что для записи cHI Iia!aîa перемягничиванием магнитных элементов запоминания образованы дополнительные магнитные ключи, связанные общей обмоткой с парными им ocaîâHûìè элементами запоминания так, что при перемагничивании этих ключей током, проходя(циl по дополнительной адресной шине (2), коэффициент передачи эти; ключей, как импульсных трансформаторов, изменяется током, которы(( подается по шине записи Х общей для всех элементов одного и того же двоичного разряда.

4. Оперативное запоминающее устройство по и. 1, о тл и ч а ю ц е ес я тем, что для записи сигналов в магнитных элементах запоминания образованы вспомогательные шины записи, которые пропущены через магнитные элементы под различными уГлями K основной систех(е Ноор динат Х, У так, что на выбранный элемент действует сумма отдельных составляющих общего тока перемагничиванпя, причем чем больше число этих вспомогательных шин (2, 4, 6...). тем меньше помехе(в остальibIx элементах запоминающего устройства.

X" 12о660

v г Фиг.б

Фи е.7

Комитет ио делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Н. С. Кутафина Гр.14

Типография Комитета ио делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

Фиг.5

5 2

Г, г

I1íôîðì lljiloHHo-издательский отдел.

Объем 0,51 п. л. Зак. 2438

Поди. к ахеи, 2ь.111-00 г.

Тираж 700 Цена 75 кол