Разностный элемент

Разностный элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в качестве стандартного элемента БИС типа ТТЛ, в частности заказных БИС, или в качестве отдельной НС, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада входногсг сигнала. Расширение функциональных возможностей и снижение уровня . выходного напряжения низкого уровня обеспечивается введением в схему двух р-п-р-транзисторов; одного резистора и организацией новых связей. Введенные элементы и новые связи позволяют вдвое снизить выходное напряжение низкого уровня и организовать два дополнительных § режима работы устройства. Устройство содержит транзистор 1 п-р-п-типа, О) транзисторы 2 и 3 р-п-р-типа, резисторы 4-8, диоды 9-11, выход 12, дополнительный элемент 13, шину 14 питания , входы 15-17. I ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„.Я0„„2 (51)4 Н 03 К 19/088

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ1Ф (2!) 3902627/24-21 (22) 31.05.85 (46) 23.11.86. Бюл. У 43 (71) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова (72) Л.К.Самойлов, С.П.Тяжкун и 10.И.Рогоэов (53) 621 . 374 (088. 8) (56) Алексеенко А.Г., Шагурин И,И.

Микросхемотехника. М.: Радио и связь.

1982, с. 195, рис. 4.30 а.

111агурин И.И. Транзисторно-транзисторные логические схемы. И.: Со.— ветское радио, 1974, с. 137, рис. 4.13 а. (54) РАЗНОСТНЫЙ ЭЛЕИЕНТ (57) Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в качестве стандартного элемента БИС типа ТТЛ, в частности заказных БИС, или в качестве отдельной ИС, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада входного сигнала, Расширение функциональных возможностей и снижение уровня, выходного напряжения низкого уровня обеспечивается введением в схему двух р-п-р-транзисторов, одного резистора и организацией новых связей. Введенные элементы и новые связи позволяют вдвое. снизить выходное напряжение низкого уровня и организовать два дополнительных режима работы устройства. Устройство содержит транзистор 1 п-р-п-типа, транзисторы 2 и 3 р-п-р-типа, резисторы 4-8, диоды 9-11, выход 12, дополнительный элемент 13, шину 14 питания, входы 15-17. 1 ил.

2498 2

Задержка отпирания транзистора 2 после отпирания транзистора 3 обусловлена также большим номиналом резистора 5 по сравнению с резистором

7 ° В результате отпирания транзистора 2 и перехода его в насыщение запирается транзистор 2. Таким образом, через транзистор 3 протекает кратковременный импульс тока в базу транзистора I через резистор 6. В зависимости от режима включения транзистора 1 (эмиттер соединен с общей шиной, а коллектор — с выходом, или коллектор соединен . с шиной питания, а эмиттер — с выходом) формируется выходной импульс низкого или высокого уровня.

Разностный элемент содержащий п-р-п-транзистор, диоды и четыре резистора, первый вывод первого реЗО зистора подключен к шине питания, второй вывод соединен с первым выводом второго резистора, первый вывод третьего резистора соединен с базой п-р"п-транзистора, коллектор которого подключен к выходу элемента, отличающийся тем, что, с целью расширения функ- циональных воэможностей и снижения выходного напряжения низкого уровня, введены два р-п-р-транзистора и пятый резистор, причем эмиттеры первого и второго р-и-р-транзисторов соединены с шиной питания, база первого р-п-р-транзистора соединена с

4> первым выводом второго резистора, второй вывод которого соединен с анодами диодов и через четвертый резистор подключен к коллектору первого и базе второго р-и-р-транзистора, коллектор которого соединен с ,.вторым выводом третьего резистора, . . база и-р-и-транзистора через пятый резистор соединена с общей шиной, катоды диодов подключены к входам

И эЛемента, а эмиттер п-р-п-транзисто-,,ра соединен с дополнительным выходом элемента.! 127

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве одного из элементов

БИС ТТЛ-типа, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада ., входного сигнала.

Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей и снижение выходного напряжения низкого уровня разностного элемента.

На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента.

Устройство содержит и-р-п-транзистор 1, первый и второй р-п-р- . транзисторы 2 и 3, резисторы 4-8, диоды 9-11, причем коллектор и эмиттер транзистора 1 подключены к выходу )2 и дополнительному выходу 13 элемента, а база соединена с кол Коллектор и эмиттер транзистора лектором транзистора 3 через тре- 20 1 могут также соединяться с входами тий резистор 6 и с общей шиной че" расширения по ИЛИ с имеющими такие рез пятый резистор 8, база транзис- входы микросхемами. тора 3 соединена с коллектором транзистора 2, база которого через первый резистор 4 соединена с шиной gS Ф о р и у л а и э о б р е т е н и я . 14 питания и эмиттерами транзисторов

2 и Э, база транзистора 2 через второй резистор 5 соединена с анодами диодов 9-11 катоды которых подключены к входам 15-17 элемента, аноды диодов 9-11 через четвертый резистор 7 соединены с базой транзисто-. ра 3.

Устройство работает следующим образом.

При поступлении на все входы 1517 сигналов высокого уровня транзисторы 2 и 3 закрыты, поэтому закрыт и транзистор 1. Если эмиттер транзистора 1 соединен с общей шиной, то выходом 12 устройства является коллектор и на нем (через внешнюю на груэку) сформирован высокий уровень напряжения. Если коллектор транзистора 1 соединен с шиной 14 питания, то дополнительным выходом 13 устройства является эмиттер и иа последнем — выходное напряжение низкого уровня.

При поступлении на один из входов

15 — 17 сигнала низкого уровня открывается сначала транзистор 3, а потом — транзистор 2. Указанная последовательность отпирания транзисторов задается разными уровнями входного напряжения отпирания (U и U> ) этих транзисторов.