Запоминающая матрица

Запоминающая матрица

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОКИ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (я) 4 6 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3891190/24-24 (22) 02. 04. 85 (46) 30.11.86. Бюл. У 44 (72) С.Л.Куперман, А.С.Болдырев, Б.В.Мощинский, М.И.Чельдиев и А.А.Крупский (53) 681.327.66 (088.8) (56) Балбашов А.М. и др. Магнитные материалы для микроэлектроники, M..: :Энергия, 1979.

Авторское свидетельство СССР

У 486375, кл, G ll С 11/14, 1973. (54) ЗАПОМИНА101ЦАЯ МАТРИЦА (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств с произвольной выборкой. Целью изобретения является упрощение запоминающей матрицы и считывание информации без разрушения.

„„SU,„, 1273997 А1

Запоминающая матрица содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала 2 с инфор мационными ячейками 3 и ячейками для считывания информации 4, расположенными между взаимоортогональными параллельнь ми проводниками двух групп

5 и 6, изолированных друг от друга слоем изолирующего материала 7. Информационные ячейки 3 представляют собой монодоменные области, направление намагниченности в которых определяет код записанной информации.

Ячейки для считывания информации 4 представляют собой монодоменные об= ласти, намагниченность которых имеет одно и то же направление. Проводники группы 5 выполнены из магниторезистивного материала. 2 ил.

1273997

5 !

О !

?О

40

Формула изобретения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении запоминающих устройств (ЗУ) с произвольной выборкой информации.

Целью изобретения является упрощение запоминающей матрицы и считывание информации без разрушения.

На фиг.l и 2 соответственно показаны конструкция запоминающей матрицы и ее фрагмент.

Запоминающая матрица (фиг.l) содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала 2 с информационными ячейками 3 и ячейками для считывания информации ч-, расположенными между взаимоортогонаш ными параллельными провод-никами двух групп 5 и 6, изолированных друг от друга слоем изолирующего материала 7.

Информационные ячейки 3 представ/ ляют собои монодоменные области, направление. намагниченности в которых определяет код записанной информации. Ячейки для считывания информации 4 представляют собой монодоменные области, намагниченность которых имеет одно и то же направление.

Проводпики группы 5 выполнены из магниторезистивного материала.

Предложеннос устройство работает слецующим образом.

Запись информации в выбранную информационную ячейку 3 осуществляется подачей импульсов тока по соответствующи» проводникам групп 5 и 6 (фиг.2). Считывание информации из выбранной информационной ячейки 3 осуществляется подачей импульсов то— ка по соответствующим проводпикам групп 5 и 6. Соответствующая выбранной информационной ячейке 3 ячейка для счигывания информации 4, находящаяся з определенном монодоменном состоянии, перемагничивается. В зависимости от направления намагниченностии в выбранной информационной ячейке 3, т.е. в зависимости.от за— писанной в нее информации, ее магнитный поток будет замыкаться через участок 8 проводника группы 5 на соответствующую ячейку для считывания ипфор.:ации А или не будет замыкатьс». Замыкание магнитног0 потока через участок 8 приводит к изменению электросопротивления соответствующего проводника группы 5 вследствие возникновения в нем магниторезистивного эффекта. Это позволяет определить код записанной информации в выбранной информационной ячейке 3.

Рассмотрим работу запоминающей матрицы на конкретном примере. Пусть необходимо записать код информации

1 в информационную ячейку о, с координатами XY (фиг.2) . Для записи кода "1" по соответствующему проводнику группы 5 подается импульс тока записи lу, а по соответствующему проводнику группы 6 подается импульс тока записи lõ. Под действием магнит ного поля импульсов тока записи

lх и lу происходит намагничивание ячейки о, в состояние, собтветствующее коду информации "1".

Для записи кода. информации "О" в ячейку о полярность импульсов тока х и ly необходимо изменить на противоположную, При чтении информации из информационной ячейки р по проводнику группы 5 подается импульс тока

lу, полярность которого соответствует импульсу тока ly, подаваемому при записи кода. "1" в информационную ячейку о, а по проводнику группы 6 подается импульс тока lх, полярность которого соответствует полярности тока lх, подаваемому при записи кода "О" в ячейку а. Под действием магнитного поля этих токов ячейка для считывания информации Ь перемагничивается в монодоменное состояние с направлением намагниченности соответствующим направлению намагниченности запоминающей ячейки с! когда в »ее записан код "1".

Если в информационную ячейку а записан код "!", то электросопротивление участка 8, расположенного между ячейками а и Ь,увеличится в силу магниторезистивного эффекта.

Если в информационную ячейку а записан код "О", то электросопротивление участка 8, расположенного между ячейками а и Ь уменьшится. Изменение электросопротивления позволяет определить код записанной информации в ячейке а.

Запоминающая матрица, содержащая диэлектрическую подложку, на которой

ИИИ10ПШ

12739К

Г l

yL ) r — -

I 1

Г 1!

Г ! у(Ч

Г 1

/L! I

L J

Г ! (! ! Ф

I

7! 9 ! ) Г -I !

1 ) Г l

) Составитель Н. Розенталь

Редактор А.Долинич Техред И.Попович

Корректор А.Тяско

Заказ 6482/50 Тираж 543 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, iK-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óæãoðîä, ул. Проектная, 4 размещен слой магнитоодноосного доменосодержащего материала, на который нанесены две группы взаимоортогональньгх параллельных проводников, разделенных между собой слоем изолирующего материала, о т л и ч а ю„Ю"

Х щ а я с я тем, что, с целью упрощения запоминающей матрицы и считывания информации без разрушения, параллельные проводники одной группы, выполнены из магниторезистивного материала.