Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем

Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при присоединении выводов к контактным площадкам транзисторов и интегральных схем односторонней импульсной контактной мщсросваркой расщепленным электродом. Целью изобретения является повышение надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии им-пульса сварочного тока. Сущность изобретения состоит в том, что вначале первый вывод присоединяют к контактной площадке затвора транзистора , после чего другой конец зтого вывода присоединяют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы. Второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока (или истока) транзистора. Другой конец второго вывода присоединяют к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор - сток (или W исток). Данная последовательность присоединения выводов при монтаже кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем снижает уровень индуцированного потенциала в области исток - сток траню зистора. 2 ил., табл. 4 00 00

СО(ОЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН (191 (И) 4889 А1 (594 В 23 К 3! 02

1 г

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3844896/25-27 (22) !2.1 2.84 (46) 07.12.86. Бюл. !1г 45 (72) Ю.М.Зак, В.Н.Лепешкин, А.С.Нижник и В.А.Соловьев (53) 621.791.76(088.8) (56) Бер А.Ю. и Минскер Ф.E. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа 1981, с. 119-152. (54) СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАТЫ ГИБРИДНО-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (57) Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при приСоединении выводов к контактным площадкам транзисторов и интегральных схем односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом. Целью иэобретения является повышение надежности монтажа путем уменьшения вероятностМ пробоя транзистора при действии импульса сварочного тока. Сущность изобретения состоит в том, что вначале первый вывод присоединяют к контактной площадке затвора транзистора, после чего другой конец этого вывода присоединяют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы. Второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока (или истока) транзистора. Другой конец второго вывода присоединяют к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор — сток (или исток). Данная последовательность присоединения выводов при монтаже кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем снижает уровень индуцированного потенциала в области исток — сток транзистора. 2 ил. l табл.

1274889

Изобретение относится к области микросварки, в частности к способам монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, и может быть применено при присоединении выводов к контактным площадкам транзисторов и,интегральных схем односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом.

Целью изобретения является повышение надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного тока. .!

На фиг.1 изображена схема присоединения вывода к контактной площадке затвора. транзистора; на фиг.2 — эквивалентная схема полевого транзистора, где Г 6 — сопротивление эпитаксиальной пленки между истоком и затвором и металлизации затвора; Гс — выходная проводи- мость; R — распределенное сопротивление канала (R; * 60 м); С„., емкость исток — затвор; С вЂ” емкость затвор — сток; С„с — емкость исток — сток: R . — сопротивление д стока °

Способ осуществляют следующим образом.

Первый вывод 1 с помощью расщепленного электрода 2 присоединяют одним концом импульсной контактной микросваркой к контактной площадке затвора 3 транзистора, после чего другой конец этого вывода присоединяют к одной из контактных площадок гибридно-интегральной схемы.

Затем второй вывод присоединяют аналогично первому одним концом к контактной площадке стока 4 (или истока 5) транзистора, после чего другой конец второго вывода присоединяют к такой контактной площадке гибридно-интегральной схемы, чтобы электрическая цепь затвор — сток (или затвор — исток) оказалась замкнутой на нагрузочное сопротивление гибридно-интегральной схемы. Порядок присоединения третьего вывода к транзистору несущественен.

Из эквивалентной схемы полевого транзистора (фиг.2) видно, что при осуществлении первой сварки вывода .к контактной площадке затвора 1 на емкостях С и С индуцируется заряд, практически равный по величи5 !

О

55 не напряжению сварочного импульса, т.е. на контактных площадках стока

4 и истока 5 появляется заряд обратной полярности по отношению к затвору. При последующей сварке истокового или стокового выводов наличие на контактных площадках истока или стока потенциала обратной полярности снижает уровень итогового потенциала области исток — сток, эа счет чего снижается вероятность пробоя переходов исток — затвор и сток затвор, Пример. Проводили монтаж кристаллов СВЧ полевых транзисторов на полосковую плату иэ поликора толщиной 0,5 мм с нанесенными на нее методами тонкопленочной технологии полосковыми линиями, контактными площадками и резисторами. Материал полосковых линий и контактных площадокСг (0,2 мкм) — Cu (8 мкм) и Аи (2 мкм). Соединение кристалла полевого транзистора с контактной площадкой полосковой платы проводили золотой проволокой, а кристалл присоединяли к плате контактолом.

Разварку выводов осуществляли следующим образом: конец проволоки устанавливали на контактную площадку затвора транзистора и производили сварку. После формовки вывода проводили приварку второго конца проволоки к контактной площадке полосковой платы. Затем конец второго проволочного вывода устанавливали на контактную площадку истока транзистора и производили сварку, после чего производили приварку другого конца второго вывода к контактной площадке полосковой платы таким образом, что электрическая цепь затвор — исток оказывалась замкнутой на выгрузочное сопротивление полосковой платы. После этого производили приварку третьего вывода одним концом к контактной площадке стока транзистора, а другим концом — к контактной площадке полосковой платы.

Размеры монтируемых транзисторов, режимы сварки и процент годных транзисторов после разварки выводов приведены в таблице.

Использование способа монтажа таких полевых транзисторов обеспечивает по сравнению с известными способаl2748 ния.

Диаметр выводов мкм

Минимал ьРежим сварки

Размеры транзистора, мм

Выход годных транзисторов, Уь ные размеры контактных

Напряжение, С

Длительность площадок затвора, мкм сварки, с

0,4х0,4 20

15 45 фиг. 1 ми при сохранении высокой прочности сварного соединения значительное повышение выхода годных приборов вследствие исключения длительного термического (как в случае применения тер- 5 мокомпрессионной сварки) или интенсивного механического как в случае применения ультразвуко вой сварки воздействий на кристалл. 10

Внедрение изобретения не связано с созданием специального оборудования и основано на использовании существующей технологической базы, в частности, стандартных методов и отечественных установок односторонней импульсной контактной микросварки, способ монтажа полевых транзисторов может. эффективно использоваться в промышленности с применением стандартного технологического оборудова89 4

Формула изобретения

Способ монтажа кристаллов полевых транзисторов на платы гибридно-интегральных схем, включающий присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и схемы односторонней импульсной контактной микросваркой расщепленным электродом, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности монтажа путем уменьшения вероятности пробоя транзистора при действии импульса сварочного тока, вналаче присоединяют первый вывод одним концом к контактной площадке затвора транзистора, а другим концом — к контактной площадке схемы, после чего присоединяют второй вывод одним концом к контактной площадке истока (или стока) транзистора, а другим концом — к контактной площадке схемы, замыкая электрическую цепь затвор — исток (или сток) на нагрузочное сопротивление схемы.

Составитель В.Звягин

ТехРед Л.СеРдюкова КоРРектоР М.Самборская

Редактор Н.Егорова

Заказ 6520/13 тираж 1001 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r.Ужгород, ул.Проектная, 4