Накопитель для запоминающего устройства

Накопитель для запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации,Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо . минающего устройства. Накопитель для запоминающего устройства содержит слой магнитоодноосного материала с цилиндрическими 4arнитными доменами (ЦМД), на поверхности которого расположены регистры хранения информации , взаимосвязанные через основной регистр ввода информации с основным генератором ЦЬЩ и через дополнительные регистры ввода информации - с дополнительными генераторами ЦМД. Регистры зфанения информации свАзаны также через переключатели-репликаторы ЦМД с основными и дополнительными регистрами вйвода информации, коi торые соединены с элементом считывания ЦМД. Регистры ввода информации магнитосвязаны с соответствующими С аннигиляторами. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК с5ц 4 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, :.. -

Н ASTOPGHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbITHA (21) 3822668/24-24 (22) 11.12.84 (46) 07.12.86. Бюл. У 45 (71) Омский политехнический институт (72) Г.Ф.Нестерук, В.Ф.Нестерук, В.Т.Гиль, В.И.Потапов и Н.P.Ëåãîöêàÿ (53) 681.327 ° 66 (088.8) (56) Заявка ФРГ 9 2649310, кл. G 11 С 19/08,, опублик. 1981.

Патент США В 3999172, кл. 340-174, опублик. 1980. (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации. Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо1

„.SU„, 1275538 А1 минающего устройства. Накопитель для запоминающего устройства содержит слой магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (1ЩЦ), на поверхности которого расположены регистры хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр ввода информации с основным генератором ЦКЦ и через дополнительные регистры ввода информации — с дополнительными генераторами ЦИД. Регистры хранения информации связаны также через переключатели-репликаторы ЦИД с основными и дополнительными регистрами вывода информации, которые соединены с элементом считыва- Pg ния ЦИД. Регистры ввода информации магнитосвязаны с соответствующими аннигиляторами. 1 ил.

1 1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации.

Цель изобретения — повышение отказоустойчивости накопителя для зал поминающего устройства.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого накопителя.

Накопитель для запоминающего устройства содержит слой 1 магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД) 2, на поверхности которого расположены регистры 3 хранения информации, взаимосвязанные через основной регистр

4 ввода информации с основным генератором 5 ЦМД и через дополнительные регистры 6 ввода информации — с дополнительными генераторами 7 Ц1Я.

Регистры 3 хранения информации связаны также через переключатели-репликаторы 8 ЦМД с основным 9 и дополнительными 10 регистрами вывода информации, которые соединены с элементом 11 считывания ЦМД. Регистры

4 и 6 ввода информации магнитосвязаны с соответствующими аннигиляторами 12 ЦМД.

Предлагаемый накопитель работает следующим образом.

При записи управляющие сигналы в виде импульса тока поступают на выводы основного 5 идополнительных 7 генераторов ЦМД в соответствии со значением разрядов записываемого слова данных. Слово данных вводится в основной 4 и дополнительные 6 регистры ввода. При этом в токопроводящую шину аннигиляторов 12 ЦМД подаются импульсы тока, уничтожающие (k-1) разрядов слова данных в каждом -м регистре 6 ввода (О c,i с k). При аос- туплении разряда а в (k-1)-й дополнительный регистр 6 ввода импульсы тока в токопроводящую шину аннигилятора не подаются и осуществляется параллельный ввод слова данных из основного 4 и дополнительных 6 регистров ввода информации в регистры 3 хранения информации, При считывании информации слово данных, продвигаясь по регистрам 3 хранения информации, попадает.в переключатели-репликаторы 8 ЦМД и пе-. реводится импульсом тока отрицательной полярности, посылаемым в токопроводящую шину переключателей-реп275538 2

1О

25 !

4S

50 ликаторов 8 ЦМД из регистров хранения информации в основной 9 и дополййтельные 10 регистры вывода ЦМД.

Разряды считанного блока последовательно поступают в элемент 11 считывания ЦМД за счет того, что разрядность каждого i-го дополнительного регистра 10 вывода Ц)Щ больше разрядности основного регистра 7 вывода ЩД на (k-i) разрядов.

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий слой магнитоодноосного материала, на поверхности которого расположены регистры хранения информации, основной регистр ввода информации, соединенный с основным генератором цилиндрических магнитных доменов, основной регистр вывода информации, соединенный с элементом считывания цилиндрических магнитных доменов, и переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов, отличающийся тем, что, с целью повышения отказоустойчивости он содержит (k-1) допол-нительных регистров ввода информации, где k — разрядность страницы информации, (k-1) дополнительных регистров вывода информации, (k-1) дополнительных генераторов цилиндрических магнитных доменов и k аннигиляторов цилиндрических магнитных доменов, один регистр хранения информации соединен с основным, а другие регистры хранения информации — соответственно с одним из дополнительных регистров ввода информации и через переключатели-репликаторы цилиндрических магнитных доменов — соответственно с одним из дополнительных регистров вывода информации, каждый дополнительный регистр ввода информации соединен с соответствующим дополнительным генератором цилиндрических магнитных доменов, а каждый дополнительный регистр вывода информации соединен с элементом считывания цилиндрических магнитных доменов, основной и каждый из дополнительных регистров ввода информации магнитосвязан с соответствующим аннигилятором цилиндрических магнитных доменов, причем разрядность каждого i-ro дополнительного регистра ввода информации, где 0

Редактор И.Дербак Техред Л.Олейник Корректор А.Обручар

Заказ 6569/46 Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,