Способ устройства фундамента здания

Способ устройства фундамента здания

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области строительства, а именно к устройству фундаментов зданий. Цель изобретения - повышение несундей способности фундамента достигается за счет того, что перед расклиниванием фундаментны.х плит 2 траншею I засыпают сыпучим материалом 4. Расклинивание производят любым известным способом до тех пор, пока верхние концы плит 2 из вертикального положения не соединятся с кромкой траншеи 1. Это условие выполняется при ширине траншеи 1 менее или равной ширине фундаментной плиты 2 и глубине траншеи п (0,866-0,966) К где I - ширина фундаментной плиты 2. Пространство между плитами 2 заполняют грунтом 7 и на его уплотненную поверхность укладывают распределительную плиту 8. 2 ил. (Л с к О5 ОГ) IND (рие.г

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„,Я0„„1276762

m4Е02D2700

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3864538/29-33 (22) 05.03.85 (46) 15.12.86. Бюл. № 46 (71) Научно-исследовательский институт строительных конструкций Госстроя СССР (72) Н. С. Метелюк и Ф. И. Бовчалюк (53) 624.15.418(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 399588, кл. Е 02 D 27/00, 1972.

Авторское свидетельство СССР № 796317, кл. Е 02 D 27/00, 1979. (54) СПОСОБ УСТРОЙСТВА ФУНДАМЕНТА ЗДАНИЯ (57) Изобретение относится к области строительства, а именно к устройству фундаментов зданий. Цель изобретения — повышение несушей способности фундамента достигается за счет того, что перед расклиниванием фундаментных плит 2 траншею

1 засыпают сыпучим материалом 4. Расклинивание производят любым известным способом до тех пор, пока верхние концы плит 2 из вертикального положения не соединятся с кромкой траншеи 1. Это условие выполняется при ширине траншеи 1 менее или равной ширине фундаментной плиты 2 и глубине траншеи и= (0,866 — 0,966) 1, где 1 — ширина фундаментной плиты 2.

Пространство между плитами 2 заполняют грунтом 7 и на его уплотненную поверхность укладывают распределительную плиту

8. 2 ил.

1276762

Формула изобретения

Составитель Т. Пономарева

Техред И. Верес Корректор И Муска

Тираж 641 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, 1 аушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор H. Слободяник

Заказ 6646!25

Изобретение относится к строительству, в частности к устройству фундаментов зданий и сооружений, возводимых на подрабатываем ых территориях.

Цель изобретения — повышение несущей способности фундамента.

На фиг. 1 изображен фундамент здания, возводимого описываемым способом, перед расклиниванием фундаментных плит, поперечный разрез; на фиг. 2 -- то же, фундамент в рабочем положении.

Способ устройства фундамента здания включает устройство траншеи 1, установку в нее вертикально фундаментных плит 2 со скошенными гранями 3 так, чтобы скосы были направлены друг к другу. После этого траншею 1 засыпают сыпучим материалом 4, например песком или песчано-шлаковой смесью. Затем производят расклинивание фундаментных плит 2 любым известным способом. Например, на верхние концы фундаментных плит можно установить металлические упоры 5, между ними разместить домкраты 6, которые создадут расклинивающие усилия. Расклинивание плит 2 производят до тех пор, пока верхние концы плит 2 не соединятся с кромкой траншеи 1, а именно: ширина траншеи 1 должна быть менее или равной ширине фундаментной плиты 2, а глубина траншеи 1 должна приниматься в пределах от п=0,8661 до

h=0,966 1, где 1 — ширина фундаментной плиты 2. Изменение соотнон1ений между h и 1 приводит к изменению конструктивного решения фундамента, т. е. в одном случае он будет работать как фундамент на естественном основании (плоская подошва), а в другом — как шпунтовый фундамент. После расклинивания пространство между плитами 2 заполняют грунтом 7 (супесь, суглинок, песок) с уплотнением. Затем на грунт 7 укладывают раси редел и тел ьну ю ил и ту 8.

Расклинивание фундаментных плит 2 производят после засыпки траншеи 1 сыпучим материалом 4. В этом случае усилия расклинивания невелики, так как сыпучий материал 4 легко упло-:няется. Кроме того, 10 сыпучий материал 4 в данном случае представляет собой демпфирующий слой, т. е. слой, способный погашать усилия от деформации основания здания. При подработке основания здания слой сыпучего материала 4 частично погашает дополнительные усилия, передающиеся на фундамент от деформации земной поверхности, и тем самым повышает несущую способность конструкции фундамента.

Способ устройства фундамента здания, включающий устройство траншеи, установку вертикально фундаментных плит и расклинивание их, укладку распределительной

25 плиты, отличающийся тем, что, с целью повышения несущей способности фундамента, перед расклиниванием фундаментных плит траншею засыпан>т сыпучим материалом, расклинивание производят до соединения верхних концов плит с кромкой траншеи, а промежуток между плитами после расклинивания заполняется грунтом с уплотнением, причем глубина траншеи принимается в пределах 0,866 — 0,966 ширины фундаментной плиты.