Антенная решетка (ее варианты)

Антенная решетка (ее варианты)

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к антенной технике СВЧ-диапазона. Цель изобретения - упрощение конструкции и сохранение согласования в плоскости вектора Н (п. ф-лы. 1) и в плоскости вектора Е (п. ф-лы 2). Устр.-во содержит волноводные излучатели 1, зандитное диэлектрическое покрытие 2, толщиной d. размещенное в плоскости их раскрыва. По 1-му варианту (сканирование в плоскости вектора Н) d {D Д(п+ + l)-arQtg ,2-9)/()}/ i3fv4tDo-9). По 2-му варианту (сканирование в плоскости вектора Е) d (Stn+ arctg /() / ( DO -Т) i :2 /iD -1 где - относительная диэлектр1;ческая проницаемость , Л - рабочая дл:1на волны, Оо О/Л , D - поперечный размер раскрыва излучателя 1 в плоскости сканирования, п - номер типа (электрич.) поверхностной волны, возбуждаемой в покрытии- 2. 2 с.н. ф-лы. 1 ил. с W 1чЭ оо го N3 СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1282245 А1 (504 Н 01 21/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

+1) — ar(;tg

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3806722/24-09 (22) 30.10.84 (46) 07.01 87. Бюл. № 1 (71) Ульяновский политехнический институт (72) А. В. Ефимов и В. Н. Хаханин (53) 621.396.677.7 (088.8) (56) Амитей Н. и др. Теория и анализ фазированных антенных решеток. М.: Мир, 1974, с. 250 — 252, 400. (54) АНТЕННАЯ РЕШЕТКА (ЕЕ ВАРИАНТЫ) (57) Изобретение относится к антенной технике СВЧ-диапазона. Цель изобретения— упрошение конструкции и сохранение согласования в плоскости вектора Н (п. ф-лы. 1) и в плоскости вектора Е(п.ф-лы 2). Устр.-во содержит волноводные излучатели 1, зашитное диэлектрическое покрытие 2, толшиной d. размещенное в плоскости их раскрыва. По 1-му варианту (сканирование в плоскости вектора Н) d = Р, P(9j(n+ (У) 4EDE — 9). По 2-му варианту (сканирование в плоскости вектора Е) d = {D4,Я (Лп-1+acctEEt)((— DJ)I(ED@ — 1) tt-(9 Î, — 1 где — относительная диэлектр(ч окая проницаемость, у — рабочая дл4;на волны, D, = D/Л, D — поперечный размер раскрыва излучателя 1 в плоскости сканирования, п — номер типа (электрич. ) поверхностной волны, возбуждаемой в покрытии 2. с

2 с.п. ф-лы. 1 ил.

1282245

/МР— 9 1

d—

Э Л Я(п.е1) — are

У)Феп -9 где о

Л о= /3 Э

1 Ро

ЭоЯ(п+ arctic 8 аР

Составитель Ю. Волков

Редактор E. Папп Техред И. Верес Корректор И. Эрдейи

Заказ 7!80/53 Тираж 625 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! !3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раугпская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к антенной технике СВЧ-диапазона.

Цель изобретения — упрощение конструкции и сохранение согласования при сканировании в плоскости вектора Н и плоскости вектора Е.

На чертеже представлена структурная схема антенной решетки.

Антенная решетка содержит волноводные излучатели 1, защитное диэлектрическое покрытие 2, толщиной d размещенное в плоскости их раскрыва.

Антенная решетка работает следующим образом.

При работе в режиме сканирования в защитном диэлектрическом покрытии 2 возбуждаются поверхностные волны, приводящие к потерям мощности. Для уменьшения амплитуды поверхностных волн в защитном диэлектрическом покрытии антенной решетки на параметры защитного диэлектрического покрытия накладываются следующие условия: толщина защитного диэлектрического покрытия для достижения минимума амплитуды магнитной поверхностной волны (сканирование в плоскости вектора Н! должна быть равной где с- — относительная диэлектрическая кая проницаемость;

Л вЂ” рабочая длина волны;

Ро=0/д D — поперечный размер раскрыва волноводного излучателя 1 в плоскости сканирования; т1 — номер типа (магнитной) поверхностной волны, возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии 2, а для достижения минимума электрической поверхностной волны (сканирование в плоскости вектора Е! толщина защитного диэлектрического покрытия 2 должна быть равной где о — относительная диэлектричеспроницаемость; — рабочая длина волны;

Ро=Р/,> поперечный размер раскрыва

5 волноводного излучателя 1 в плоскости сканирования;

n — номер типа (электрической) поверхностной волны, возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии 2.

Формула изобретения

1. Антенная решетка, содержащая волноводные излучатели и защитное диэлектрическое покрытие, размещенное в плоскости их раскрыва, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и сохранения согласования при сканировании в плоскости вектора Н, толщина защитного диэлектрического покрытия равна

4ЯП. -S (г + 1/ — 4г / 9-4

< У4ЯЯ вЂ” 9 где 6 — относительная диэлектрическая проницаемость;

Л вЂ” рабочая длина волны; ив=1 /л,> — поперечный размер раскрыва волноводного излучателя в плоскости сканирования, n — номер типа поверхностной волны возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии.

З() 2. Антенная решетка, содержащая волноводные излучатели и защитное диэлектрическое покрытие, размещенное в плоскости их раскрыва, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и сохранения согласования при сканировании в плоскости

35 вектора Е, толщина защитного диэлектрического покрытия равна

1- Do

DoЛЮп+arctg< Ъ ЕЭ вЂ” 1 — относительная диэлектрическая проницаемость; — рабочая длина волны; — поперечный размер раскрыва волноводного излучателя в плоскости сканирования; — номер типа поверхностной волны, возбуждаемой в защитном диэлектрическом покрытии.