Сегнетоэлектрический накопитель информации

Сегнетоэлектрический накопитель информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение надежности накопителя информации за счет упрощения его конструкции . Накопитель содержит пластину 1 сегнетоэлектрика, полосы 2 и 3 уложенных в ряд отрезков изолированной проволоки 4, изолирующие слои 5 диэлектрика, демпфирующие прокладки 6 и пластины 7 упругого проводящего материала, соединенные винтами. Слой 9 клея соединяет отрезки проволоки . Конструкция залита демпфирующим материалом. Вид выполнения электродов записи-считывания обеспечивает повышение надежности устройства и упрощение конструкции. 2 ил. i (Л

СОЮЗ СОВБТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧИКИХ

РЕСПУБЛИК (50 4 С 11 G 11/22

% (1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3904641/24-24 (22) 04.06.85 (46) 15.01.87. Бюл, ¹ 2 (71) Институт электронных управляющих машин (72) В.В.Костин, Ю.Д.Овечкин, Н.Л.Прохоров, А.Г.Сегалла и В.В.Белов (53) 681 327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 501420, кл. G 11 С 11/22, 1976.

Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение. М.:

Мир, 1981, с. 327. (54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИИ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис„„SU„„1283853 А1 пользовано в полупостоянных запоминающих устройствах вычислительных машин. Целью изобретения является повышение надежности накопителя информации за счет упрощения его конструкции. Накопитель содержит пластину 1 сегнетоэлектрика, полосы 2 и

3 уложенных в ряд отрезков изолированной проволоки 4, изолирующие слои

5 диэлектрика, демпфирующие прокладки 6 и пластины 7 упругого проводящего материала, соединенные винтами.

Слой 9 клея соединяет отрезки проволоки. Конструкция залита демпфирующим материалом. Вид выполчения элекс тродов записи-считывания обеспечива- g ет повышение надежности устройства и упрощение конструкции. 2 ил.

1283853

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.

Целью изобретения является повышение надежности сегнетоэлектрического накопителя за счет уменьшения управляющих напряжений.

На фиг. 1 показана схема накопителя информации, разрез", на фиг. 2 то же, на печатной плате, Сегнетоэлектрический накопитель с, информации содержит пластину 1 сегнетоэлектрического материала, электроды 2 и 3 в виде полос, уложенных в ряд в одной плоскости изолирован- ных друг от друга отрезков проволоки 4, контактно прилегающей к поверхности пластины 1., изолирующие слои 5 диэлектрика на проволоках, демпфирующие прокладки 6 упругого диэлектрического материала и пластины 7 упругого проводящего материала, соединенные.в углах винтами 8. Клеящий

25 слой 9 обеспечивает соединение изолированных отрезков проволоки. Конструкция с боков залита демпфирующим компаундом 10. Пластина 1 выполнена из сегнетокерамики цирконататитаната свинца-лантана.

Накопитель работает следующим об- разом.

Подачей импульса напряжения записи на выбранные электроды 2 и 3 накопителя осуществляют поляризацию сегнетоэлектрика на участке ортогонального перекрытия электродов. За информационную единицу принимают одно из двух возможных направлений поляризации, а за информационный ноль— противоположное направление поляризации. Для изменения направления поляризации следует изменить полярность импульса напряжения записи.

Считывание информации осуществляют известным способом (как и в . известном устройстве) — подачей импульсов напряжения полувыборки меньшего коэрцитивного напряжения на выбранные электроды и регистрацией тока через поляризованный участок.

Изобретение позволяет упростить конструкцию предлагаемого сегнетоэлектрического накопителя, так как электроды записи-считывания ивнешние выводы выполнены едиными элементами, допускающими их групповое соединение с проводниками печатной платы, и повысить надежность устройства, так как сопротивление проводников с поперечным сечением, близким к кругу, меньше сопротивления пленочных проводников прямоугольного сечения при одинаковой зоне контакта с пластиной сегнетоэлектрика, а переходные сопротивления между электродами записи-считывания и внешними выводами отсутствуют.

Формула изобретения

Сегнетоэлектрический накопитель информации„ содержащий пластину сегнетоэлектрической керамики, на противоположных поверхностях которой размещены две взаимно ортогональные группы электродов записи-считывания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя за счет уменьшечия управляющих напряжений, в него введен прижимной элемент, выполненный в виде двух пластин упругого проводящего материала с демпфирующими прокладками из упругого диэлектрического материала, электроды каждой группы выполнены в виде полос, уложенных в ряд в однбй плоскости изолированных друг от друга отрезков проволоки, которые прижаты к пластине сегнетоэлектрической керамики демпфирующими прокладками из упругого диэлектрического материала, причем концы от-, резков проволоки выступают за пределы пластин упругого проводящего материала, соединенных друг с другом, 1283853

Составитель, С. Самуцевич

Редактор Ю. Середа Техред А.Кравчук Корректор M. Максимишинец

Заказ 7450/52 Тираж 589 Подписное

ЗНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

i13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 с:

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4